Điện thế nạp của các chất điện môi và dây dẫn cách điện phụ thuộc vào góc tới của chùm electron

Allerton Press - Tập 69 - Trang 61-65 - 2014
E. N. Evstaf’eva, S. V. Zaitsev1, E. I. Rau1,2, A. A. Tatarintsev3
1Department of Physics, Moscow State University, Moscow, Russia
2Institute of Microelectronics Technology and High-Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia
3Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Tóm tắt

Các đặc trưng chính của việc nạp điện cho các mục tiêu điện môi và kim loại không được nối đất trong bức xạ bởi các electron năng lượng trung bình (0.5–10 keV) đã được nghiên cứu lý thuyết và thực nghiệm phụ thuộc vào góc tới của chùm electron. Các hệ số phát xạ electron và năng lượng tới hạn thứ hai của các electron sơ cấp (radiating), E 2C , đã được xác định phụ thuộc vào góc tới α khi các mục tiêu không đang bị nạp điện.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Cosmos Model, Ed. by M. I. Panasyuk (Moscow, 2007) [in Russian]. D. S. Joy, Scanning 11, 1 (1989). H. E. Bauer and H. Seiler, in Scanning Electron Microscopy, Ed. by O’Hare, (Chicago, 1984), Vol. 3, p. 1081. L. Reimer, U. Golla, and R. Bongeler, Optic 92, 14 (1992). M. P. Seah and S. J. Spenser, J. Electr. Spectrosc. Rel. Phenom. 109, 291 (2000). N. Sugiyama, S. Ikeda, and Y. Ushikawa, J. Electr. Microscopy 35, 9 (1986). Y. Ishibashi, T. Kodama, H. Oiwa, and H. Uchikawa, Scanning 14, 219 (1992). H. Seiler, J. Appl. Phys. 54, R1 (1983). D. S. Joy, J. Microscopy 147, 51 (1987). T. Lin and D. S. Joy, Surf. Interface Anal. 37, 895 (2005). Y. C. G. Yon, J. T. L. Thong, and J. C. H. Phang, J. Appl. Phys. 84, 4543 (1998). I. M. Bronshtein and B. S. Fraiman, Secondary Electron Emission (Moscow, 1969) [in Russian]. G. Neubert and S. Rogaschewski, Phys. Stat. Sol. A 59, 35 (1980). H. Hunger and L. Kuchler, Phys. Stat. Sol. A 56, 45 (1979). A. V. Gostev, S. A. Ditsman, F. A. Luk’yanov, N. A. Orlikovskii, E. I. Rau, and R. A. Sennov, Instrum. Exper. Techn. 53, 581 (2010). E. I. Rau, S. A. Ditsman, S. V. Zaitsev, N. V. Lermontov, A. E. Luk’yanov, and S. Yu. Kupreenko, Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. 77, 951 (2013). R. Rettig, M. Kassens, and L. Reimer, Scanning 16, 221 (1994). J. Cazaux, J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999). A. Palov, H. Fujii, and S. Hiro, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 6170 (1998).