Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phân tích các bộ phim cacbua silicon polycrystalline được phát triển bằng phương pháp lắng đọng hóa hơi hóa học áp suất khí quyển trên silic polycrystalline
Tóm tắt
Kỹ thuật nhiễu xạ tia X, kính hiển vi điện tử truyền qua, và quang phổ phân tán Rutherford đã được sử dụng để đặc trưng hóa cấu trúc vi mô của các bộ phim SiC polycrystalline được hình thành trên các nền silic tinh thể poly và nền được anneal. Đối với cả hai loại nền, cấu trúc của các bộ phim SiC tương tự như silic tinh thể ở giai đoạn đầu của quá trình phát triển SiC. Trong quá trình lắng đọng ở nhiệt độ cao, silic poly đã lắng đọng sẽ tinh thể hóa lại mà không ảnh hưởng đến tinh thể học của SiC phía trên. Một cuộc điều tra về giao diện SiC/silic tinh thể cho thấy rằng có một mối quan hệ heteroepitaxial giữa silic poly và các hạt SiC. Từ nghiên cứu này, một phương pháp để kiểm soát định hướng của các bộ phim SiC polycrystalline có cấu trúc cao đã được phát triển.
Từ khóa
#phân tích vi mạch #SiC polycrystalline #silic polycrystalline #lắng đọng hóa hơi hóa họcTài liệu tham khảo
M. Mehregany, IEEE Circuits Dev. 9, 14 (1993).
G. L. Pearson, W. T. Read, Jr., and W. L. Feldman, Acta Metall. 5, 181 (1957).
G. Krotz, W. Legner, Ch. Wagner, H. Moller, H. Sonntag, and G. Muller, Proc. 8th Int. Conf. Solid-State Sensors and Actuators, and Eurosensors IX, Stockholm, Sweden (1995), pp. 186–188.
J. A. Powell, L. G. Matus, and M. A. Kuczmarski, J. Electrochem. Soc. 134, 1558 (1987).
A. J. Steckl and J. P. Li, IEEE Trans. Electron. Dev. 39, 64 (1992).
Y. Hattori, T. Suzuki, T. Murata, T. Yabumi, K. Yasuda, and M. Saji, J. Cryst. Growth 115, 607 (1991).
L. Tong, M. Mehregany, and L. G. Matus, Appl. Phys. Lett. 60, 2992 (1992).
N. Rajan, C. Zorman, M. Mehregany, R. DeAnna, and R. Harvey, in Proc. 10th Int. Workshop on Microelectromechanical Systems (Nagoya, Japan, 1997), pp. 165–168.
K. Kamimura, K. Koike, H. Ono, T. Homma, Y. Onuma, and S. Yonekubo, in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, edited by C. Y. Yang, M. M. Rahman, and G. L. Harris (Springer Proc. in Physics, Berlin, 1992), Vol. 71, pp. 259–265.
J. Kobayashi, S. Yonekubo, K. Kamimura, and Y. Onuma, in Proc. Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, edited by S. Nakashima, H. Matsunami, S. Yoshida, and H. Harima (IOP Publishing Ltd., Bristol, U. K., 1995), pp. 229–232.
Y. Onuma, S. Miyashita, Y. Nishibe, K. Kamimura, and K. Tezuka, in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide II, edited by M. M. Rahman, C. Y. Yang, and G. L. Harris (Springer Proc. in Physics, Berlin, 1989), Vol. 43, pp. 212–216.
S. Nishino and J. Saraie, in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide II, edited by M. M. Rahman, C. Y. Yang, and G. L. Harris (Springer Proc. in Physics, Berlin, 1989), Vol. 43, pp. 8–13.
H. Nagasawa and Y. Yamaguchi, Thin Solid Films 225, 230 (1993).
T. Kamins, Metall. Trans. of AIME 2, 2292–2294 (1971).
L. Wei, M. Vaudin, C. S. Hwang, G. White, J. Xu, and A. J. Steckl, J. Mater. Res. 10, 1889 (1995).
J. Adamczewska and T. Budzynski, Thin Solid Films 113, 271 (1984).
T. Kamins, in Polycrystalline Silicon for Integrated Circuit Applications (Kluwer Academic Publishers, Boston, MA, 1988), p. 61.
A. J. Fleischman, S. Roy, C. A. Zorman, and M. Mehregany, in Proc. 9th Int. Workshop on Microelectromechanical Systems (San Diego, CA, 1996), pp. 234–238.
S. Wolf and R. N. Tauber, in Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 1—Process Technology (Lattice Press, Sunset Beach, CA, 1986), pp. 198–241.
C. A. Zorman, A. J. Fleischman, A. S. Dewa, M. Mehregany, C. Jacob, S. Nishino, and P. Pirouz, J. Appl. Phys. 78, 5136 (1995).
N. Becourt, J. L. Ponthenier, A. M. Papon, and C. Joussand, Physica B 185, 79 (1993).
H. Kakinuma, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2310 (1995).