Đặc điểm và sự phát triển của cảm biến quang hồng ngoại điểm lượng tử

Frontiers of Physics - Tập 1 - Trang 334-338 - 2006
Guan-jie Zhang1, Yong-chun Shu1, Jiang-hong Yao1, Qiang Shu1, Hao-liang Deng1, Guo-zhi Jia1, Zhan-guo Wang1
1Quantum Materials and Devices Lab, Department of Physics, Nankai University, Tianjin, China

Tóm tắt

Cảm biến quang hồng ngoại điểm lượng tử (QDIPs) về lý thuyết có một số ưu điểm so với cảm biến quang hồng ngoại giếng lượng tử (QWIPs). Trong bài báo này, chúng tôi thảo luận về các ưu điểm lý thuyết của QDIPs bao gồm phản ứng ở góc tới bình thường, dòng tối thấp hơn, độ nhạy và khả năng phát hiện cao hơn, v.v. Các kết quả chế tạo thiết bị và thí nghiệm gần đây trong lĩnh vực này cũng được trình bày. Dựa trên phân tích các vấn đề hiện có, một số phương pháp có thể cải thiện khả năng của thiết bị được chỉ ra.

Từ khóa

#cảm biến quang hồng ngoại #điểm lượng tử #giếng lượng tử #phản ứng quang #độ nhạy #khả năng phát hiện

Tài liệu tham khảo

Sakoglu U., Tyo J. S., Hayat M. M., et al., J. Opt. Soc. Am. B, 2004, 21: 7 Zhuang Q. D., Li J. M., et al., Appl. Phys. Lett., 1998, 73: 3706 Ye Z., Campbell J. C., Chen Z., et al., IEEE Journal of Quantum Electronics, 2002, 38: 1234 Jiang J., Tsao S., O’sullivan T., et al., Appl, Phys. Lett., 2004, 84: 2166 Boucaud P. and Sauvage S., Physique C. R., 2003, 4: 1133 Liu H. C., Duboz J. Y., et al., Physica E, 2003, 17: 631 Liu H. C., Gao M., et al., Appl. Phys. Lett., 2001, 78: 79 Liu H. C., Aslan B., et al., Infrared Physics & Technology, 2003, 44: 503 Xu S. J., Chua S. J., et al., Appl. Phys. Lett., 1998, 73: 3153 Towe E. and Pan D., IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2000, 6: 408 Wang S. Y., Lin S.D., et al., Infrared Physics & Technology, 2001, 42: 473 Lee S. and Hirakawa K., Physica E, 2002, 13: 305 Chen Z., Baklenov O., et al., Journal of Applied Physics, 2001, 89: 4558 Hirakawa K., Lee S. W., Lelong P., et al., Microelectronic Engineering, 2002, 63: 185 Chakrabarti S., Stiff-Roberts A.D., Bhattacharya P., et al. Electronics Letters, 2004, 40: 3 Rappaport N., Finkman E., et al., Infrared Physics & Technology, 2003, 44: 513 Finkman E., Maimon S., Immer V., et al., Physica E, 2000, 7: 139 Chakrabarti S., Stiff-Roberts A.D., Bhattacharya P., et al., IEEE Photonics Technology Letters, 2004, 16: 1361 Jiang L., Li S.S., Yeh N. T., et al., Appl. Phys. Lett., 2003, 82: 1986 Kim M.D., Noh S.K., Hong S.C., et al., Appl. Phys. Lett., 2003, 82: 553 Moldavskaya L. D., Shashkin V. I., et al., Physica E, 2003, 17: 634 Le D. T., Morath C. P., et al., Infrared Physics & Technology, 2003, 44: 517 Wang S. Y., Chen S. C., et al., Infrared Physics & Technology, 2003, 44: 527 Stewart K., Buda M., et al., Journal of Applied Physics, 2003, 94: 5283