Cell characteristics of FePt nano-dot memories with a high-k Al2O3 blocking oxide

J. C. Bea, Y. H. Song, K. W. Lee, G. H. Lee, T. Tanaka and M. Koyanagi, Semicond. Sci. Technol. 24, 085013 (2009).

J. Lee, X. Wang, W. Bai, N. Lu and D. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2067 (2003).

T. Baron, F. Mazen, J. M. Hartmann, P. Mur, R. A. Puglisi, S. Lombardo, G. Ammenbola and C. Gerardi, Solid State Electron. 48, 1503 (2004).

C. Yin, M. Murugesan, J. C. Bea, M. Oogane, Fukushima T. Tanaka, S. Kono, S. Samukawa and M. Koyanagi, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 2167 (2007).

D. Weller, A. Moser, L. Folks, M. E. Best, W. Lee, M. F. Toney, M. Schwickert, U. Thiele and M. F. Doerner, IEEE Trans. Magn. 36, 10 (2000).

Y. L. Pei, T. Fukushima, T. Tanaka and M. Koyanagi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2680 (2008).

A. E. Romanov and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 22801 (1999).

H. Heidemeyer, C. Single, F. Zhou, F. E. Prins, D. P. Kern and E. Plies, J. Appl. Phys. 87, 4580 (2000).

Y. J. Zhao, X. N. Wang, H. L. Shang and M. H. White, Solid State Electron. 50, 1667 (2006).

Y. H. Song, J. C. Bea, T. Tanaka and M. Koyanagi, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 074201 (2010).

S. Maikap, H. Y. Lee, T. Y. Wang, P. J. Tzeng, C. C. Wang, L. S. Lee, K. C. Liu, J. R Yang and M. J. Tsai, Semicond. Sci. Technol. 22, 884 (2007).