Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Pin mặt trời quang điện hóa CdTe - sự biến đổi hóa học của bề mặt
Tóm tắt
Sự biến đổi hóa học của CdTe loại n và p đã được phát hiện là cải thiện hiệu suất và độ ổn định của các pin mặt trời PEC. Các bề mặt, được biến đổi bằng Ru3+, đã được khảo sát bằng nhiều kỹ thuật khác nhau. Sự biến đổi dẫn đến việc tăng cường chiều cao rào cản ở bề mặt do sự hình thành lớp oxit thụ động.
Từ khóa
#CdTe #pin mặt trời quang điện hóa #biến đổi hóa học #bề mặt #hiệu suất #độ ổn địnhTài liệu tham khảo
Borbavello E, Kalyansundaran K, Graetzel M and Pelezetti E 1982Helv. Chim. Acta 65 243
Bose D N, Ramprakash Y and Basu S 1984aJ. Electrochem. Soc. 131 850
Bose D N, Roy J N and Basu S 1984bMat. Lett. 2 455
Bose D N, Hegde M S, Basu S and Mandal K C 1985Proc. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. (New York: IEEE Press)
Bose D N, Basu S, Mandal K C and Mazumdar D 1986Appl. Phys. Lett. 46 472
Bose D N and Holz M 1987Mat. Lett. 5 291
Bose D N, Basu S and Mandal K C 1988Proc. 7th Int. Conf. on Thin Films, New Delhi
Heller A 1981Am. Chem. Soc. Symp. Ser. 146 57
Heller A, Miller B, Lewerenz H J and Bachmann K J 1980J. Am. Chem. Soc. 102 6555
Mandal K C, Basu S and Bose D N 1986Solar Cells 18 25
Mandal K C, Basu S and Bose D N 1987J. Phys. Chem. 91 4011
Mandal K C, Basu S and Bose D N 1988 (to be published)
Parkinson B A, Heller A and Miller B 1978Appl. Phys. Lett. 33 521
Tufts B J, Abrahams I L, Santangelo P S, Ryba G N, Casagrande L G and Lewis N S 1987Nature (London) 326 861