Tối ưu hóa điện dung của tụ bảo vệ trong bộ chuyển đổi điện năng

Bài báo này xem xét một phương pháp tối ưu hóa điện dung của các tụ bảo vệ trong các bộ chuyển đổi điện năng dựa trên kết nối nối tiếp của các thiết bị bán dẫn công suất (PSD) thông qua việc lựa chọn các tham số của chúng. Nghiên cứu về các tham số của PSD trong trạng thái dẫn điện cao cho thấy sự phân tán lớn. Điều này dẫn đến sự biến đổi nhiệt độ đáng kể trong các cấu trúc bán dẫn của chúng. Để giảm biên độ quá điện áp trong các thiết bị và tối ưu hóa các tham số của mạch bảo vệ, cần phải cung cấp các chế độ nhiệt hoạt động gần gũi nhất cho các PSD nối tiếp. Các quá trình nhiệt trong PSD được nghiên cứu bằng cách sử dụng một mô hình điện nhiệt, được phân biệt với các mô hình đã phát triển trước đây trong môi trường Multisim ở chỗ dữ liệu đầu vào được thu thập trong quá trình thử nghiệm các thiết bị. Các kết quả thực nghiệm đã chứng minh rằng, thông qua việc lựa chọn các tham số điện và nhiệt, có thể giảm điện dung của các tụ bảo vệ theo một bậc. Điều này sẽ cho phép giảm đáng kể tổn thất trong các cấu trúc bán dẫn PSD khi chuyển đổi chúng từ dẫn điện thấp sang dẫn điện cao và tối thiểu hóa trọng lượng cũng như kích thước của các đơn vị cổng.