Các Cơ Chế Cơ Bản và Các Mô Hình Cắt Đa Dây

Advanced Engineering Materials - Tập 6 Số 7 - Trang 501-513 - 2004
H.J. Möller

Tóm tắt

Tóm tắtHơn 80% sản xuất pin mặt trời hiện tại yêu cầu cắt các tinh thể silicon lớn. Trong những năm qua, mặc dù chi phí chế biến pin mặt trời và chế tạo mô-đun đã giảm đáng kể, nhưng chi phí cắt vẫn cao, khoảng 30% chi phí sản xuất tấm wafer. Hiện tại, các tinh thể lớn được cắt bằng công nghệ cắt đa dây[2], có ưu điểm là khả năng sản xuất cao (vài trăm tấm wafer mỗi ngày mỗi máy), tổn thất kerf nhỏ khoảng 200 μm và gần như không có giới hạn về kích thước của thỏi silicon. Kiến thức cơ bản về các chi tiết vi mô của quy trình cắt là cần thiết để cắt tinh thể theo cách có kiểm soát. Trong bài tổng quan này, các nguyên tắc của quy trình cắt sẽ được mô tả trong mức độ mà chúng được hiểu đến ngày nay.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

A. Endrös D. Franke Ch. Häßler J. Kaleis W. Koch H. J. Möller inHandbook of Photovoltaic Engineering(Eds: A. Luque S. Hegedus Wiley‐VCH Weinheim 2002).

Wells R., 1987, Solid State Technology, 30, 63

10.1115/1.2792283

J. Li I. Kao V. Prasad Proc. ASME – IMECE Dallas ASME Press1997 439.

10.1115/1.2792683

10.1115/1.555375

Wei S., 2000, Trans. Int. J. Vib. Sound, 231, 1383, 10.1006/jsvi.1999.2471

10.1115/1.1348019

Kao I., 1997, Proc. of NSF Design & Manufact. Grantees Conf., 239.

10.1016/0043-1648(93)90101-Q

10.1016/0043-1648(93)90267-P

10.1007/BF00354706

A. G. Evans D. B. Marshall inFund. of Friction and Wear ASM Metals Park OH 1981 441.

10.1115/1.3188746

B. Lawn inFracture of Brittle Solids Cambridge University Press1993.

10.1007/BF00552240

10.1111/j.1151-2916.1976.tb10991.x

10.1007/BF00569288

10.1007/BF00611482

10.1088/0268-1242/14/10/310

10.1557/JMR.1993.0830

Ermer W., 1989, Techn. Digest 1st Int. PVSEC, 781

10.1016/0043-1648(77)90012-6

Jeynes C., 1983, Phil. Mag., 178

S. Wei I. Kao Proc. Manufact. Eng. Div. – IMECE ASME Press 1998 813.

C. Borst H. J. Möller VEDRAS – Report BMBF Germany1998 23.

J. Kijlstra D. Storch VEDRAS – Report BMBF Germany1998 53.

10.1111/j.1151-2916.1979.tb19075.x

10.1007/BF00542926

10.1007/BF00352908

Chen C.P., 1980, J. Am. Cer. Soc., 59, 342

10.1111/j.1151-2916.1981.tb10320.x

10.1111/j.1151-2916.1982.tb10782.x

10.1007/BF01161443

H. J. Möller C. Funke inFreiberger Forschungshefte B Eds: H. J. Möller G. Roewer TU Bergakademie Freiberg 2003 230.

10.1016/S0955-2219(96)00148-3

B. J. Hamrock inFundamentals of Fluid Film Lubrication NASA Reference Publication 1225 McGraw‐Hill New York1991.

10.1098/rspa.1974.0167

R. Gohar inElastohydrodynamics Ellis Horwood Series in Mech. Engineering1988.

10.1098/rspa.1975.0068

10.1016/0043-1648(95)06614-4

10.1016/0043-1648(96)07220-1

Kasai T., 1992, Jpn. J. Tribology, 539

10.1016/0043-1648(87)90155-4

10.1016/0022-3093(90)90200-6

10.1016/0043-1648(93)90507-I

10.1016/0043-1648(95)06626-8

10.1016/0043-1648(93)90283-R

10.1016/0043-1648(95)06677-2

10.1016/0043-1648(95)06697-7

10.1016/0043-1648(81)90062-4

Thông tin
Thông tin xuất bản

Advanced Engineering Materials

Tập 6 Số 7

501-513

Thông tin tác giả