Các Cơ Chế Cơ Bản và Các Mô Hình Cắt Đa Dây
Tóm tắt
Hơn 80% sản xuất pin mặt trời hiện tại yêu cầu cắt các tinh thể silicon lớn. Trong những năm qua, mặc dù chi phí chế biến pin mặt trời và chế tạo mô-đun đã giảm đáng kể, nhưng chi phí cắt vẫn cao, khoảng 30% chi phí sản xuất tấm wafer. Hiện tại, các tinh thể lớn được cắt bằng công nghệ cắt đa dây[2], có ưu điểm là khả năng sản xuất cao (vài trăm tấm wafer mỗi ngày mỗi máy), tổn thất kerf nhỏ khoảng 200 μm và gần như không có giới hạn về kích thước của thỏi silicon. Kiến thức cơ bản về các chi tiết vi mô của quy trình cắt là cần thiết để cắt tinh thể theo cách có kiểm soát. Trong bài tổng quan này, các nguyên tắc của quy trình cắt sẽ được mô tả trong mức độ mà chúng được hiểu đến ngày nay.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
A. Endrös D. Franke Ch. Häßler J. Kaleis W. Koch H. J. Möller inHandbook of Photovoltaic Engineering(Eds: A. Luque S. Hegedus Wiley‐VCH Weinheim 2002).
Wells R., 1987, Solid State Technology, 30, 63
J. Li I. Kao V. Prasad Proc. ASME – IMECE Dallas ASME Press1997 439.
Kao I., 1997, Proc. of NSF Design & Manufact. Grantees Conf., 239.
A. G. Evans D. B. Marshall inFund. of Friction and Wear ASM Metals Park OH 1981 441.
Ermer W., 1989, Techn. Digest 1st Int. PVSEC, 781
Jeynes C., 1983, Phil. Mag., 178
C. Borst H. J. Möller VEDRAS – Report BMBF Germany1998 23.
J. Kijlstra D. Storch VEDRAS – Report BMBF Germany1998 53.
Chen C.P., 1980, J. Am. Cer. Soc., 59, 342
H. J. Möller C. Funke inFreiberger Forschungshefte B Eds: H. J. Möller G. Roewer TU Bergakademie Freiberg 2003 230.
B. J. Hamrock inFundamentals of Fluid Film Lubrication NASA Reference Publication 1225 McGraw‐Hill New York1991.
R. Gohar inElastohydrodynamics Ellis Horwood Series in Mech. Engineering1988.
Kasai T., 1992, Jpn. J. Tribology, 539