Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chênh lệch băng, phân tán dielectrics, dẫn quang và phân tích quang trở trong các liên hợp WO3/Ga2S3
Tóm tắt
Các lớp chồng lên nhau của WO3 vô định hình và Ga2S3 được chế tạo bằng kỹ thuật bay hơi nhiệt dưới áp suất chân không 10–5 mbar. Các đặc tính cấu trúc, thành phần, quang học, dielectrics và điện của các liên hợp WO3/Ga2S3 (WG) được nghiên cứu. Kết quả cho thấy các liên hợp WG thể hiện các băng dẫn khớp nhau tốt. Chênh lệch băng độc quyền là 0.58 eV. Ngoài ra, với vai trò là một cộng hưởng dielectrics, bề mặt WG thể hiện một bộ dao động hồng ngoại đơn, hai bộ dao động cực tím (UV) và ba bộ dao động ánh sáng khả kiến. Mô hình dẫn quang theo phương pháp Drude–Lorentz cho thấy rằng đối với các bộ dao động này, độ di chuyển của các hạt mang điện lần lượt là 7.52, 9.40 và 18.80 cm2/Vs. Độ dẫn quang trong dải cực tím rất cao, điều này cho thấy các bề mặt WG có thể được sử dụng để cảm biến UV. Mặt khác, phân tích quang trở cho các bề mặt Yb/WG/C cho thấy khả năng điều chỉnh rộng rãi của các thiết bị khi được sử dụng làm tụ điện và bộ lọc băng tần. Các bề mặt WG có thể hoạt động như bộ lọc băng tần sóng vô tuyến/microwave. Tần số cắt của microwave cho các thiết bị đạt khoảng 1.96 GHz khi tín hiệu AC lan truyền được cố định ở tần số 1.19 GHz.
Từ khóa
#Liên hợp WO3/Ga2S3 #chênh lệch băng #phân tích quang trở #dẫn quang #cảm biến UV.Tài liệu tham khảo
B. Zhang, C. Luo, Y. Deng, Z. Huang, G. Zhou, W. Lv, Q.H. Yang, Adv. Energy Mater. 10(15), 2000091 (2020)
Y. Jeong, S. Hong, G. Jung, D. Jang, W. Shin, J. Park, J.H. Lee, Journal of Sensor Science and Technology 29(1), 14–18 (2020)
P.K. Yadav, B. Ajitha, Y.A.K. Reddy, V.R.M. Reddy, M. Reddeppa, M.D. Kim, Appl. Surf. Sci. 536, 147947 (2021)
A.F. Qasrawi, and Rana B. Daragme, physica status solidi (a). https://doi.org/10.1002/pssa.202100822
A.F. Qasrawi, S.N. Abu Alrub Rana B. Daragme, Opt. Quantum Electron. 54(7), 1–11 (2022)
Z. Wang, J. Su, H. Qi, P. Pan, M. Jiang, Surf. Innov. 9(4), 214–221 (2020)
V. Sprincean, O. Lupan, I. Caraman, D. Untila, V. Postica, A. Cojocaru, M. Caraman, Mat. Sci. Semicon. Proc. 121, 105314 (2021)
B.M. Weckhuysen, J.M. Jehng, I.E. Wachs, J. Phys. Chem. B 104(31), 7382–7387 (2000)
M.C. Rao, J. Non-Oxide Glasses 5, 1–8 (2013)
G.M. Ramans, J.V. Gabrusenoks, A.R. Lusis, A.A. Patmalnieks, J. Non-Cryst, Solids 90(1–3), 637–640 (1987)
S.R. Alharbi, A.F. Qasrawi, Curr. Appl. Phys. 17(6), 835–841 (2017)
O. Madelung, Semiconductors: data Handbook, 3rd edn. (Springer Science & Business Media, New York, 2004)
S.R. Alharbi, A.F. Qasrawi, Plasmonics 12(4), 1045–1049 (2017)
E.O. Nazzal, A.F. Qasrawi, S.R. Alharbi, Plasmonics 13(3), 1049–1056 (2018)
M. Jourshabani, B.K. Lee, A.C.S. Appl, Mater. Inter. 13(27), 31785–31798 (2021)
E. Chen, B. Dong, Y. Li, Z. Li, X. Wang, Y. Zhao, Y. Wang, Opt. Commun. 127140 (2021)
S.J.V. Zaccaro, A.F. Oliveira, R. M. Rubinger, C.C. de Siqueira, R.A. da Costa Junior, Res., Soc. Development 10(10) (2021)
J.I. Pankove, Optical processes in semiconductors, Courier Corporation. (1975)
L.B. Said, K. Juini, F. Hosni, M. Amlouk, Sensor Actuat. A-Phys. 271, 168–173 (2018)
M. Kim, S. Park, J. Jeong, D. Shin, J. Kim, S. Ryu, Y. Yi, J. phys. Chem. Lett. 7(14), 2856–2861 (2016)
S. Chopra, R.S. Gupta, Semicond. Sci. Tech. 15(2), 197 (2000)
F. Wang, C.D. Valentin, G. Pacchioni, J. Phys. Chem. C 115(16), 8345–8353 (2011)
N. Teraguchi, F. Kato, M. Konagai, K. Takahashi, J. Electron. Mater. 20(3), 247–250 (1991)
C.W. Walter, C.F. Hertzler, P. Devynck, G.P. Smith, J.R. Peterson, J. Chem. Phys. 95(2), 824–827 (1991)
N.M. Khusayfan, H.K. Khanfar, J. Electron. Mater. 46(3), 1650–1657 (2017)
L. Shan, Y. Liu, J. Suriyaprakash, C. Ma, Z. Wu, L. Dong, L. Liu, J. Mol. Catal. A-Chem. 411, 179–187 (2016)
J. Fritsche, D. Kraft, A. Thißen, Th. Mayer, A. Klein, W. Jaegermann, Thin Solid Films 403, 252–257 (2002)
M. Dresselhaus, G. Dresselhaus, S.B. Cronin, A.G. Souza Filho, Solid State Properties, ( Springer-Verlag, Germany, 2018)
Y. Berencén, Y. Xie, M. Wang, S. Prucnal, L. Rebohle, S. Zhou, Semicond. Sci. Tech. 34(3), 035001 (2019)
M.B. Johansson, B. Zietz, G.A. Niklasson, L. Österlund, J. Appl. Phys. 115(21), 213510 (2014)
W. Li, P. Da, Y. Zhang, Y. Wang, X. Lin, X. Gong, G. Zheng, ACS Nano 8(11), 11770–11777 (2014)
S. Rahimnejad, J.H. He, F. Pan, W. Chen, K. Wu, G.Q. Xu, Mater. Res. Express. 1(4), 045044 (2014)
S.R. Alharbi, A.F. Qasrawi, Mater. Sci. Semicon. Proc. 83, 102–106 (2018)
V.B. Zade, M.R. Rajkumar, R. Broner, C.V. Ramana, Eng. Rep. 3(1), (2021)
W. Tian, C. Chen, L. Meng, W. Xu, F. Cao, L. Li, Adv. Energy Mater. 10(18), 1903951 (2020)
R.K. Shivade, A. Kundu, B. Chakraborty, Chem. Phys. Lett. 762, 138075 (2021)
A.K. Mondal, M.A. Mohamed, L.K. Ping, M.F. Mohamad Taib, M.H. Samat, M.A.S. Mohammad Haniff, R. Bahru, Materials. 14(3), 604 (2021)
R. Lin, J. Wan, Y. Xiong, K. Wu, W.C. Cheong, G. Zhou, Y. Li, J. Am. Chem. Soc. 140(29), 9078–9082 (2018)
F. Ahmad, A. Mansoori, S. Bansal, T.S. Dhahi, S. Ahmad, European Journal of Engineering and Technology Research 3(4), 1–11 (2018)
N. Khusayfan, H.K. Khanfar, S.E. AlGarni, Phys. Scr. 95(7), 075503 (2020)
Z. Liu, F. Lin, D. Zhao, T. Min, H. Wang, physica Status Solidi (a). 217(21), 2000207 (2020)
N.M. Khusayfan, A.F. Qasrawi, H.K. Khanfar, Results Phys. 8, 1239–1244 (2018)
D.M. Pozar, Microwave engineering, John wiley & sons, 4th edn. (2011)