Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô hình nguyên tử về sự phát triển tự thân của hợp kim qua lắng đọng hơi: Ni và Al trên NiAl(110)
Tóm tắt
Một mô hình lưới khí nhiều vị trí (msLG) với động học khuếch tán bề mặt chính xác và thực tế được áp dụng để cung cấp một mô tả đáng tin cậy về các giai đoạn ban đầu của sự phát triển tự thân không cân bằng của hợp kim NiAl thông qua việc lắng đọng định lượng đồng thời Ni và Al trên bề mặt NiAl(110). Việc lắng đọng ở 300 K tạo ra sự trộn lẫn nhưng có thứ tự hợp kim kém. Tăng nhiệt độ làm tăng cường thứ tự hợp kim tới gần như hoàn hảo ở 600 K, nhưng hình dạng đảo vẫn chưa được cân bằng.
Từ khóa
#mô hình lưới khí nhiều vị trí #hợp kim NiAl #khuếch tán bề mặt #lắng đọng hơi #đồng lắng đọng #nhiệt độTài liệu tham khảo
H. Hartmann, T. Diemant, A. Bergbreiter, J. Bansmann, H. E. Hoster, and R. J. Behm, Surf. Sci. 603, 1439 (2009).
G. E. Thayer, N. C. Bartelt, V. Ozolins, A. K. Schmid, S. Chiang, and R. Q. Hwang, Phys. Rev. Lett. 89, 036101 (2002).
M. Kotrla, J. Krug, and P. Šmilauer, Phys. Rev. B 62, 2889 (2000).
M. Einax, S. Ziehm, W. Dieterich, and P. Maass, Phys. Rev. Lett. 99, 016106 (2007).
J. R. Smith and A. Zangwill, Phys. Rev. Lett. 76, 2097 (1996).
Y. Han, B. Ünal, F. Qin, D. Jing, C. J. Jenks, D.-J. Liu, P. A. Thiel, and J. W. Evans, Phys. Rev. Lett. 100, 116105 (2008).
Y. Han, B. Ünal, D. Jing, F. Qin, C. J. Jenks, D.-J. Liu, P. A. Thiel, and J. W. Evans, Phys. Rev. B 81, 115462 (2010).
G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
J.P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
Y. Han, D. Jing, B. Ünal, P.A. Thiel, and J.W. Evans, Phys. Rev. B 84, 113414 (2011).
T. Duguet, Y. Han, C. Yuen, D. Jing, B. Ünal, J.W. Evans, and P.A. Thiel, Proc. Nat. Acad. Sci. 108, 989 (2011).
T. Michely and J. Krug, Islands, Mounds, and Atoms (Springer, Berlin, 2004).
J.W. Evans, P.A. Thiel, and M.C. Bartelt, Surf. Sci. Rep. 61, 1 (2006).
D. Jing, Y. Han, B. Ünal, J. W. Evans, and P. A. Thiel, MRS Proc. 1318, 73 (2011).
Y. Han, B. Ünal, D. Jing, P. A. Thiel, and J. W. Evans, J. Chem. Phys. 135, 084706 (2011).
H. Bei and E. P. George, Acta Mater. 53, 69 (2005).