Ứng dụng mô hình khiếm khuyết tự nhiên lưỡng cực trong khuếch tán và kích hoạt các tạp chất nông trong hợp chất III-V

Springer Science and Business Media LLC - 1993
W. Walukiewicz1
1Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley Laboratory, University of California at Berkeley, Berkeley, USA

Tóm tắt

TÓM TẮTẢnh hưởng của dop nặng đến sự hình thành các khiếm khuyết điểm mang điện được xem xét. Người ta đã chỉ ra rằng phần năng lượng hình thành phụ thuộc vào mức Fermi của các khiếm khuyết được khu trú cao có thể được xác định bằng một tham chiếu năng lượng phổ quát, chung cho tất cả các hợp chất bán dẫn III-V. Khái niệm này được sử dụng để phân tích hoạt động điện và khuếch tán của các tạp chất dop trong các hợp chất này. Chúng tôi trình bày các phép tính mô hình giải thích mối tương quan giữa nồng độ hole tối đa và khuếch tán tạp chất nhận trong các hợp chất InP và InGaAs, được dop bằng các tạp chất nhận nhóm II. Các phép tính xem xét sự phân bố lại của các nguyên tử tạp chất tại giao diện InP/InGaAs phù hợp mạng tinh thể. Nó cũng được chứng minh rằng sự gia tăng đột ngột trong hình thành khuyết tật do mức Fermi gây ra được quan sát thấy tại thời điểm bắt đầu thống kê suy thoái cao trong các bán dẫn được dop nặng.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1143/JJAP.29.810

35. Yu K. M. , Walukiewicz W. , Chan L. Y. , Leon R. , Haller E. E. , and Jaklevic J. M. , J. Appl. Phys., to be published.

10.4028/www.scientific.net/MSF.83-87.941

10.1063/1.329340

10.1016/0022-0248(91)90309-S

10.1103/PhysRevB.46.15078

10.4028/www.scientific.net/MSF.83-87.1339

10.1103/PhysRevLett.61.873

10.1116/1.583556

10.1103/PhysRevLett.59.501

10.1146/annurev.ms.15.080185.002211

10.1103/PhysRev.134.A1073

10.1016/S0081-1947(08)60135-6

10.1103/PhysRev.102.992

10.1063/1.341981

10.1080/10408439108244631

10.1103/PhysRevB.47.9425

10.1063/1.101837

10.1016/0022-0248(90)90817-5

10.1103/PhysRevLett.67.2339

10.1063/1.101174

10.1103/PhysRevLett.55.1327

10.1063/1.102788

10.1063/1.106945

10.1063/1.102528

10.1063/1.340143

10.1103/PhysRevLett.68.3619

10.1116/1.584246

10.4028/www.scientific.net/MSF.83-87.447

10.1557/PROC-147-333

10.1063/1.345576

10.1143/JJAP.29.L698

10.1063/1.348613

10.1103/PhysRevLett.55.1414

10.1149/1.2403357

10.1103/PhysRevB.37.4760

10.1116/1.583729

10.1063/1.351354

Thông tin
Thông tin xuất bản

Springer Science and Business Media LLC

Thông tin tác giả