Anomalous bonding in SiO2 at the SiO2–Si interface

Informa UK Limited - Tập 55 Số 6 - Trang 735-746 - 1987
G. Hollinger1,2, E. Bergignat3, Henry Chermette3, F. J. Himpsel4, D. Lohez5, M. Lannoo5, M. Bensoussan6
1Institut de Physique Nucléaire (et IN2P3), Université Claude Bernard Lyon-1 , 69622 , Villeurbanne , Cedex , France
2Laboratoire; Electronique , Ecole Centrale de Lyon, 69131 , Ecully , France
3a Institut de Physique Nucléaire (et IN2P3), Université Claude Bernard Lyon-1 , 69622 , Villeurbanne , Cedex , France
4IBM T. J. Watson Research Center , Box 218, Yorktown Heights , New York , 10598 , U.S.A.
5Laboratoire de Physique des Solides , ISEN , 39 boulevard Vauban, 59046 , Lille , Cedex , France
6Centre National;Etudes des Télécommunications , 196 rue de Paris, 92220 , Bagneux , France

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1051/jphys:01979004008074900

Bergignat E., 1984

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ďAnterroches C., 1984, J. Microsc. Spectrosc. Electron., 9, 147

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