Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiệu ứng Hall bất thường trong cấu trúc Transistor di động cao AlxGa1-xN M implanted Gd-Wurtzite
Tóm tắt
Các cấu trúc transistor di động cao AlxGa1-xN/GaN (HEMT) được phát triển bằng phương pháp MBE nguồn amoniac đã được cấy ion Gd 300 keV bằng chùm ion tập trung ở nhiệt độ phòng. Khí điện tử hai chiều (2DEG) của các cấu trúc HEMT này nằm cách bề mặt mẫu 27 nm. Ở nhiệt độ 4.2 K, đặc tính dòng-điện qua các hình chữ nhật đã cấy cho thấy cấu trúc vẫn dẫn điện lên đến liều Gd là 1×1012 cm-2. Hiệu ứng Hall bất thường (AHE) được quan sát ở T = 4.2 K cho các cấu trúc đã cấy Gd với liều là 3×1011 cm-2. Các phép đo AHE trong khoảng nhiệt độ rộng từ 2.4 K đến 300 K cho thấy nhiệt độ sắp xếp từ tính của các cấu trúc này khoảng 100 K. Do đó, các cấu trúc HEMT đã cấy Gd này chứa 2DEG vẫn dẫn điện, hiện đã chuyển vào trong một chất bán dẫn từ tính, mở ra khả năng phân cực các spin electron.
Từ khóa
#HEMT #2DEG #ion Gd #hiệu ứng Hall bất thường #bán dẫn từ tínhTài liệu tham khảo
S. Nakamura und G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin (1997).
Q. Chen, M. Asif Khan, J. W. Yang, C. J. Sun, M. S. Shur, and H. Park, Appl. Phys. Lett. 69, 794 (1996).
Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
Y. Q. Wang and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 82, 502 (2003).
Y. Nakanishi, A. Wakahara, H. Okada, A. Yoshida, T. Ohshima, H. Itoh, S. Nakao, K. Saito, and Y. T. Kim, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 206, 1033 (2003).
K. Wang, R. W. Martin, K. P. O’Donnell, V. Katchkanov, E. Nogales, K. Lorenz, E. Alves, S. Ruffenach, and O. Briot, Appl. Phys. Lett. 87, 112107 (2005).
S. Dhar, O. Brandt, M. Ramsteiner, V. F. Sapega, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 94, 037205 (2005).
S. Dhar, T. Kammermeier, A. Ney, L. Pérez, K. H. Ploog, A. Melnikov, and A. D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 89, 062503 (2006).
M. A. Khaderbad, S. Dhar, L. Pérez, K. H. Ploog, A. Melnikov, and A. D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 91, 072514 (2007).
S. Y. Han, J. Hite, G. T. Thaler, R. M. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, H. K. Choi, W. O. Lee, Y. D. Park, J. M. Zavada, and R. Gwilliam, Appl. Phys. Lett. 88, 042102 (2006).
J. Hejtmánek, K. Knížek, M. Maryško, Z. Jirák, D. Sedmidubský, Z. Sofer, V. Peřina, H. Hardtdegen, and C. Buchal, J. Appl. Phys. 103, 07D107 (2008).
T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
T. Dietl, H. Ohno, and F. Matsukura, Phys. Rev. B 63, 195205 (2001).
F.-Y. Lo, A. Melnikov, D. Reuter, Y. Cordier, and A. D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 92, 112111 (2008).
F. Semond, Y. Cordier, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, S. Vézian, and J. Massies, phys. stat. sol. (a) 188, 501 (2001).
Courtesy of J. F. Ziegler and J. P. Biersack, http://www.srim.org/.
Ch. Consejo, S. Contreras, L. Konczewicz, P. Lorenzini, Y. Cordier, C. Skierbiszewski, and J.L. Robert, phys. stat. sol. (c) 2, 1438 (2005).
H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
S. Blundell, Magnetism in Condensed Matter (Oxford University Press, 2001), p. 190.