Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Thép khuyết tật trong a-Si:H dưới ánh sáng
Tóm tắt
Kết quả của một nghiên cứu về động học của quá trình tái tạo khuyết tật mức sâu trong silic vô định hình (a-Si:H) được kích hoạt bởi ánh sáng được trình bày. Những kết quả này cho thấy tại nhiệt độ cao, ánh sáng làm tăng tốc độ tái tạo so với quá trình tái tạo trong bóng tối. Chúng tôi cũng phát hiện ra sự tái tạo do ánh sáng ở nhiệt độ phòng. Dựa trên một mô hình trong đó các khuyết tật được sinh ra từ sự tái hợp electron-hole và quá trình tái tạo xảy ra thông qua hoạt động của một hạt mang điện duy nhất, chúng tôi đã tìm thấy giá trị 0.86 eV cho năng lượng kích hoạt của hệ số sinh ra do ánh sáng γ−1, và 1.23 eV cho hằng số đại số tái tạo do ánh sáng λ.
Từ khóa
#silic vô định hình #khuyết tật mức sâu #tái tạo do ánh sáng #động học #năng lượng kích hoạtTài liệu tham khảo
D. E. Staebler and C. R. Wronski, Appl. Phys. Lett. 31, 292 (1977).
H. R. Park, J. Z. Liu and S. Wagner, Appl. Phys. Lett. 55, 2658 (1989).
M. Isomura, X. Xu and S. Wagner, Solar Cells 30, 177 (1991).
M. Grimbergen, L. E. Benatar, A. Fahrenbruch, A. Lopez-Otero, D. Redfield and R. H. Bube in Solar Cells, edited by B. L. Stafford (Amer.Inst. Phys. Proc. 234, Denver, CO, 1991) pp. 138–145.
M. Isomura and S. Wagner in Solar Cells, edited by B. L. Stafford (Amer. Inst. Phys. Proc. 234, Denver, CO, 1991) pp. 106–113.
M. Ohsawa, T. Hama, T. Akasaka, H. Sakai, S. Ishida and Y. Uchida, J. Non-Cryst. Solids 97/98, 91 (1987).
H. Gleskova, P. A. Morin, J. Bullock and S. Wagner, Materials Letters 13, 279 (1992).
M. Isomura and S. Wagner in Amorphous Silicon Technology, edited by M. J. Thompson, Y. Hamakawa, P. G. LeComber, A. Madan and E. Schiff (Mat. Res. Soc. Proc. 258, Pittsburgh, PA, 1992) pp. 473–478.
H. Gleskova, P. A. Morin and S. Wagner, Appl. Phys. Lett. 62, April 26, 1993.
R. Meaudre and M. Meaudre, Phys. Rev. B 45, 12134 (1992).
D. Redfield, Appl. Phys. Lett. 52, 492 (1988).
D. Redfield and R. H. Bube, Appl Phys. Lett. 54, 1037 (1989).
N. Hata, S. Wagner, P. Rocca i Cabarrocas and M. Favre, Appl. Phys. Lett. 56, 2448 (1990).
N. Hata and S. Wagner in Solar Cells, edited by B. L. Stafford (Amer. Inst. Phys. Proc. 234, Denver, CO, 1991) pp. 72–79.
M. Stutzmann, W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 32, 23 (1985).
P. V. Santos, W. B. Jackson and R. A. Street in Solar Cells, edited by B. L. Stafford (Amer. Inst. Phys. Proc. 234, Denver, CO, 1991) pp. 51–58.
Z. Y. Wu, J. M. Siefert and B. Equer, J. Non-Cryst. Solids 137/138, 227 (1991).
G. Schumm and G. H. Bauer in 22nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (IEEE Proc., New York, NY, 1991) pp. 1225–1230.
D. Redfield, J. Non-Cryst. Solids 97/98, 783 (1987).
R. H. Bube and D. Redfield, J. Appl. Phys. 66, 820 (1989).
J. Kolodzey, S. AIjishi, R. Schwarz, D. Slobodin and S. Wagner, J. Vac. Sei. Tech. A 4, 2499 (1986).
N. W. Wang, P. A. Morin, V. Chu and S. Wagner in Amorphous Silicon Technology, edited by M. J. Thompson, Y. Hamakawa, P. G. LeComber, A. Madan and E. Schiff (Mat. Res. Soc. Proc. 258, Pittsburgh, PA, 1992) pp. 589–594.
M. Vanecek, J. Kocka, J. Stuchlik, Z. Kosicek, O. Stika and A. Triska, Solar Energy Materials 8, 411 (1983).