Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phân Tích và Tổng Hợp Các Phương Pháp Đo Các Tham Số S của Transistor Vi Sóng
Tóm tắt
Hai phương pháp hai tín hiệu và phương pháp hai tín hiệu biến đổi để đo các tham số S của transistor được nghiên cứu, kèm theo một phương pháp được phát triển cho việc đo lường đầy đủ dựa trên các phương pháp này. Độ không chắc chắn của hai phương pháp cuối cùng được loại bỏ. Các phương pháp này được thực hiện bằng cách sử dụng một bộ mô phỏng-phân tích cho các bộ khuếch đại và bộ tự dao động vi sóng trong các kênh đo lường của bộ mô phỏng-phân tích, được điều chỉnh và không điều chỉnh với các tải. Phạm vi ứng dụng và mối quan hệ tương tác của các phương pháp này được nghiên cứu và các ưu điểm cũng như nhược điểm của chúng được nêu rõ.
Từ khóa
#tham số S #transistor vi sóng #phương pháp đo lường #độ không chắc chắn #bộ mô phỏng-phân tíchTài liệu tham khảo
S. R. Mazumder, “Two-signal parameters of transistors,” IEEE Trans., MTT-26, No. 6, 417–420 (1978).
S. H. Li and R. G. Bosisio, “Automatic analysis of two-port active microwave network,” Electron. Lett., 18, No, 24, 1033–1034 (1982).
S. V. Savel’kov and S. V. Romas’ko, “A method for measuring the S-parameters of four-pole systems intended for insertion in microwave strip lines,” Vest. SGUTiT, 22, No. 2, 260–270 (2017).
S. V. Savel’kov and S. V. Romas’ko, “A method for measuring the S-parameters of transistors in simulator-analyzers for amplifiers and oscillators,” Metrologiya, No. 2, 19–28 (2017).
N. H. Zu, “Phase uncertainty in calibration microwave test fixtures network,” IEEE Trans., MTT-47, No. 10, 1917–1922 (1999).
H. Heuermann and B. Schiek, “Line network network (LNN): at alternative infixture calibrating procedure,” IEEE Trans., MTT-45, No. 3, 40–413 (1997).
M. A. Silaev and S. F. Bryantsev, Application of Matrices and Graphs to the Analysis of Microwave Devices, Sov. Radio, Moscow (1970).