Mô hình mạch tương đương tích hợp cho tiếng ồn cường độ tương đối và quang phổ tiếng ồn tần số của diode laser bán dẫn đa mode

IEEE Journal of Quantum Electronics - Tập 38 Số 10 - Trang 1366-1371 - 2002
E. Mortazy1,2, V. Ahmadi3,1, M.K. Moravvej-Farshi1,2
1Department of Electronic Engineering, Tarbiat Moalem University, Tehran, Iran
2Optical ommunication Group, Iran Telecommunication Research Center, Tehran, Iran
3Laser Research Center, Atomic Energy Organization, Iran, Tehran, Iran

Tóm tắt

Tiếng ồn cường độ tương đối (RIN) và mạch tương đương của quang phổ tiếng ồn tần số/giai đoạn (FNS) của một diode laser bán dẫn đa mode được suy diễn từ các phương trình tỷ lệ đa mode với sự bao gồm của các nguồn tiếng ồn Langevin. FNS là một tham số quan trọng trong các hệ thống truyền thông quang, và mô hình mạch của nó được trình bày, lần đầu tiên, trong bài báo này. Cả hai mô hình mạch cho RIN và FNS được tích hợp trong một mạch. RIN và FNS được tính toán như là các hàm của tần số, công suất đầu ra, và số mode. Kết quả cho thấy RIN của mode chính tăng lên trong các laser đa mode với số mode cao hơn. Hơn nữa, chúng tôi cho thấy rằng RIN và FNS được gia tăng cho công suất đầu ra cao hơn. Sự phụ thuộc của độ rộng vạch của diode laser đa mode vào công suất đầu ra cũng được phân tích bằng cách sử dụng mô hình này.

Từ khóa

#Semiconductor device noise #Equivalent circuits #Frequency #Laser modes #Laser noise #Semiconductor lasers #Optical noise #Phase noise #Power generation #Diode lasers

Tài liệu tham khảo

agrawal, 1993, Semiconductor Lasers, 10.1007/978-1-4613-0481-4 10.1109/3.199239 10.1109/JQE.1986.1072960 10.1007/978-94-009-2907-4 10.1109/JQE.1981.1070628 10.1109/2944.605671 10.1109/JQE.1982.1071617 10.1109/68.372737 10.1049/el:19810230 10.1109/3.119501 10.1109/JQE.1982.1071546 10.1109/3.16237 10.1109/JQE.1983.1071842