Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Diode phát quang AlGaInP-GaAs liên kết bằng keo trên nền sapphire
Tóm tắt
Một phương pháp mới đã được đề xuất để liên kết một diode phát quang AlGaInP-GaAs (LED) trên nền sapphire trong suốt thông qua keo. Phần hấp thụ GaAs sau đó đã được loại bỏ bằng cách etching ướt chọn lọc. Kết quả cho thấy hiệu suất phát sáng có thể đạt được 401 m/W dưới dòng điện bơm vào 20 mA cho LED AlGaInP-sapphire liên kết bằng keo (GB) với bước sóng 622 nm. Ngoài ra, các LED GB này cũng được phát hiện là rất đáng tin cậy, với sự biến đổi nhỏ trong điện áp hoạt động và cường độ phát quang trong quá trình thử nghiệm tuổi thọ.
Từ khóa
#Light emitting diodes #Substrates #Gallium arsenide #Quantum well devices #Wafer bonding #Photonic band gap #Distributed Bragg reflectors #MOCVD #Wet etching #VoltageTài liệu tham khảo
10.1109/68.669229
10.1143/JJAP.37.L653
10.1016/S0038-1101(97)00212-8
10.1109/16.662773
10.1109/68.553084
10.1109/68.681479
10.1063/1.125228
10.1016/S0038-1101(98)00148-8
chang, 2001, effects of electron effective mass on the multiquantum barrier structure in algainp laser diodes, Optoelectronics IEE Proceedings-, 148, 117, 10.1049/ip-opt:20010391
chang, 1997, AlGaInP multi-quantum well light-emitting diodes, Proc Inst Elect Eng –Optoelectron, 144, 405, 10.1049/ip-opt:19971554
10.1109/3.655010
10.1109/68.618476
10.1063/1.120063
10.1063/1.117897
sheu, 1998, Investigation of wafer-bonded ($Al_{x}$ $Ga_{1- x})_{0.5}$ $In_{0.5}$ P/GaP light-emitting diodes, Proc Inst Elect Eng —Optoelectron, 145, 248, 10.1049/ip-opt:19982147
10.1143/JJAP.35.4199
10.1143/JJAP.33.6195
10.1116/1.581306
10.1049/el:19960098
10.1109/68.553084