Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Những Thành Tựu và Đặc Trưng Của GaN Có Độ Cực Ga Trong Công Nghệ MBE Hỗ Trợ Plasma Tần Số Radio
Tóm tắt
Các độ cực lưới và chất lượng màng của GaN được phát triển bằng phương pháp MBE hỗ trợ plasma tần số radio (rf-MBE) đã được nghiên cứu, tập trung vào việc sử dụng các quy trình lớp đệm khác nhau ở giai đoạn đầu. Phương pháp quang phổ tán xạ ion va chạm đồng trục để phân tích trực tiếp, cùng với RHEED và ăn mòn hóa học ướt, đã được áp dụng để xác định độ cực lưới của các màng GaN. Kết quả từ đường cong lệch XRD và quang phát quang cho thấy chất lượng của các màng GaN có độ cực Ga được cải thiện mạnh mẽ so với các màng có độ cực N. Kết quả đo hiệu ứng Hall chỉ ra rằng độ di động của màng mặt Ga đã tăng lên một bậc (568 cm2/Vs tối đa ở nhiệt độ phòng) so với màng mặt N.
Từ khóa
#GaN #tính cực lưới #MBE hỗ trợ plasma #quang phổ tán xạ ion #quang phát quang #độ di động.Tài liệu tham khảo
F.A. Ponce, D.P. Bour, W.T. Young, M. Saunders and J.W. Steeds, Appl. Phys. Lett.69 (1996) 337.
M. Seelmann-Eggebert, J.L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar and S. Porowski, Appl. Phys. Lett.71 (1997) 2635.
B. Daudin, J.L. Rouviere and M. Arlery, Appl. Phys. Lett.69 (1996) 2480.
A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, M.S. Shin, M. Showronski, J. Neugebauer and J.E. Northrup, Appl. Phys. Lett.72 (1998) 2114.
E.S. Hellman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.3 (1998) 11.
X.Q. Shen, T. Ide, S.H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura S. Sonoda and S. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys.39 (2000) L16.
M. Sumiya, M. Tanaka, K. Ohtsuka, S. Fuke, T. Ohnishi, I. Ohkubo, M. Yoshimoto, H. Koinuma and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett.75 (1999) 674.
S. Sonoda, S. Shimizu, Y. Suzuki, K. Balakrishnan, J. Shirkashi, H. Okumura, T. Nishihara and M. Shinohara, Jpn. J. Appl. Phys.38 (1999) L1219.
X.Q. Shen, T. Ide, S.H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura S. Sonoda and S. Shimizu, to be published in J. Cryst. Growth.
N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux and P. Lorenzini, Appl. Phys. Lett.72 (1998) 82.