Đặc điểm của điện trở phim dày cho ứng dụng cảm biến biến dạng

Journal of Materials Science - Tập 36 - Trang 2679-2689 - 2001
Marko Hrovat1, Darko Belavič2, Zoran Samardžija1, Janez Holc1
1Jožef Stefan Institute, Ljubljana, Slovenia
2HIPOT, Šentjernej, Slovenia

Tóm tắt

Một số điện trở phim dày thương mại với độ dẫn điện từ 1 kohm/sq. đến 1 Mohm/sq. đã được đánh giá cho các ứng dụng cảm biến biến dạng. Các hệ số nhiệt độ của độ dẫn điện, chỉ số tiếng ồn và hệ số cảm biến (GF) đã được đo. Đối với cùng một series điện trở, GF và chỉ số tiếng ồn tăng lên khi độ dẫn điện của phim tăng. Tuy nhiên, cả GF và chỉ số tiếng ồn đều khác nhau đối với các điện trở có độ dẫn điện danh nghĩa giống nhau nhưng đến từ các series điện trở khác nhau. Kết quả cho thấy rằng cấu trúc vi mô chứ không phải là thành phần hóa học khác nhau của pha dẫn trong điện trở phim dày là nguyên nhân chính cho sự khác biệt về hệ số cảm biến.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

K. Hoffman, “An Introduction to Measurements Using Strain Gauges” (Hottinger Baldwin Messtechnik GmbH, Darmstadt, 1989).

N. White and A. Cranny, Hybrid Circuits 12 (1987) 32.

O. Abe and Y. Taketa, in Proc. 1988 Int. Symp. on Microelectronics ISHM-88, Seattle, 1988, 217.

M. Prudenziati, B. Morten, F. Cilloni and G. Ruffi, Sensors Actuators 19 (1989) 401.

A. Cattaneo, R. Dell, Acqua, G. Dell, Orto, L. Pirozzi and C. Canali, in Proc. 1980 Int. Symp. on Microelectronics ISHM-80, New York, 1980, p. 221.

A. G. Bishay, D. A. Abdelhady and A. M. Darwish, J. Mater. Sci.; Materials in Electronics 3(3) (1992) 195.

S. Satoh, Y. Takatsuji, F. Katoh and H. Hirata, in Proc. 1991 Int. Symp. on Microelectronics ISHM-91, Orlando, 1991, p. 148.

N. M. White and J. D. Turner, Meas. Sci. Technol. 8(1) (1997) 1.

C. Canali, D. Malavasi, B. Morten, M. Prudenziati and A. Taroni, J. Appl. Phys. 51(6) (1980) 3282.

M. Prudenziati and B. Morten, Hybrid Circuits 10(20) (1986) 37.

M. Hrovat, G. DraŽiČ, J. Holc and D. BelaviČ, J. Mater. Sci. Lett. 14(15) (1995) 1048.

M. Hrovat, D. BelaviČ, J. Holc and S. Šoba, ibid. 13 (1994) 992.

M. Hrovat, J. Holc, Z. SamardŽija and D. BelaviČ, in Proc. 22nd Int. Spring Seminar on Electronics Technology ISSE 99, edited by W. Sauer and K. J. Wolter (Freital-Dresden, 1999) p. 328.

M. Hrovat, Z. SamardŽija, J. Holc and D. Belavic, J. Mater. Sci.; Materials in Electronics 11(3) (2000) 199.

S. Chitale, C. Huang and M. Stein, Hybrid Circuits Technol. 6(5) (1989).

C. Song, D. V. Kerns, Jr., J. L. Davidson, W. Kang and S. Kerns, in IEEE Proc. SoutheastCon 91 Conf., Williamsburg, 1991, Vol. 2 p. 1106.

K. Adachi and H. Kuno, J. Amer. Ceram. Soc. 80(5) (1997) 1055.

R. J. Bouchard and L. J. Gillson, Mater. Res. Bull. 6(8) (1971) 669.

M. A. Subramanian, G. Aravamudan and G. V. S. Rao, Progress in Solid State Chem. 24 (1981) 55.

B. Morten, A. Masoero, M. Prudenziati and T. Manfredini, J. Phys. D: Appl. Phys. 27(10) (1994) 2227.

T. V. Nordstrom and C. R. Hills, in Proc. Int. Hybrid Microelectronics Symp. ISHM-79, Los Angeles, 1979, p. 40.

A. Kubovy, J. Phys. D: Appl. Phys. 19 (1986) 2127.