Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu Raman về trạng thái tinh thể trung gian trong các lớp SiGe vô định hình dưới ánh sáng laser liên tục: Ảnh hưởng của nhiệt độ
Tóm tắt
Một trạng thái tinh thể trung gian đã được quan sát thấy trong các lớp SiGe/Si vô định hình dưới ánh sáng của chùm laser liên tục (514.5 nm) với mật độ công suất dưới ngưỡng kết tinh. Sự quan sát trạng thái này phụ thuộc vào nhiệt độ và có thể đảo ngược. Các tính chất cấu trúc của quá trình kết tinh trung gian này đã được nghiên cứu bằng quang phổ Raman.
Từ khóa
#SiGe; trạng thái tinh thể trung gian; quang phổ Raman; nhiệt độ; laser liên tụcTài liệu tham khảo
R.B. Iverson, R. Reif; J.Appl. Phys. 62 (1987) 1675
J.F. Gibbons; Semiconductors and Semimetals (Academic Press, New York 1984) vol. 17
J.A. van Vechten, R. Tsu, F.W. Saris, D. Hoonhout; Phys.Lett. 74A (1979) 417
P.M. Fauchet; Scanning Electron Microsc. 2 (1986) 425
S. Roorda, W. C. Sinke; Appl. Surf. Sci. 36 (1989) 588
I. Abdulhadim, R. Beserman, R. Weil; Phys. Rev.B 39 (1989)
J. Solis, J. Siegel, C.N. Afonso, J. Jiménez, C. Garcia; J.Appl. Phys. 82 (1997)
J.E. Griffiths, G.P. Espinosa, J.P. Remeika, J.C. Phillips; Phys. Rev. B 25 (1982) 1272
J. Olivares, P. Martin, A. Rodriguez, J. Sangrador, J. Jiménez, T. Rodriguez; Thin Solid Fims 354 (1999) in the press
J. Olivares, P. Martin, A. Rodriguez, J. Sangrador, J. Jiminez, T. Rodriguez; MRS Fall Meeting (Boston 1999) Symp. E