Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mới về thiết bị phát hiện vị trí nhạy cảm mỏng dạng tuyến tính (LTFPSD) cho đo đạc 3D
Tóm tắt
Một thiết bị phát hiện vị trí nhạy cảm mỏng dạng tuyến tính (LTFPSD) dựa trên silicon amorphous hydro hóa (a-Si:H) được đề xuất lần đầu tiên, lợi dụng các tính chất quang học có sẵn của các thiết bị a-Si:H, chúng tôi đã phát triển một LTFPSD với 128 phần tử tích hợp có khả năng được sử dụng trong các kiểm tra/đo đạc 3D. Mỗi phần tử bao gồm một TFPSD một chiều, dựa trên diode p.i.n được sản xuất trong hệ thống PECVD thông thường, nơi các lớp pha tạp được phủ bằng các lớp điện trở mỏng để thiết lập các điện thế đồng đều yêu cầu của thiết bị. Bằng cách kết hợp thích hợp LTFPSD vào camera kiểm tra quang học, sẽ có thể thu thập thông tin về một đối tượng/bề mặt, thông qua phương pháp mặt cắt quang học. Những lợi ích chính của hệ thống này, khi so sánh với CCD thông thường, là độ phức tạp thấp của phần cứng và phần mềm sử dụng, và thông tin có thể được xử lý liên tục (phát hiện tương tự).
Từ khóa
#LTFPSD #silicon amorphous #đo đạc 3D #kiểm tra quang học #detector vị trí nhạy cảmTài liệu tham khảo
A. Kawasaki, M. Goto, H. Yashiro and H. Ozaki, Sensors & Actuators A21–A23, 529 (1990).
F. Soares and R. Martins (private communication).
E. Fortunato, M. Vieira, G. Lavareda, L. Ferreira and R. Martins, J. Non-Cryst. Solids 164–166, 797 (1993).
R. Martins and E. Fortunato, accepted for publication at J. Appl. Phys. (1995).
A. Kawasaki and M. Goto, Sensors & Actuators A21–A23, 534 (1990).