Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Kỹ Thuật Phân Tích Khối Đằng Sau Bằng Phổ Khối Ion Thứ Cấp Có Độ Phân Giải Cao Được Sử Dụng Để Nghiên Cứu Các Liên Kết Kim Loại/GaAs
Tóm tắt
Việc hiểu rõ về các liên kết kim loại/ bán dẫn là rất quan trọng cho việc chế tạo các cấu trúc thiết bị. Đến nay, hầu hết các nghiên cứu đều nhằm mục đích hiểu biết các tính chất kim loại học hoặc điện của chúng. Việc đo trực tiếp nồng độ tạp chất ngay dưới một liên kết thay vì suy luận từ các phép đo điện vẫn gặp khó khăn cho đến nay. Bài báo này mô tả một kỹ thuật SIMS khối đằng sau không chỉ cho thấy khả năng đo nồng độ doping gần một liên kết kim loại/bán dẫn mà còn có khả năng đo sự tiêu thụ vật liệu bán dẫn trong quá trình phản ứng kim loại/bán dẫn. Kỹ thuật chuẩn bị mẫu có thể được sử dụng để cho phép phân tích khối đằng sau bằng cách sử dụng các kỹ thuật phân tích khác như phân tích chiều sâu phổ Auger và phổ điện tử tia X, phân tán ngược Rutherford, và đánh giá điện khối đằng sau. Liên kết ohmic pha rắn Ge/Pd/GaAs được sử dụng để minh họa kỹ thuật này.
Từ khóa
#liên kết kim loại #bán dẫn #kỹ thuật SIMS #nồng độ doping #phân tích chiều sâuTài liệu tham khảo
C.J. Palmstrøm, and D.V. Morgan, in Gallium Arsenide: Materials, Devicies, and Circuits, edited by M.J. Howes and D.V. Morgan, (Wiley, New York, 1585), p. 195.
W.J. Devlin, C.E.C. Wood, R. Stall, and L.F. Eastman, Solid-State Electronics, 23, 823 (1980).
E.D. Marshall, C.S. Wu, D.M. Scott, S.S. Lau, and T.F. Kuech, Mat. Res. Symp. Proc, 25, 63 (1984).
E.D. Marshall, W.X. Chen, C.S. Wu, S.S. Lau, and T.F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 47, 298 (1985).
E.D. Marshall, B. Zhang, L.C. Wang, P.F. Jiao, W.X. Chen, T. Sawada, S.S. Lau, K.L. Kavanagh, and T.F. Kuech, J. Appl. Phys., 62, 942 (1987).
L.C. Wang, B. Zhang, F. Fang, E.D. Marshall, S.S. Lau, T. Sands, and T.F. Kuech, submitted to J. Mat. Sci. (1988).
J.R. Shappirio, R.T. Lareau, R.A. Lux, J.J. Finnegan, D.D. Smith, L.S. Heath, and M. Taysing-Lara, J. Vac. Sci. Technol. A5, 1503 (1987).
E. Yablonovitch, T. Gmitter, J.P. Harbison, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett., 51, 2222 (1987).
T. Sands , V.G. Keramidas, A.J. Yu, K-M. Yu, R. Gronsky, and J. Washburn, J. Mater. Res., 2, 262 (1987).