A Guideline for Achieving the Best Electrical Performance with Strategy of Halo in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

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Rajabi Saba Orouji Ali A Moghadam Hamid Amini Mahabadi S. E. Jamali Fathipour Morteza , “A novel power High Electron Mobility Transistor with partial stepped recess in the drain access region for performance improvement Signal Processing, Communication, Computing and Networking Technologies (ICSCCN),” International Conference on, 269 (2011).

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