Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Vai Trò Quyết Định Của Cấp Năng Si Và Ge Trong Quá Trình Hình Thành Lỗ Xốp Trong Quá Trình Khắc Điện Hóa Trong Dung Dịch Axit HF
Tóm tắt
Đã được chứng minh rằng sự khác biệt trong cấu trúc của các orbital điện tử của nguyên tử silicon và germanium là một yếu tố quyết định chịu trách nhiệm cho việc hình thành các lớp xốp trong quá trình khắc điện hóa của chúng trong dung dịch axit hydrofluoric.
Từ khóa
#silicon #germanium #điện hóa #lớp xốp #axit hydrofluoricTài liệu tham khảo
Handbook of Porous Silicon, Canham, L., Ed., Springer Int. Publ., 2014. https://doi.org/10.1007/978-3-319-05744-6
Lehman, V., Stengl, R., and Luigart, A., Mater. Sci. Eng. B, 2000, vol. 69–70, no. 11/12, pp. 11–22. https://doi.org/10.1016/S0921-5107(99)00286-X
Foll, H., Christophersen, M., Carstensen, J., and Hasse, G., Mater. Sci. Eng.: R, 2002, vol. 39, pp. 93–141. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00090-6
Abramova, E.N., Khort, A.M., Yakovenko, A.G., and Shvets V.I., Inorg. Mater., 2015, vol. 51, no. 8, pp. 815–822. https://doi.org/10.7868/S0002337X15080011
Abramova, E.N., Gvelesiani, A.A., Khort, A.M., and Yakovenko, A.G., Russ. J. Inorg. Chem., 2014, vol. 59, no. 11, pp. 1574–1578. https://doi.org/10.7868/S0044457X14110026
Abramova, E.N., Khort, A.M., Yakovenko, A.G., Prokhorov, D.I., and Shvets, V.I., Dokl. Chem., 2017, vol. 473, no. 4. pp. 67–69. https://doi.org/10.1134/S0012500817040012
Flamand, G., Poortmans, J., and Dessein, R., Phys. Stat. Solidi (c), 2005, no. 9, pp. 3243–3247. https://doi.org/10.1002/pssc.200461130
Stepanov, A.L., Vorob’ev, V.V., Nuzhdin, V.I., Valeev, V.F., and Osin, Yu.N., Pis’ma ZhTF, 2018, vol. 44, no. 8, pp. 84–92. https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.08.45971.16808
Akhmetov, N.S., Neorganicheskaya khimiya (Inorganic Chemistry), Moscow: Vysshaya Shkola, 1988.