Graphene‐β‐Ga2O3 Heterojunction for Highly Sensitive Deep UV Photodetector Application

Advanced Materials - Tập 28 Số 48 - Trang 10725-10731 - 2016
Weiyu Kong1, Guo‐An Wu1, Kui‐Yuan Wang1, Tengfei Zhang1, Yifeng Zou1, Dandan Wang1, Lin‐Bao Luo1
1School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009 P. R. China

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1038/nature08813

10.1002/adma.201301802

10.1002/smll.201203188

10.1002/adma.201002939

10.1002/adfm.201001140

10.1002/smll.201302705

10.1039/c0nr00702a

10.1039/c2jm33189f

10.1039/c4tb00379a

10.1021/jz500306f

10.1109/LPT.2011.2108276

10.1039/c2nr31428b

10.1021/acs.nanolett.5b00906

10.1007/s12274-014-0624-7

10.1016/j.nanoen.2015.03.023

Shiue R. J., 2015, Nano Lett., 3, 4723

10.1021/am4026505

10.1002/adma.200904383

10.1021/nl505011f

10.1021/nl303682j

Dufux T., 2010, Small, 6, 1867

10.1038/srep12345

10.1038/nmat1849

10.1038/nature04233

10.1002/adfm.200800951

10.1002/pssc.201200585

10.1021/nl070111x

10.1021/am404131r

Joshi N. V., 1990, Photoconductivity: Art, Science, and Technology

10.1002/1521-4095(20020116)14:2<158::AID-ADMA158>3.0.CO;2-W

10.1063/1.4947581

10.1088/0957-4484/27/9/095205

10.1021/acs.nanolett.5b00906

10.1039/C3TC31899K

10.1039/c0nr00702a

10.1109/JSEN.2013.2247996

Wei T. C., 2014, IEEE J. Sel. Top Quantum Electron, 20, 3802006

10.1039/c2nr31428b

10.1039/c3ta10203c