Incorporation effects in MOCVD-grown (In)GaAsN using different nitrogen precursors

Journal of Crystal Growth - Tập 243 - Trang 231-237 - 2002
A.J Ptak1, Sarah Kurtz1, C Curtis1, R Reedy1, J.M Olson1
1National Renewable Energy Laboratory, National Center for Photovoltaics, MS 3212, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401, USA

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Crystal Growth

Tập 243

231-237

Thông tin tác giả