Metodi misti di exponential fitting per le equazioni di continuita' della corrente

Milan Journal of Mathematics - Tập 59 - Trang 137-147 - 1989
Franco Brezzi1,2, Luisa Donatella Marini1, Paola Pietra1
1Istituto di Analisi Numerica del C.N.R., Pavia, Italy
2Dipartimento di Meccanica Strutturale,Università di Pavia, Italy

Tóm tắt

Si presenta un panorama di risultati ottenuti per il trattamento numerico delle equazioni di continuità della corrente nel modello di diffusionetrasporto per problemi di semiconduttori. In particolare si dettagliano due schemi di elementi finiti misti che, oltre alle già note proprietà degli schemi misti (conservazione della corrente e buona approssimazione di fronti ripidi) danno luogo aM-matrici, anche quando l'equazione presenta un termine di ordine zero.

Tài liệu tham khảo

Arnold D. N., Brezzi F., Mixed and non-conforming finite element methods: implementation, post-processing and error estimates.M 2 AN 19, 7–32, 1985. Bank R. E., Rose D. J., Fichtner W., Numerical methods for semiconductor device simulation,IEEE Trans. El. Dev.,30 (9), 1031–1041, 1983. Brezzi F., Marini L. D., Pietra P., Two-dimensional exponential fitting and applications to drift-diffusion models. SIAM J. Numer. Anal.,26, 1342–1355, 1989. Brezzi F., Marini L. D., Pietra P., Numerical simulation of semiconductor devices. Comput. Meths. Appl. Mech. and Engr.,75, 493–514, 1989. Burgler J. F., Bank R. E., Fichtner W., Kent Smith R., A New Discretization Scheme for the Semiconductor Current Continuity Equations. (In corso di stampa). Ciarlet P. G.,The Finite Element Method for Elliptic Problems, North-Holland, Amsterdam, 1978. Marini L. D., Pietra P., An Abstract theory for mixed approximations of second order elliptic problems. Matem. Aplic. e Comput.,8 (3), 219–239, 1989. Marini L. D., Pietra P., New mixed finite element schemes for current continuity equations. COMPEL,9 (4), 257–268, 1990. Markowich P. A.,The Stationary Semiconductor Device Equations. Springer, 1986. Markowich P. A., Zlamal M., Inverse-average-type finite element discretizations of selfadjoint second order elliptic problems.Math. of Comp.,51, 431–449, 1988. Miller J. J. H., Wang S., Wu C. H., A mixed finite element method for the stationary semiconductor continuity equations.Engineering Computations,5, 285–288, 1988. Mock M. S.,Analysis of Mathematical Models of Semiconductor Devices, Dublin, Boole Press, 1983. Mock M. S., Analysis of a discretisation algorithm for stationary continuity equations in semiconductor device models II.COMPEL 3, 137–149, 1984. Raviart P. A., Thomas J. M., A mixed finite element method for second order elliptic problems. InMathematical aspects of the finite element method. Lecture Notes in Math.606, 292–315, Springer, Berlin, 1977. Scharfetter D., Gummel H., Large-signal analysis of a silicon Read diode oscillator.IEEE Trans. El. Dev.,ED 16, 64–77, 1969. van Roosbroeck W. V., Theory of flow of electrons and holes in germanium and other semiconductors,Bell Syst. Tech. J.,29, 560–607, 1950.