Editors' Choice Communication—A (001) β-Ga2O3MOSFET with +2.9 V Threshold Voltage and HfO2Gate Dielectric

ECS Journal of Solid State Science and Technology - Tập 5 Số 9 - Trang P468-P470 - 2016
Marko J. Tadjer1, Nadeemullah A. Mahadik1, Virginia D. Wheeler1, E. R. Glaser1, Laura B. Ruppalt1, Andrew D. Koehler1, Karl D. Hobart1, Charles R. Eddy1, Fritz J. Kub1
1United States Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1063/1.3674287

10.1002/pssa.201330092

10.7567/APEX.8.015503

10.7567/APEX.7.095501

10.1143/APEX.5.035502

10.1063/1.4948944

10.1063/1.4943261

10.1109/LED.2015.2512279

10.1109/LED.2016.2568139

10.1063/1.4879800

10.1039/C6CP01987K

10.1021/nn901585p

10.1002/pssb.201552519

10.1063/1.4876920

Sze S. , Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed., pp. 371, Wiley, 1981.

10.1088/0268-1242/31/3/035023

10.7567/APEX.8.031101

10.1103/PhysRevB.68.155207

10.1007/s11664-016-4346-3

Thông tin
Thông tin xuất bản

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Tập 5 Số 9

P468-P470

Thông tin tác giả