Ge ion implantation in Si for the fabrication of Si/GexSi1-x heterojunction transistors

Materials Chemistry and Physics - Tập 46 - Trang 156-160 - 1996
S. Lombardo1, V. Raineri1, F. La Via1, F. Iacona1, S.U. Campisano1, A. Pinto2, P. Ward2
1CNR-IMETEM, Stradale Primosole 50, 1-95121 Catania, Italy
2SGS-Thomson Microelectronics, stradale Primosole, 50, 1-95121 Catania, Italy

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Materials Chemistry and Physics

Tập 46

156-160

Thông tin tác giả