Công bố khoa học
Công cụ trích dẫn
Công bố khoa học
Trích dẫn
Tạp chí khoa học
Cơ quan đơn vị
Quản lý tài khoản
Danh mục đã lưu
Đăng xuất
Thermal oxidation of Ge-implanted Si: Role of defects
Elsevier BV
- Tập 272
- Trang 334-337
- 2012
S.N. Dedyulin
1
,
L.V. Goncharova
1
1
Department of Physics and Astronomy, The University of Western Ontario, London, Ontario, Canada N6A 3K7
Đi đến bài gốc
Trích dẫn
Lưu lại
Báo lỗi
Tài liệu tham khảo
Thông tin
DOI
:
10.1016/j.nimb.2011.01.095
Thông tin xuất bản
Nhà xuất bản:
Elsevier BV
Tập/Số:
Tập 272
Trang:
334-337
Thông tin tác giả