Dose-dependent thermal oxidation of Ge+-implanted silicon

Elsevier BV - Tập 261 - Trang 620-623 - 2007
Khalid Hossain1, O.W. Holland1, F.U. Naab1, L.J. Mitchell1, P.R. Poudel1, J.L. Duggan1, F.D. McDaniel1
1Ion Beam Modification and Analysis Laboratory, Department of Physics, University of North Texas, P.O. Box 311427, Denton, TX 76203-1427, USA

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Elsevier BV

Tập 261

620-623

Thông tin tác giả