65 năm nghiên cứu ZnO - kết quả cũ và rất mới
Tóm tắt
Nghiên cứu về ZnO có một lịch sử dài nhưng đã trải qua sự hồi sinh vô cùng sôi nổi trong 10 năm qua. Chúng tôi thảo luận một cách phê phán trong bài tổng quan có tính giáo dục này về các kết quả cũ và mới, tập trung vào các đặc tính quang học nhưng cũng trình bày ngắn gọn một vài khía cạnh của các lĩnh vực khác như tính chất vận chuyển hoặc tính chất từ. Chúng tôi bắt đầu một cách tổng quát với các đặc điểm của mẫu khối, sau đó tiến hành đến các lớp epitaxial và nanorod, những cái có tính chất tương tự như mẫu khối về nhiều phương diện, và kết thúc trong một số trường hợp với dữ liệu về giếng lượng tử hoặc tinh thể nano. Vì đây là một bài tổng quan có tính giáo dục, chúng tôi trình bày rõ ràng những hiểu lầm thường gặp trong các bài báo được gửi hoặc xuất bản, với mục tiêu giúp các nhà khoa học trẻ gia nhập lĩnh vực này cải thiện chất lượng của các bản thảo gửi đi. Chúng tôi kết thúc với một phụ lục về các polaritons cavitons như chất xúc tác hai chiều và một chiều.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Landolt‐Börnstein, 1999, New Series, Group III, )
P. H.Miller Jr. in:Proc. Intern. Conf. on Semiconducting Materials Reading 1950 edited by H.K. Henisch (Butterworths Scientific Publications London 1951) p.172
Brown H. E., 1957, Zinc Oxide Rediscovered
Hirschwald W., 1981, Curr. Top. Mater. Sci., 7, 143
R.Helbig Freie und Gebundene Exzitonen in ZnO Habilitation Thesis Erlangen (1975).
K.Hümmer Exzitonische Polaritonen in einachsigen Kristallen Habilitation Thesis Erlangen (1978).
Klingshirn C., 2005, Adv. Solid State Phys., 45, 261
Jagadish C., 2006, Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures, )
Klingshirn C., 2010, ZnO: From Fundamentals towards Novel Applications
A.Waag in Ref. [16].
Scharowski E., 1953, Z. Physik, 135, 138
Tsukazaki A., 2007, Science, Appl. Phys. Express, 315, 1388
A.Hoffmann E.Malguth andB.Meyer in Ref. [16].
Mollwo E., 1944, Reichsber. Physik, 1, 1
Moss T. S., 1959, Optical Properties of Semiconductors
B. K.Meyer in [16] chapter 7.J.Sann PhD Thesis Giessen (2008).
Schirra M., 2007, J. Appl. Phys. B, 94, 4966
C.Klingshirn PhD Thesis Erlangen (1975).
P.Yuet al. Proceedings of 23th ICPS(World Scientific Singapore 1996) Vol. 2 p.1453
Proc. 14th Intern. Conf. on II‐VI Compounds Phys. Status Solidi C7 No. 6 (2010) and Phys. Status Solidi B247 No. 6 (2010) this issue. Abstracts online atwww.ioffe.ru/IV‐VI‐2009.
C.Klingshirn in Ref. [16] chapter 12.
Davies J. A., 2008, Laser Photonics Rev., 3, 85
E.Mollwo private communication (1970).
M.RichardandLe SiDang in Ref. [112] Su 2‐2.
B.Devaud‐Plédranet al. in Ref. [112] Mo 1‐1.
A. V.Kavokin in Ref. [112] Mo 1‐2.
ChenZanghaiet al. in Ref. [112] Fr 2‐1.
A.Trichetet al. in Ref. [112] Fr 2‐3.
Devaud B., 2007, The Physics of Semiconductor Microcavities, )
V.Savona in Ref. [138] p. 1.