3D IC for future HEP detectors

Journal of Instrumentation - Tập 9 Số 11 - Trang C11005-C11005
J. Thom1, R. Lipton2, Ulrich Heintz3, Marvin Johnson2, Meenakshi Narain3, Ryan P. Badman1, L. Spiegel2, M Triphati4, W. E. Cooper2, M. Kenyon5, S. I. Parker6, Z Ye2, D. P. Siddons7
1Cornell University, Ithaca, NY, USA
2Fermilab, Batavia IL, USA
3Brown University, Providence, RI, USA;
4UC Davis, Davis, CA, USA
5SLAC, Menlo Park, CA, USA
6University of Hawaii, Honolulu, HI, USA,
7BNL, Upton, NY, USA

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1109/TNS.2010.2042301

10.1109/TNS.2013.2294673

Q.-Y. Tong, 1998, The Electrochemical Society. ed. Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology

10.1063/1.111070

P. Enquist, 2009

10.1109/TNS.2010.2049659

R. Yarema ., 2013, JINST, 8, C01052, 10.1088/1748-0221/8/01/C01052

10.1016/j.nima.2006.05.012

10.1109/23.983250

R. Lipton ., 2012, JINST, 7, C12010, 10.1088/1748-0221/7/12/C12010

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Instrumentation

Tập 9 Số 11

C11005-C11005

Thông tin tác giả