Mô phỏng ngưng tụ 3-D trong phương tiện ghi thay đổi pha

Kỹ thuật ghi quang thay đổi pha đã phát triển rất nhanh trong vài năm qua. Các kỹ thuật ghi phức tạp hơn đang được nghiên cứu để áp dụng vào ghi thay đổi pha, bao gồm ghi nhiều mức và ghi nhiều lớp (H.D. Shieh et al, 2001; L. Shi et al, 2000; T. Akiyama et al, 2001). Chúng yêu cầu kiểm soát chính xác công suất laser và thời gian xung để đạt được hiệu suất đĩa tối ưu (ghi và xóa). Do đó, cần có sự hiểu biết tốt hơn về động học của quá trình kết tinh của vật liệu ghi. Đã có nhiều nỗ lực được dành cho việc mô phỏng quá trình kết tinh trong ghi quang thay đổi pha. Mansuripur et al (Applied Optics, vol. 39, no. 35, pp. 6695-6701) đã nghiên cứu các hiệu ứng nucleation nhất thời, Sheila et al (Proc. SPIE, vol. 4090, pp. 116-121) đã mô hình hóa sự dao động do bản chất thống kê của sự nucleation và tăng trưởng tinh thể. Cả hai mô phỏng của họ đều dựa trên mô hình kết tinh 2D. Tuy nhiên, để hiểu một số hiện tượng kết tinh, như ảnh hưởng của độ dày lớp ghi và ảnh hưởng của bề mặt lớp điện môi (nucleation không đồng nhất), chúng ta phải nghiên cứu kết tinh trong các lớp mỏng ở ba chiều. Trong bài báo này, chúng tôi thiết lập một mô hình isothermal để giải thích các ảnh hưởng của độ dày lớp ghi. Dựa trên mô hình isothermal, chúng tôi phát triển một phương pháp để mô phỏng quá trình kết tinh của vật liệu ghi thay đổi pha trong 3D.