Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Bộ khuếch đại quang không nhạy cảm với phân cực AlGaInAs/InP 1,55 μm với các giếng ứng suất kéo được phát triển bằng MOCVD
Tóm tắt
Bộ khuếch đại quang bán dẫn AlGaInAs/InP không nhạy cảm với phân cực được thực hiện tại bước sóng 1,55 μm. Lớp hoạt động bao gồm ba giếng căng kéo với độ căng 0,40%. Bộ khuếch đại được chế tạo theo cấu trúc hướng sóng rãnh. Kết quả thử nghiệm cho thấy bộ khuếch đại có độ không nhạy cảm với phân cực xuất sắc (dưới 0,8 dB). Độ lợi quang tại bước sóng 1540 nm là 20 dB ở dòng điện bias 200 mA.
Từ khóa
#Bộ khuếch đại quang #Không nhạy cảm với phân cực #AlGaInAs/InP #MOCVDTài liệu tham khảo
Koch, T.L. and U. Koren, IEEE J. Quantum Electron. 27 641, 1991.
Koonath, P., S. Kim, W.-J. Cho, et al. IEEE Photon. Technol. Lett. 13(8) 779, 2001.
Leclerc, D., P. Brosson, F. Pommereau, et al. IEEE Photon. Technol. Lett. 7 476, 1995.
Magari, K., M. Okamoto, Y. Suzuki, et al. IEEE J. Quantum Electron. 30(3) 695, 1994.
Newkirk, M.A., B.I. Miller, U. Koren, M.G. Young, M. Chien, R.M. Jopson and C.A. Burrus. IEEE Photon. Technol. Lett. 4 406, 1993.
Yamada, M., T. Anan, K. Tokutome and S.I. Sugou. IEEE Photon. Technol. Lett. 11 164, 1999.
Zah, C.E., R. Bhat, B.N. Pathak, et al. IEEE J. Quantum Electron. 30 511, 1994.