[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_y%E1%BA%BFu%20t%E1%BB%91%20di%20%C4%91%E1%BB%99ng{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_y%E1%BA%BFu%20t%E1%BB%91%20di%20%C4%91%E1%BB%99ng":11},{"code":4,"data":5,"meta":10},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":8,"vietnamLatest":9},[],[],[],[],null,{"code":4,"data":12,"meta":10},{"id":13,"title":14,"description":15,"content":16,"term":13,"englishTitle":17,"synonyms":18,"definition":22,"discipline":23,"references":24,"faqs":46,"createUser":56,"publishUser":60,"keywords":64,"keywordCount":73,"enrichTopicLink":74,"status":75,"createTime":76,"updateTime":77,"publishTime":78,"linkEnrichedTime":79,"publicationScanTime":10,"contentErrorMessage":10,"viewCount":80,"wikidataId":10,"relateTopics":81},"yếu tố di động","Yếu tố di động là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","Yếu tố di động là đại lượng vật lý dùng để đo khả năng di chuyển của các hạt mang điện trong vật liệu bán dẫn, xác định bằng tỉ số giữa vận tốc trôi trung bình của hạt và cường độ điện trường. Giá trị yếu tố di động phản ánh hiệu năng dẫn điện của vật liệu, phụ thuộc vào tán xạ phonon, tạp chất và khuyết tật mạng tinh thể, ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất và tiêu thụ năng lượng của thiết bị bán dẫn.","\u003Cp>Yếu tố di động (mobility factor) là đại lượng vật lý quan trọng dùng để đánh giá khả năng di chuyển của các hạt mang điện—chủ yếu là electron và lỗ trống—khi đặt trong một cường độ điện trường nhất định. Về mặt định nghĩa, yếu tố di động μ được xác định là tỷ số giữa vận tốc trôi trung bình của hạt \u003Cem>v\u003Csub>d\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> và cường độ điện trường \u003Cem>E\u003C\u002Fem>, cho bởi:\u003C\u002Fp>\n\n\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">μ = \\dfrac{v_d}{E}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Đơn vị của μ thường là cm²·V⁻¹·s⁻¹ hoặc m²·V⁻¹·s⁻¹, tùy theo hệ đo lường. Giá trị yếu tố di động cao biểu thị cho quá trình dẫn điện hiệu quả hơn, tức là các hạt mang điện dễ dàng di chuyển trong vật liệu dưới một điện trường nhỏ.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nguyên lý vật lý\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Về cơ bản, một hạt mang điện trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ch%E1%BA%A5t%20b%C3%A1n%20d%E1%BA%ABn%22%7D}} chịu hai lực chính: lực điện \u003Cem>F\u003Csub>E\u003C\u002Fsub> = qE\u003C\u002Fem> kéo hạt về phía ngược dấu, và lực cản do va chạm với mạng tinh thể, tạp chất hoặc dao động lattice.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong mô hình Drude đơn giản, lực cản được mô tả bằng hệ số ma sát γ, khi đó phương trình chuyển động ghi:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">m \\dfrac{dv_d}{dt} = qE - mγ v_d,\u003C\u002Fscript> trong đó \u003Cem>m\u003C\u002Fem> là khối lượng thực của hạt.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Khi đạt trạng thái ổn định (\u003Cem>dv\u003Csub>d\u003C\u002Fsub>\u002Fdt = 0\u003C\u002Fem>), ta có \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">v_d = \\dfrac{qE}{mγ}\u003C\u002Fscript>, từ đó suy ra \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">μ = \\dfrac{q}{mγ}\u003C\u002Fscript>.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Hệ số tán xạ γ phản ánh tần suất va chạm trung bình (nghịch đảo thời gian tự do giữa các va chạm).\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Thực tế, γ phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ do tán xạ {{topic|%7B%22topic%22%3A%22phonon%22%7D}} và vào nồng độ tạp chất do tán xạ ion. Các cơ chế tán xạ chính bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Col>\n  \u003Cli>Tán xạ phonon (động lực học mạng tinh thể).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tán xạ tạp chất ion hóa.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tán xạ tại biên hạt và khuyết tật cấu trúc.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\n\n\u003Ch2>Ý nghĩa trong thiết bị bán dẫn\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong công nghệ bán dẫn, đặc biệt là {{topic|%7B%22topic%22%3A%22transistor%22%7D}} MOSFET, yếu tố di động quyết định điện trở kênh và tốc độ đóng\u002Fmở của thiết bị. Khi μ cao, tại cùng chiều rộng kênh và điện áp cổng, dòng Id tăng lên, giúp tăng hiệu suất và độ tuyến tính của mạch.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Bảng dưới đây so sánh giá trị di động điển hình của electron và {{topic|%7B%22topic%22%3A%22l%E1%BB%97%20tr%E1%BB%91ng%22%7D}} trong một số vật liệu bán dẫn phổ biến:\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\n      \u003Cth>Vật liệu\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Electron μ (cm²·V⁻¹·s⁻¹)\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Lỗ trống μ (cm²·V⁻¹·s⁻¹)\u003C\u002Fth>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Silicon (Si)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>1400\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>450\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Gallium Arsenide (GaAs)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>8500\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>400\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Silicon Carbide (4H-SiC)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>900\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>120\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Nhờ yếu tố di động cao, các công nghệ nền GaAs thường được ứng dụng trong vi xử lý tín hiệu tốc độ cao, trong khi SiC được ưa chuộng cho ứng dụng công suất cao do khả năng chịu điện áp và nhiệt độ cao.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ảnh hưởng tới hiệu suất và tiêu thụ năng lượng\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Yếu tố di động ảnh hưởng trực tiếp đến điện trở kênh R\u003Csub>ch\u003C\u002Fsub> của thiết bị bán dẫn, theo mối liên hệ: \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">R_{ch} \\propto \\dfrac{1}{μ}\u003C\u002Fscript>. Khi μ tăng, R\u003Csub>ch\u003C\u002Fsub> giảm, dẫn đến:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Dòng rò kênh thấp hơn ở điện áp ngưỡng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Đối với ứng dụng tần số cao, yếu tố di động còn quyết định hệ số cắt f\u003Csub>T\u003C\u002Fsub> của transistor:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">f_T = \\dfrac{μ V_{GS}}{2\\pi L^2}\u003C\u002Fscript>, trong đó \u003Cem>L\u003C\u002Fem> là độ dài kênh.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Kết quả là, thiết bị với μ lớn hơn có thể hoạt động ở tần số cao hơn, giảm độ trễ tín hiệu và tiêu thụ năng lượng thấp hơn do đóng\u002Fmở nhanh chóng, phù hợp cho cả vi xử lý di động lẫn thiết bị IoT tiết kiệm năng lượng.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Phương pháp đo yếu tố di động\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phương pháp Hall là kỹ thuật truyền thống và chính xác nhất để đo yếu tố di động trong vật liệu bán dẫn. Dưới từ trường vuông góc với mặt mẫu, điện áp Hall \u003Cem>V\u003Csub>H\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> được đo trên hai cạnh, cho phép xác định mật độ hạt \u003Cem>n\u003C\u002Fem> và yếu tố di động bằng:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">μ = \\dfrac{V_H t}{I B}\u003C\u002Fscript>, trong đó \u003Cem>t\u003C\u002Fem> là độ dày mẫu, \u003Cem>I\u003C\u002Fem> dòng điện qua mẫu và \u003Cem>B\u003C\u002Fem> cường độ từ trường.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Ưu điểm: độ chính xác cao, tách riêng μ và \u003Cem>n\u003C\u002Fem>.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Nhược điểm: yêu cầu mẫu đồng nhất, phức tạp trong thiết lập thí nghiệm.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Kỹ thuật phân tích I–V trong cấu trúc MOSFET tuyến tính đơn giản hơn: đo dòng Id dưới điện áp nhỏ \u003Cem>V\u003Csub>DS\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> với \u003Cem>V\u003Csub>GS\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> cố định. Ta có:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">I_D = μ C_{ox} \\dfrac{W}{L} (V_{GS} - V_{th}) V_{DS},\u003C\u002Fscript> từ đó suy ngược μ khi biết các thông số C\u003Csub>ox\u003C\u002Fsub>, W, L, V\u003Csub>th\u003C\u002Fsub>.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Cuối cùng, phương pháp Time-of-Flight (ToF) dành cho vật liệu vô cơ và hữu cơ, theo dõi thời gian truyền một xung ánh sáng kích tạo hạt mang qua một khoảng cách cố định. Yếu tố di động tính bằng:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">μ = \\dfrac{d}{E t_{transit}}\u003C\u002Fscript>, trong đó \u003Cem>d\u003C\u002Fem> là độ dài kênh và \u003Cem>t\u003Csub>transit\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> thời gian bay.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Các yếu tố ảnh hưởng\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Nhiệt độ là yếu tố hàng đầu ảnh hưởng đến yếu tố di động. Khi nhiệt độ tăng, tán xạ phonon mạnh hơn dẫn đến giảm thời gian tự do giữa các va chạm. Đối với silicon, μ ~ T\u003Csup>−2.5\u003C\u002Fsup> ở dải nhiệt độ phòng đến cao (300–500 K).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Tạp chất ion hóa cũng làm giảm μ qua tán xạ Coulomb. Độ giảm phụ thuộc vào nồng độ tạp chất N\u003Csub>D\u003C\u002Fsub> hoặc N\u003Csub>A\u003C\u002Fsub>, theo gần đúng:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">μ_{imp} \\propto N_{imp}^{-α}\u003C\u002Fscript>, với α ≈ 1\u002F2 đến 1.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\n      \u003Cth>Yếu tố\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Ảnh hưởng chính\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Phương thức tán xạ\u003C\u002Fth>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Nhiệt độ\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>μ giảm khi T tăng\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Phonon\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Tạp chất\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>μ giảm khi N\u003Csub>imp\u003C\u002Fsub> tăng\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Ionic\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Cấu trúc vật liệu\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Biên hạt làm tăng tán xạ\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Khuyết tật, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ranh%20gi%E1%BB%9Bi%20h%E1%BA%A1t%22%7D}}\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Cấu trúc vật liệu và kỹ thuật chế tạo (MBE, CVD, ép đùn) quyết định kích thước hạt, mật độ khuyết tật và sự phân bố tạp chất, từ đó gián tiếp ảnh hưởng đến μ.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng thực tiễn\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong vi mạch CMOS, di động cao giúp giảm kích thước kênh mà vẫn giữ được dòng Id mong muốn ở điện áp thấp, giảm tiêu thụ năng lượng và nhiệt phát sinh. Đây là lý do các nút công nghệ ngày càng tiến về 3 nm, 2 nm và xa hơn.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Vi xử lý di động: tối ưu tốc độ xung nhịp và tiết kiệm pin.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Thiết bị IoT: hoạt động với nguồn năng lượng giới hạn.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Thiết bị RF và viễn thông: GaAs, InP tận dụng μ cao cho tần số GHz–THz.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Trong quang – điện, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22pin%20m%E1%BA%B7t%20tr%E1%BB%9Di%22%7D}} dùng silicon tinh khiết hoặc đa tinh thể; tối ưu hóa yếu tố di động cho phép giảm kích thước tế bào và chi phí sản xuất mà vẫn duy trì hiệu suất chuyển đổi trên 20 %.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Các cảm biến hóa học hoặc sinh học dựa trên transistor màng mỏng (TFT) thường sử dụng {{topic|%7B%22topic%22%3A%22v%E1%BA%ADt%20li%E1%BB%87u%20h%E1%BB%AFu%20c%C6%A1%22%7D}} hoặc oxide; μ càng cao thì độ nhạy và tốc độ phản hồi càng tốt.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Mô hình toán học và mô phỏng\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Mô hình Drude, mặc dù đơn giản, vẫn là bước đầu để liên hệ các tham số vi mô (m, γ, q) với μ. Độ dẫn điện σ trong khung Drude được mô tả:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">σ = n q μ = \\dfrac{n q^2}{m γ}.\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Để mô phỏng chi tiết, kỹ thuật Monte Carlo giải quyết phương trình Boltzmann cho phân bố động hạt mang dưới tác dụng đồng thời của điện trường và các cơ chế tán xạ khác nhau. Phần mềm TCAD (ví dụ Sentaurus, Silvaco) tích hợp các mô-đun này để mô phỏng transistor cấp độ thiết bị.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Phân tích phổ tán xạ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Dự báo hiệu năng với các nốt công nghệ mới.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tối ưu hóa cấu trúc kênh, bề mặt giao diện oxit– bán dẫn.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Hướng nghiên cứu tương lai\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Vật liệu hai chiều như {{topic|%7B%22topic%22%3A%22graphene%22%7D}}, MoS₂, WS₂ tiếp tục thu hút nhờ μ điện tử lý thuyết lên đến >200 000 cm²·V⁻¹·s⁻¹ (graphene) và >100 cm²·V⁻¹·s⁻¹ (MoS₂) ở nhiệt độ phòng. Thách thức là tích hợp vào quy trình CMOS chuẩn.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Các màng mỏng vô định hình và polymer bán dẫn (ví dụ P3HT, PTAA) cũng được cải tiến để di động lỗ trống đạt >1 cm²·V⁻¹·s⁻¹, mở ra ứng dụng cho OLED và printable electronics.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Các kỹ thuật đo mới như micro-Hall probes, Kelvin probe force microscopy (KPFM) và pump–probe thời gian thực giúp khảo sát μ ở quy mô nano-mét và nano-giây, hỗ trợ hiểu rõ cơ chế tán xạ và truyền dẫn hạt mang.\u003C\u002Fp>","mobile genetic element",[19,20,21],"yếu tố di truyền vận động","transposon","MGE","Yếu tố di động (Mobile Genetic Element - MGE) là các trình tự DNA có khả năng tự di chuyển, sao chép hoặc chèn vào các vị trí khác nhau trong cùng một hệ gen hoặc giữa các hệ gen của các sinh vật khác nhau.","NATURAL_SCIENCES",[25,32,39],{"citationText":26,"title":27,"authors":28,"source":29,"year":30,"doi":31,"url":10},"Tata, J. R. (2005). One hundred years of hormones. The EMBO Reports.","One hundred years of hormones","Tata","The EMBO Reports",2005,"10.1038\u002Fsj.embor.7400444",{"citationText":33,"title":34,"authors":35,"source":36,"year":37,"doi":38,"url":10},"Lee, N. K., Sowa, H. (2007). Endocrine Regulation of Energy Metabolism by the Skeleton. Cell.","Endocrine Regulation of Energy Metabolism by the Skeleton","Lee, Sowa","Cell",2007,"10.1016\u002Fj.cell.2007.05.047",{"citationText":40,"title":41,"authors":42,"source":43,"year":44,"doi":45,"url":10},"Chen, T., Ezhkova, E., Ostankovitch, M. (2016). Molecular Mechanisms Regulating Stem Cells Fate. Journal of Molecular Biology.","Molecular Mechanisms Regulating Stem Cells Fate","Chen, Ezhkova, Ostankovitch","Journal of Molecular Biology",2016,"10.1016\u002Fj.jmb.2016.03.011",[47,50,53],{"question":48,"answer":49},"Các loại yếu tố di động chính trong hệ gen gồm những gì?","Gồm hai lớp chính: Lớp I là Retrotransposon (di chuyển qua chất trung gian RNA bằng cơ chế sao chép - dán, như LINEs, SINEs, LTR) và Lớp II là DNA transposon (di chuyển trực tiếp qua cơ chế cắt - dán nhờ enzyme transposase), cùng plasmid và thực khuẩn thể.",{"question":51,"answer":52},"Yếu tố di động có vai trò gì trong quá trình tiến hóa?","Yếu tố di động tạo ra sự biến dị di truyền phong phú, tái cấu trúc hệ gen, cung cấp các đoạn trình tự điều hòa mới cho gene lân cận (exaptation) và thúc đẩy sự hình thành các loài mới.",{"question":54,"answer":55},"Mối liên hệ giữa yếu tố di động và sự kháng thuốc kháng sinh ở vi khuẩn là gì?","Các yếu tố di động như integron, plasmid liên hợp và transposon mang các gene kháng kháng sinh và dễ dàng chuyển giao ngang (Horizontal Gene Transfer) giữa các loài vi khuẩn khác nhau, tạo ra các chủng vi khuẩn siêu kháng thuốc.",{"id":57,"researcherId":10,"name":58,"imageUrl":59},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",{"id":61,"researcherId":10,"name":62,"imageUrl":63},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",[65,66,67,68,69,70,71,72],"chất bán dẫn","phonon","transistor","lỗ trống","ranh giới hạt","pin mặt trời","vật liệu hữu cơ","graphene",8,false,"PUBLISHED","2025-06-19T08:17:09.178+00:00","2026-08-31T08:44:34.484+00:00","2025-06-29T06:25:07.713+00:00","2026-08-31T08:44:33.815+00:00",232,[82,85,88,91,94,97,99,102,111,114],{"id":83,"title":84,"term":83,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"vật liệu nano","Vật liệu nano là gì? Các công bố khoa học về Vật liệu nano",{"id":86,"title":87,"term":86,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"áp suất thấp","Áp suất thấp là gì? Các nghiên cứu khoa học về Áp suất thấp",{"id":89,"title":90,"term":89,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"visible light","Visible light là gì? Các công bố khoa học về Visible light",{"id":92,"title":93,"term":92,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"polypyrrole","Polypyrrole là gì? Các nghiên cứu khoa học về Polypyrrole",{"id":95,"title":96,"term":95,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"acetonitrile ch3cn","Acetonitrile CH₃CN là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":66,"title":98,"term":66,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"Phonon là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học về Phonon",{"id":100,"title":101,"term":100,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"exciton","Exciton là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học về Exciton",{"id":71,"title":103,"term":104,"englishTitle":105,"definition":106,"discipline":23,"disciplineCode":107,"disciplineLabel":108,"disciplineColor":109,"disciplineIcon":110},"Vật liệu hữu cơ là gì? Phân loại, đặc tính và điện tử hữu cơ","Vật liệu hữu cơ","organic materials","Vật liệu hữu cơ (organic materials) là nhóm vật liệu có thành phần cấu tạo chủ yếu từ các hợp chất chứa carbon liên kết với hydro, oxy, nitơ và các nguyên tố phi kim khác, bao gồm cả các polymer tự nhiên sinh học và polymer tổng hợp nhân tạo.","natural-sciences","Khoa học tự nhiên","#0E9F9C","atom",{"id":112,"title":113,"term":112,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"quy trình cmos","Quy trình cmos là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":115,"title":116,"term":115,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"mxene","Mxene là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan"]