[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_t%C3%A1n%20x%E1%BA%A1%20electron{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_t%C3%A1n%20x%E1%BA%A1%20electron":11},{"code":4,"data":5,"meta":10},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":8,"vietnamLatest":9},[],[],[],[],null,{"code":4,"data":12,"meta":10},{"id":13,"title":14,"description":15,"content":16,"term":13,"englishTitle":10,"synonyms":10,"definition":10,"discipline":10,"references":10,"faqs":10,"createUser":17,"publishUser":21,"keywords":25,"keywordCount":26,"enrichTopicLink":27,"status":28,"createTime":29,"updateTime":30,"publishTime":31,"linkEnrichedTime":10,"publicationScanTime":10,"contentErrorMessage":10,"viewCount":32,"wikidataId":10,"relateTopics":33},"tán xạ electron","Tán xạ electron là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","Tán xạ electron là quá trình tương tác giữa electron năng lượng cao và hạt nhân hoặc electron liên kết trong vật liệu, làm thay đổi hướng truyền động và\u002Fhoặc năng lượng electron. Hiện tượng này bao gồm tán xạ đàn hồi và tán xạ không đàn hồi, đóng vai trò then chốt trong phân tích cấu trúc tinh thể, nhiễu xạ điện tử và ứng dụng kính hiển vi điện tử. ","\u003Cdiv>\u003Ch2>Khái niệm tán xạ electron\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Tán xạ electron là quá trình tương tác giữa các electron và các hạt mục tiêu trong vật liệu (hạt nhân nguyên tử, electron liên kết hoặc electron tự do), dẫn đến thay đổi hướng truyền động và\u002Fhoặc năng lượng của electron. Quá trình này bao gồm hai thành phần chính: va chạm đàn hồi (elastic scattering) và va chạm không đàn hồi (inelastic scattering). Trong va chạm đàn hồi, electron chỉ đổi hướng mà không mất năng lượng; trong va chạm không đàn hồi, electron truyền một phần năng lượng cho hệ mục tiêu, gây kích thích nguyên tử, tán xạ plasmon hoặc ion hóa.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Cơ chế tương tác được mô tả chi tiết bởi lý thuyết lượng tử và điện động lực học lượng tử (QED), trong đó xác suất tán xạ phụ thuộc vào tiết diện tán xạ (scattering cross section) và phân bố góc. Ứng dụng quan trọng của tán xạ electron nằm ở phân tích cấu trúc tinh thể (electron diffraction), chẩn đoán y sinh (electron microscopy) và nghiên cứu cơ bản về tương tác hạt.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Thông tin kỹ thuật và tiêu chuẩn về tia electron có thể tham khảo tại \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.nist.gov\u002Fpml\u002Felectron-beam-standards\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">NIST Electron Beam Standards\u003C\u002Fa>.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Cơ chế vật lý của tán xạ\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong tán xạ đàn hồi, electron va chạm với điện trường Coulomb của hạt nhân hoặc điện trường của các electron liên kết, chỉ thay đổi hướng truyền động mà không mất năng lượng động học. Mô hình tương tác này thường được mô tả bởi tiệm cận Rutherford cho tán xạ Coulomb, với tiết diện góc phụ thuộc vào góc tán θ theo công thức:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">d\\sigma_{\\text{elastic}}\u002Fd\\Omega \\sim \\frac{Z^2 e^4}{16\\pi^2 \\epsilon_0^2 E^2 \\sin^4(\\theta\u002F2)}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Tán xạ không đàn hồi xảy ra khi electron truyền năng lượng đủ để kích thích nguyên tử, tạo ra plasmon hoặc ion hóa electron liên kết. Tiết diện không đàn hồi phụ thuộc vào hàm mất mát năng lượng (energy loss function) và thường được mô tả qua phổ mất mát năng lượng electron (EELS). Đặc trưng của cơ chế này bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Tán xạ plasmon: mất năng lượng xấp xỉ plasmon cộng hưởng trong vật liệu.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Ion hóa nguyên tử: electron mục tiêu bị bứt ra khỏi quỹ đạo liên kết.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Phân tán phonon và kích thích rung động mạng tinh thể ở năng lượng thấp.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Định luật tán xạ Rutherford\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Định luật Rutherford áp dụng cho tán xạ đàn hồi của electron năng lượng thấp (E ≪ mc²) khi tương tác với hạt nhân có điện tích Ze. Tiết diện phân biệt theo góc tán θ được biểu diễn bằng công thức:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\\frac{d\\sigma}{d\\Omega} = \\left(\\frac{Z e^2}{16\\pi \\epsilon_0 E}\\right)^2 \\frac{1}{\\sin^4(\\theta\u002F2)}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong đó σ là tiết diện, E là năng lượng động học của electron, Z là điện tích hạt nhân, ε₀ là hằng số điện môi của chân không. Định luật này chỉ đúng khi electron xem hạt nhân như điểm điện tích, không xét hiệu ứng che chắn của electron liên kết hoặc hiệu ứng lượng tử ở năng lượng cao.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\">\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\n    \u003Cth>Tham số\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>Ý nghĩa\u003C\u002Fth>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Z\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Số proton hạt nhân\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>E\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Năng lượng động học electron\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>θ\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Góc tán electron\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Giới hạn áp dụng của định luật Rutherford bắt đầu bị sai lệch khi năng lượng electron cao đến mức hiệu ứng tương đối tính và tia X tán xạ (bremsstrahlung) trở nên quan trọng.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phân loại tán xạ\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Căn cứ vào cơ chế tương tác và kết quả thu được, tán xạ electron thường được phân thành các loại chính:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Rayleigh (tán xạ quán tính):\u003C\u002Fstrong> electron tương tác với toàn nguyên tử, xảy ra ở năng lượng thấp, không mất năng lượng đáng kể và cho thông tin về mật độ electron.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Bragg (tán xạ nhiễu xạ điện tử):\u003C\u002Fstrong> ứng dụng trong electron diffraction để xác định cấu trúc tinh thể, góc tán thỏa mãn điều kiện Bragg \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">2d\\sin\\theta = n\\lambda\u003C\u002Fscript>.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Compton điện tử:\u003C\u002Fstrong> electron va chạm photon trước, thay đổi năng lượng và góc của photon, sau đó photon tương tác với electron khác.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Phân loại này hỗ trợ lựa chọn kỹ thuật phân tích phù hợp, ví dụ sử dụng TEM\u002FED cho tán xạ Bragg, SEM\u002FBSE cho tán xạ ngược (backscattered electrons) và EELS cho tán xạ không đàn hồi.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Đo lường và kỹ thuật thực nghiệm\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Electron Diffraction (ED) trong Transmission Electron Microscopy (TEM) cho phép quan sát mẫu mỏng ở độ phân giải nguyên tử, xác định cấu trúc tinh thể và khoảng cách mạng tinh thể. Chùm electron đi qua mẫu mỏng, bị tán xạ theo các mặt mạng và cho ra hoa văn nhiễu xạ đặc trưng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Scanning Electron Microscopy (SEM) kết hợp Backscattered Electron (BSE) và Secondary Electron (SE) thu nhận tín hiệu tán xạ ngược và electron thứ cấp, cho hình ảnh bề mặt mẫu với độ phân giải cao. Phương pháp này thường dùng để khảo sát hình thái bề mặt và thành phần nguyên tố sơ cấp.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>ED\u002FTEM: thông tin cấu trúc mạng tinh thể, bước mạng và sai lệch mạng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>SEM\u002FBSE: đối chiếu tương phản Z (atomic number contrast) để phân biệt pha và cường độ tán xạ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS): phân tích mất mát năng lượng cho biết thành phần hóa học và trạng thái hóa trị.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Hướng dẫn chi tiết về thiết lập và hiệu chỉnh TEM\u002FSEM có thể tham khảo tại \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.iaea.org\u002Ftopics\u002Felectron-microscopy\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">IAEA Electron Microscopy\u003C\u002Fa>.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Tiết diện tán xạ và hàm phân bố\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Tiết diện toàn phần σ biểu diễn tổng xác suất tán xạ ở mọi góc, trong khi tiết diện phân biệt dσ\u002FdΩ mô tả xác suất tán xạ vào một góc cụ thể. Các dữ kiện này thường được xây dựng thành cơ sở dữ liệu cho mô phỏng Monte Carlo.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hàm phân bố góc tán f(θ) được sử dụng để mô phỏng phân bố xác suất tán xạ, tích phân f(θ) trên toàn không gian cho ra 1 khi chuẩn hóa. Công thức tổng quát:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">σ = \\int_{4\\pi} \\frac{dσ}{dΩ} dΩ, \\quad \\int_{0}^{\\pi} f(\\theta)\\sin\\theta\\,d\\theta = 1\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\">\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\n    \u003Cth>Đại lượng\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>Ký hiệu\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>Đơn vị\u003C\u002Fth>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Tiết diện toàn phần\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>σ\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>m²\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Tiết diện phân biệt\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>dσ\u002FdΩ\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>m²\u002Fsr\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Hàm phân bố góc\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>f(θ)\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>sr⁻¹\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Cơ sở dữ liệu tiết diện và hàm phân bố có thể tra cứu tại \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fphysics.nist.gov\u002FPhysRefData\u002FFFast\u002Fhtml\u002Fform.html\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">NIST Scattering Form Factors\u003C\u002Fa>.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong khoa học vật liệu và y sinh\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Tán xạ electron cho phép phân tích cấu trúc nano, độ dày màng mỏng và thành phần nguyên tố trong vật liệu. Với EELS, nhà nghiên cứu định lượng được tỉ lệ phần trăm nguyên tố và trạng thái hóa trị thông qua phổ mất mát năng lượng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong y sinh, cryo-TEM sử dụng tán xạ electron để khảo sát cấu trúc phân tử sinh học còn nguyên trạng ở nhiệt độ thấp, quan trọng trong nghiên cứu protein, virus và liposome. Hình ảnh thu được phản ánh được cấu trúc tinh thể chưa tinh chế và cấu hình ba chiều.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Phân tích hợp kim và chất bán dẫn: phát hiện khuyết tật mạng và chát ôxy hóa.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Y sinh: khảo sát virus, phức hợp protein ở độ phân giải nguyên tử.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Ngành bán dẫn: kiểm tra sai lệch mạng trên wafer và độ dày lớp mỏng.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Mô phỏng và lý thuyết nâng cao\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phương pháp Monte Carlo mô phỏng hàng triệu va chạm electron–vật liệu dựa trên tiết diện và hàm phân bố, cho phép tính toán độ xuyên sâu, phổ năng lượng truyền qua và nhận lại phân bố tán xạ.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Phương trình Dirac–Pauli mở rộng lý thuyết tán xạ để xét hiệu ứng spin–quỹ đạo, quan trọng khi electron tương tác với các hạt nhân nặng có điện tích cao. Các phần mềm phổ biến bao gồm Geant4, CASINO và PENEPMA.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ảnh hưởng đa tán xạ và hiệu ứng cộng hưởng\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong vật liệu dày hoặc mẫu có nhiều pha, electron trải qua đa tán xạ liên tiếp dẫn đến nhiễu xạ nhiều lần, làm giảm độ phân giải không gian và gây mờ ảnh trong TEM\u002FSEM. Để khắc phục, người ta giới hạn độ dày mẫu hoặc sử dụng thuật toán xử lý tín hiệu.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hiệu ứng cộng hưởng plasmon tạo đỉnh đặc trưng trong Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS), cho phép xác định năng lượng cộng hưởng plasmon và mật độ electron tự do trong vật liệu kim loại và bán dẫn.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Tài liệu tham khảo\u003C\u002Fh2>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.nist.gov\u002Fpml\u002Felectron-beam-standards\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">NIST Electron Beam Standards\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.iaea.org\u002Ftopics\u002Felectron-microscopy\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">IAEA: Electron Microscopy\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fphysics.nist.gov\u002FPhysRefData\u002FFFast\u002Fhtml\u002Fform.html\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">NIST: Scattering Form Factors & Data\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fgeant4.web.cern.ch\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">Geant4 Simulation Toolkit\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fjournals.aps.org\u002Fpr\u002Fabstract\u002F10.1103\u002FPhysRev.109.183\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">APS Phys. Rev. 109, 183 (1958)\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003C\u002Fdiv>",{"id":18,"researcherId":10,"name":19,"imageUrl":20},2889,"Lê Xuân Niên","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLuyWIkhyP2W5E59cKwN7ciI2nbjMGUpXO9rVQquC826ujzkqhU=s96-c",{"id":22,"researcherId":10,"name":23,"imageUrl":24},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",[13],1,false,"PUBLISHED","2025-11-24T15:38:09.931+00:00","2025-11-26T02:29:41.409+00:00","2025-11-26T02:29:41.404+00:00",121,[34,45,51,57,67,72,77,82,92,97],{"id":35,"title":36,"term":37,"englishTitle":38,"definition":39,"discipline":40,"disciplineCode":41,"disciplineLabel":42,"disciplineColor":43,"disciplineIcon":44},"ma trận s","Ma trận s là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan","Ma trận S","S-matrix \u002F Scattering matrix","Ma trận S (ma trận tán xạ) là toán tử unita trong cơ học lượng tử và lý thuyết trường lượng tử liên hệ các trạng thái tiệm cận của các hạt tự do trước khi va chạm với các trạng thái phân rã sau va chạm, xác định biên độ xác suất cho mọi quá trình tán xạ vi mô.","NATURAL_SCIENCES","natural-sciences","Khoa học tự nhiên","#0E9F9C","atom",{"id":46,"title":47,"term":48,"englishTitle":49,"definition":50,"discipline":40,"disciplineCode":41,"disciplineLabel":42,"disciplineColor":43,"disciplineIcon":44},"cấu trúc hạt","Cấu trúc hạt là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","Cấu trúc hạt","Grain structure \u002F Microstructural grain","Cấu trúc hạt là sự sắp xếp hình học và kích thước của các tinh thể đơn lẻ (các hạt tinh thể) có hướng mạng tinh thể khác nhau, ngăn cách bởi các ranh giới hạt bên trong một vật liệu đa tinh thể như kim loại và gốm.",{"id":52,"title":53,"term":54,"englishTitle":55,"definition":56,"discipline":40,"disciplineCode":41,"disciplineLabel":42,"disciplineColor":43,"disciplineIcon":44},"đối xứng lie","Đối xứng Lie (Lie symmetry) là gì?","đối xứng Lie","Lie symmetry","Đối xứng Lie là nhóm Lie địa phương các phép biến đổi liên tục tác động lên không gian biến độc lập và biến phụ thuộc của phương trình vi phân, có tính chất bảo toàn tập nghiệm của phương trình.",{"id":58,"title":59,"term":58,"englishTitle":60,"definition":61,"discipline":62,"disciplineCode":63,"disciplineLabel":64,"disciplineColor":65,"disciplineIcon":66},"hàm kích hoạt","Hàm kích hoạt (activation function) là gì?","activation function","Hàm kích hoạt là hàm số toán học thực hiện phép biến đổi phi tuyến tính trên tổng có trọng số của các tín hiệu đầu vào tại một nơ-ron nhân tạo, quyết định mức độ kích hoạt và truyền tín hiệu của nơ-ron đó sang các tầng tiếp theo trong mạng nơ-ron.","ENGINEERING_TECHNOLOGY","engineering-technology","Kỹ thuật và công nghệ","#5B62F4","cpu",{"id":68,"title":69,"term":68,"englishTitle":70,"definition":71,"discipline":62,"disciplineCode":63,"disciplineLabel":64,"disciplineColor":65,"disciplineIcon":66},"dòng chảy thủy động lực học","Dòng chảy thủy động lực học (hydrodynamic flow) là gì?","hydrodynamic flow","Dòng chảy thủy động lực học là sự chuyển động có hướng của các phần tử chất lưu trong không gian dưới tác dụng của các trường lực ngoại vi và građien áp suất, được mô tả thông qua các định luật bảo toàn khối lượng, động lượng và năng lượng trong cơ học chất lưu liên tục.",{"id":73,"title":74,"term":73,"englishTitle":75,"definition":76,"discipline":40,"disciplineCode":41,"disciplineLabel":42,"disciplineColor":43,"disciplineIcon":44},"thuộc tính lượng tử","Thuộc tính lượng tử (quantum property) là gì?","quantum property","Thuộc tính lượng tử là tập hợp các đặc tính vật lý đặc thù của hệ vi mô tuân theo cơ học lượng tử, bao gồm tính gián đoạn, bất định, chồng chập và vướng víu phi cục bộ.",{"id":78,"title":79,"term":78,"englishTitle":80,"definition":81,"discipline":62,"disciplineCode":63,"disciplineLabel":64,"disciplineColor":65,"disciplineIcon":66},"màng lọc","Màng lọc (membrane) là gì?","membrane","Màng lọc là cấu trúc ranh giới bán thấm có bề mặt rộng và chiều dày mỏng, cho phép các cấu tử chọn lọc đi qua đồng thời giữ lại các thành phần khác dưới tác động của lực dẫn động.",{"id":83,"title":84,"term":83,"englishTitle":85,"definition":86,"discipline":87,"disciplineCode":88,"disciplineLabel":89,"disciplineColor":90,"disciplineIcon":91},"chọc hút noãn","Chọc hút noãn là gì? Quy trình, kỹ thuật và kiểm soát biến chứng","oocyte retrieval","Chọc hút noãn (oocyte retrieval hoặc transvaginal ovum pick-up - OPU) là thủ thuật can thiệp tối thiểu sử dụng đầu dò siêu âm ngả âm đạo gắn kim chuyên dụng để hút dịch nang và thu nhận các noãn bào trưởng thành từ buồng trứng nhằm phục vụ thụ tinh trong ống nghiệm (IVF) hoặc bảo tồn khả năng sinh sản.","MEDICAL_HEALTH_SCIENCES","medical-health-sciences","Khoa học y - dược","#D6336C","stethoscope",{"id":93,"title":94,"term":93,"englishTitle":95,"definition":96,"discipline":62,"disciplineCode":63,"disciplineLabel":64,"disciplineColor":65,"disciplineIcon":66},"quan hệ đầu vào đầu ra","Quan hệ đầu vào đầu ra là gì?","input-output relationship","Quan hệ đầu vào đầu ra là mô hình toán học hoặc quy luật vật lý biểu diễn ánh xạ tương ứng giữa các tín hiệu kích thích từ môi trường tác động lên hệ thống và các phản ứng đáp ứng quan sát được từ hệ thống đó.",{"id":98,"title":99,"term":98,"englishTitle":100,"definition":101,"discipline":87,"disciplineCode":88,"disciplineLabel":89,"disciplineColor":90,"disciplineIcon":91},"dòng điện kích hoạt siêu phân cực","Dòng điện kích hoạt siêu phân cực là gì?","hyperpolarization-activated current","Dòng điện kích hoạt siêu phân cực là dòng cation hướng vào tế bào qua màng sinh chất, được kích hoạt khi màng đạt các mức điện thế âm sâu hơn điện thế nghỉ thông thường."]