[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_silicon%20carbide{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_silicon%20carbide":42},{"code":4,"data":5,"meta":21},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":40,"vietnamLatest":41},[],[8,25],{"publicationId":9,"title":10,"originalTitle":11,"authorNames":12,"authorCount":16,"journalName":17,"vietnamJournal":18,"publishDate":19,"publishYear":20,"totalCitation":21,"url":22,"doi":23,"summary":24},"70187371-6714-4811-920d-c61c93b69748","Nghiên cứu tính chất cơ nhiệt của nanocomposite gốm Al2O3–TiB2\u002Fsilicon carbide cho lớp phủ cách nhiệt","Investigation of Thermomechanical Properties of Al2O3–TiB2\u002FSilicon Carbide Ceramic Nanocomposites for Thermal Barrier Coatings",[13,14,15],"S. Subha","Nalli Shalem Raju","Kodi Vaishnav Kumar Yadav",4,"Journal of The Institution of Engineers (India): Series D",false,"2023-07-25",2023,null,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1007\u002Fs40033-023-00523-5","10.1007\u002Fs40033-023-00523-5","\u003Cp>Kỹ thuật phủ cách nhiệt nghiên cứu các đặc tính nhiệt cơ của lớp phủ nanocomposite gốm \u003Ci>Al2O3-TiB2\u003C\u002Fi> phối hợp hạt phân tán \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">silicon carbide\u003C\u002Fb> ứng dụng bảo vệ tuabin khí. Thử nghiệm sốc nhiệt khẳng định sự hiện diện của pha SiC giúp ngăn ngừa nứt vi mô và giảm thiểu đáng kể tốc độ oxy hóa bề mặt ở nhiệt độ cao. Phát hiện làm sáng tỏ cơ chế gia cường cấu trúc màng chắn nhiệt bằng \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">silicon carbide\u003C\u002Fb>.\u003C\u002Fp>",{"publicationId":26,"title":27,"originalTitle":28,"authorNames":29,"authorCount":33,"journalName":34,"vietnamJournal":18,"publishDate":35,"publishYear":36,"totalCitation":21,"url":37,"doi":38,"summary":39},"2003ed86-7a9b-4f7c-9d01-dcf6b2acb267","Tính chất cơ học và nhiệt của composite silicon carbide được chế tạo bằng sợi ngắn Tyranno® Si-Zr-C-O","Mechanical and thermal properties of silicon-carbide composites fabricated with short Tyranno® Si-Zr-C-O fibre",[30,31,32],"K. Itatani","K. Hattori","D. Harima",8,"Journal of Materials Science","2001-08-01",2001,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1023\u002FA:1017909430037","10.1023\u002FA:1017909430037","\u003Cp>Khoa học vật liệu composite gia cường nền gốm \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">silicon carbide\u003C\u002Fb> \u003Ci>SiC\u003C\u002Fi> bằng các sợi ngắn Tyranno Si-Zr-C-O nhằm cải thiện độ bền cơ học và độ dẫn nhiệt chịu lửa. Thử nghiệm uốn bốn điểm ghi nhận độ bền uốn và độ dẻo dai gãy tăng đáng kể so với mẫu gốm nguyên khối không gia cố sợi. Dữ liệu thực nghiệm xác lập tỷ lệ thể tích sợi tối ưu nâng cao khả năng chịu nhiệt cho cấu kiện \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">silicon carbide\u003C\u002Fb>.\u003C\u002Fp>",[],[],{"code":4,"data":43,"meta":21},{"id":44,"title":45,"description":46,"content":47,"term":44,"englishTitle":44,"synonyms":48,"definition":49,"discipline":50,"references":51,"faqs":83,"createUser":93,"publishUser":97,"keywords":101,"keywordCount":21,"enrichTopicLink":18,"status":102,"createTime":103,"updateTime":104,"publishTime":105,"linkEnrichedTime":21,"publicationScanTime":106,"contentErrorMessage":21,"viewCount":107,"wikidataId":21,"relateTopics":108},"silicon carbide","Silicon carbide là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","Silicon carbide (SiC) là hợp chất vô cơ gồm silic và cacbon với công thức SiC, có độ cứng xếp sau kim cương, chịu nhiệt và mài mòn xuất sắc. SiC tồn tại nhiều polytype như 3C, 4H, 6H với bandgap rộng 2,36–3,26 eV và dẫn nhiệt cao, ứng dụng trong thiết bị công suất, gốm chịu lửa và vật liệu mài mòn. ","\u003Cp>\u003Cstrong>Silicon carbide\u003C\u002Fstrong> (\u003Cem>silicon carbide\u003C\u002Fem>) là khái niệm và đối tượng nghiên cứu cơ bản trong khoa học kỹ thuật và công nghệ, phản ánh các đặc trưng bản chất, cơ chế vận hành và các quy luật tương tác hệ thống trong thực tiễn.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Định nghĩa và tính chất cơ bản\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>Silicon carbide (SiC) là hợp chất vô cơ gồm silic và cacbon với công thức , tồn tại dưới dạng tinh thể đa hình (polytypes) hoặc vô định hình. SiC được phát hiện lần đầu vào cuối thế kỷ XIX bởi nhà hóa học F. Garbasso và thương mại hóa qua quy trình Acheson, phản ứng nóng chảy  ở ~2.000 °C .\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Vật liệu này nổi bật với độ cứng chỉ xếp sau kim cương (9–9,5 Mohs) và khả năng chịu nhiệt, chịu mài mòn xuất sắc. SiC không nóng chảy ở áp suất khí quyển mà phân hủy ở ~2.700 °C, đồng thời có độ dẫn nhiệt cao và hệ số giãn nở nhiệt thấp, phù hợp cho ứng dụng môi trường khắc nghiệt.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cul>\u003Cli>Độ cứng Mohs: 9–9,5\u003C\u002Fli>\u003Cli>Điểm phân hủy: ~2.700 °C\u003C\u002Fli>\u003Cli>Khả năng chịu ăn mòn: ổn định trong môi trường acid\u002Fkiềm loãng\u003C\u002Fli>\u003Cli>Ứng dụng cơ bản: gốm chịu nhiệt, vật liệu mài mòn\u003C\u002Fli>\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Cấu trúc tinh thể và polytypes\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>SiC tồn tại hơn 200 đa hình tinh thể, phổ biến nhất là các polytype 3C (cubic), 4H và 6H (hexagonal). Sự khác biệt giữa các polytype nằm ở cách xếp chồng xen kẽ các lớp nguyên tử Si–C, dẫn đến tính chất điện và nhiệt khác nhau.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Polytype 3C (β-SiC) có hệ tinh thể lập phương, dễ chế tạo dạng bột nhưng tính chất điện kém hơn so với hexagonal. Trong khi đó, 4H-SiC và 6H-SiC (α-SiC) có cấu trúc lục giác, cung cấp bandgap rộng hơn và độ dẫn điện cao hơn, là lựa chọn hàng đầu cho thiết bị công suất cao.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ctable>\u003Cthead>\u003Ctr>\u003Cth>Polytype\u003C\u002Fth>\u003Cth>Hệ tinh thể\u003C\u002Fth>\u003Cth>Bandgap (eV)\u003C\u002Fth>\u003Cth>Ứng dụng tiêu biểu\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\u003C\u002Fthead>\u003Ctbody>\u003Ctr>\u003Ctd>3C-SiC\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Cubic\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>2.36\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Vật liệu mài mòn, gốm kỹ thuật\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003Ctr>\u003Ctd>4H-SiC\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Hexagonal\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>3.26\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Thiết bị công suất, MOSFET\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003Ctr>\u003Ctd>6H-SiC\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Hexagonal\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>3.02\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Diode Schottky, LED UV\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Ch2>Tính chất cơ lý và nhiệt\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>SiC có mô đun đàn hồi cao (~450 GPa) và độ bền uốn 350–550 MPa, cho phép dùng làm vật liệu chịu tải và chống mài mòn. Độ cứng Vickers đạt ~2.400 kgf\u002Fmm², vượt trội so với nhiều loại gốm khác.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Khả năng dẫn nhiệt của SiC dao động 120–270 W\u002Fm·K, gấp 3–5 lần thép, giúp tản nhiệt hiệu quả trong các linh kiện công suất. Hệ số giãn nở nhiệt thấp (~4×10⁻⁶ K⁻¹) giảm ứng suất nhiệt và biến dạng cơ khi thay đổi nhiệt độ đột ngột.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ctable>\u003Cthead>\u003Ctr>\u003Cth>Tính chất\u003C\u002Fth>\u003Cth>Giá trị\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\u003C\u002Fthead>\u003Ctbody>\u003Ctr>\u003Ctd>Mô đun đàn hồi\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>≈450 GPa\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003Ctr>\u003Ctd>Độ bền uốn\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>350–550 MPa\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003Ctr>\u003Ctd>Độ dẫn nhiệt\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>120–270 W\u002Fm·K\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003Ctr>\u003Ctd>Giãn nở nhiệt\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>4×10⁻⁶ K⁻¹\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Ch2>Tính chất điện và quang\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>SiC là chất bán dẫn wide-bandgap, bandgap từ 2,36 eV (3C) đến 3,26 eV (4H), cho phép hoạt động ở nhiệt độ cao (tới 300 °C) và điện áp ngược trên 1 kV. Độ bền điện môi cao (>2 MV\u002Fcm) hỗ trợ thiết kế linh kiện công suất với tổn hao thấp và tốc độ đóng ngắt nhanh.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Vật liệu này cũng được sử dụng làm substrate cho LED xanh và UV nhờ khả năng truyền quang tốt và ổn định với ánh sáng có bước sóng ngắn. Các diode Schottky SiC cho dòng dò ngược thấp và nhanh nhạy, phù hợp cho ứng dụng viễn thông và cảm biến ánh sáng.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cul>\u003Cli>Bandgap rộng: 2.36–3.26 eV\u003C\u002Fli>\u003Cli>Dielectric constant: ~9.7\u003C\u002Fli>\u003Cli>Breakdown field: >2 MV\u002Fcm\u003C\u002Fli>\u003Cli>Ứng dụng: MOSFET công suất, LED UV, diode Schottky\u003C\u002Fli>\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Quy trình tổng hợp và sản xuất\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>Phương pháp Acheson là quy trình truyền thống để sản xuất SiC quy mô công nghiệp, phát minh bởi E. G. Acheson năm 1891. Hỗn hợp silica (SiO₂) và than cốc được nung ở 1.700–2.500 °C trong lò điện trở, tạo ra lớp α-SiC bao quanh cực graphite và sinh ra CO :contentReference[oaicite:0]{index=0}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Các phản ứng chính trong lò Acheson:\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Công nghệ lắng đọng hơi hóa học (CVD) cho phép sản xuất SiC tinh khiết cao dưới dạng phim mỏng và tấm đơn tinh thể. Các tiền chất silane (SiH₄) và hydrocarbon (C₃H₈) phản ứng ở 1.000–1.500 °C, kiểm soát độ dày và doping chính xác :contentReference[oaicite:1]{index=1}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng công nghiệp\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>SiC là vật liệu mài mòn hàng đầu, dùng trong giấy nhám, đá mài và bánh xe mài nhờ độ cứng cao và độ bền mài mòn xuất sắc :contentReference[oaicite:2]{index=2}. Trong công nghiệp chịu lửa, SiC chịu nhiệt tới 1.600 °C, dùng làm gạch chịu lửa, lớp lót lò nung và đầu đốt.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Trong điện tử công suất, SiC MOSFET và diode Schottky cho phép chuyển đổi điện áp cao (trên 1 kV) với tổn hao thấp và tần số chuyển mạch nhanh, ứng dụng trong thiết bị EV, biến tần năng lượng mặt trời và máy biến áp :contentReference[oaicite:3]{index=3}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Linh kiện LED UV và thấu kính cửa sổ tản nhiệt cũng sử dụng SiC như substrate do tính bền bỉ với ánh sáng tử ngoại và dẫn nhiệt tốt :contentReference[oaicite:4]{index=4}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phản ứng hóa học và độ bền\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>SiC thể hiện khả năng chống ăn mòn cao trong môi trường acid và kiềm loãng, nhờ lớp oxide SiO₂ tự bảo vệ ở bề mặt :contentReference[oaicite:5]{index=5}. Tuy nhiên, ở môi trường HF hoặc muối fluorua, SiO₂ bị hòa tan, đòi hỏi xử lý bề mặt đặc biệt trước khi gia công.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Trong Acheson process, khí trung gian chủ yếu là SiO và CO, điều chỉnh áp suất và thành phần khí giúp tối ưu hóa tốc độ tạo SiC và giảm tạp chất :contentReference[oaicite:6]{index=6}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Chế tạo và chế phẩm\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>Tấm SiC đơn tinh thể (4H, 6H) sản xuất qua phương pháp CVD epitaxy, kiểm soát độ dày 5–100 µm và doping N hoặc Al, dùng làm substrate cho thiết bị công suất. Độ tinh khiết ≥ 99,9% và khuyết tật mạng Crystal Defect Density ≤ 10³ cm⁻².\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>SiC nano (n-SiC) và whiskers được chế tạo để gia cố composite polymer và gốm. Thêm 5–10 wt% n-SiC vào nhựa epoxy tăng độ bền cơ học 30% và dẫn nhiệt gấp đôi, phục vụ cho linh kiện tản nhiệt :contentReference[oaicite:7]{index=7}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nghiên cứu và xu hướng tương lai\u003C\u002Fh2>\n\n\u003Cp>SiC đang dẫn đầu trong linh kiện công suất cho ô tô điện và năng lượng tái tạo, với MOSFET hỗ trợ hệ số công suất cao và hiệu suất chuyển đổi trên 98% :contentReference[oaicite:8]{index=8}. Nhóm nghiên cứu vật liệu lượng tử đang khảo sát khuyết tật chân không carbon (VC) trong 4H-SiC cho ứng dụng cảm biến từ tính và qubit :contentReference[oaicite:9]{index=9}.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Quá trình tăng cường bền vững: phát triển quy trình thay thế Acheson bằng phương pháp điện hóa hoặc plasma, giảm phát thải SOx, NOx và CO ₂. Nghiên cứu AIChE đề xuất quy trình carbon trung tính và tái sử dụng khí thải trong lò Acheson để giảm ảnh hưởng môi trường :contentReference[oaicite:10]{index=10}.\u003C\u002Fp>",[],"khái niệm và đối tượng nghiên cứu cơ bản trong khoa học kỹ thuật và công nghệ, phản ánh các đặc trưng bản chất, cơ chế vận hành và các quy luật tương tác hệ thống trong thực tiễn.","ENGINEERING_TECHNOLOGY",[52,60,67,75],{"citationText":53,"title":54,"authors":55,"source":56,"year":57,"doi":58,"url":59},"KMETZ et al. (1991). ChemInform Abstract: Silicon Carbide\u002FSilicon and Silicon Carbide\u002FSilicon Carbide Composites Produced by Chemical Vapor Infiltration.. ChemInform.","ChemInform Abstract: Silicon Carbide\u002FSilicon and Silicon Carbide\u002FSilicon Carbide Composites Produced by Chemical Vapor Infiltration.","KMETZ, SUIB, GALASSO","ChemInform",1991,"10.1002\u002Fchin.199102375","https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1002\u002Fchin.199102375",{"citationText":61,"title":62,"authors":63,"source":56,"year":64,"doi":65,"url":66},"RABIN (1992). ChemInform Abstract: Joining of Silicon Carbide\u002FSilicon Carbide Composites and Dense Silicon Carbide Using Combustion Reactions in the Titanium‐Carbon‐ Nickel System.. ChemInform.","ChemInform Abstract: Joining of Silicon Carbide\u002FSilicon Carbide Composites and Dense Silicon Carbide Using Combustion Reactions in the Titanium‐Carbon‐ Nickel System.","RABIN",1992,"10.1002\u002Fchin.199214328","https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1002\u002Fchin.199214328",{"citationText":68,"title":69,"authors":70,"source":71,"year":72,"doi":73,"url":74},"Kmetz et al. (1990). Silicon Carbide\u002FSilicon and Silicon Carbide\u002FSilicon Carbide Composites Produced by Chemical Vapor Infiltration. Journal of the American Ceramic Society.","Silicon Carbide\u002FSilicon and Silicon Carbide\u002FSilicon Carbide Composites Produced by Chemical Vapor Infiltration","Kmetz, Suib, Galasso","Journal of the American Ceramic Society",1990,"10.1111\u002Fj.1151-2916.1990.tb06723.x","https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1111\u002Fj.1151-2916.1990.tb06723.x",{"citationText":76,"title":77,"authors":78,"source":79,"year":80,"doi":81,"url":82},"Kriegesmann et al. (2004). Silicon Carbide Fiber Reinforced Recrystallized Silicon Carbide. Key Engineering Materials.","Silicon Carbide Fiber Reinforced Recrystallized Silicon Carbide","Kriegesmann, Schumacher","Key Engineering Materials",2004,"10.4028\u002Fwww.scientific.net\u002Fkem.264-268.1063","https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.4028\u002Fwww.scientific.net\u002Fkem.264-268.1063",[84,87,90],{"question":85,"answer":86},"Silicon carbide có vai trò gì trong nghiên cứu học thuật?","Silicon carbide đóng vai trò là nền tảng lý thuyết và phương pháp then chốt, giúp xác định các thông số định lượng và giải thích cơ chế tương tác trong các công trình chuyên ngành.",{"question":88,"answer":89},"Những yếu tố nào ảnh hưởng trực tiếp đến silicon carbide?","Các yếu tố ảnh hưởng chủ yếu bao gồm điều kiện thực nghiệm, thông số môi trường, cấu trúc hệ thống và quy chuẩn phương pháp được áp dụng trong quá trình phân tích.",{"question":91,"answer":92},"Xu hướng phát triển hiện nay của silicon carbide là gì?","Xu hướng nghiên cứu tập trung vào việc tối ưu hóa mô hình định lượng, tích hợp các công nghệ phân tích tự động và mở rộng khả năng ứng dụng thực tiễn trong bối cảnh mới.",{"id":94,"researcherId":21,"name":95,"imageUrl":96},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",{"id":98,"researcherId":21,"name":99,"imageUrl":100},2681,"Cuong Ta","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocKFuWh0ZD601Hp0_V_2xAK3kIOs20Kyv3V5ZLBo6fwfjyymJYzE=s96-c",[44],"PUBLISHED","2025-05-24T09:51:25.727+00:00","2026-09-03T10:17:08.067+00:00","2025-07-24T03:08:24.919+00:00","2026-09-03T10:17:08.065+00:00",483,[109,118,124,129,134,139,144,149,153,158],{"id":110,"title":111,"term":110,"englishTitle":112,"definition":113,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"vật liệu gốm","Vật liệu gốm là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","ceramic materials","Vật liệu gốm (ceramic materials) là nhóm vật liệu vô cơ, phi kim loại, được tạo thành từ các liên kết ion hoặc cộng hóa trị giữa kim loại và phi kim, đặc trưng bởi độ cứng cao, khả năng chịu nhiệt vượt trội, cách điện tốt và độ bền hóa học cao.","engineering-technology","Kỹ thuật và công nghệ","#5B62F4","cpu",{"id":119,"title":120,"term":121,"englishTitle":122,"definition":123,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"thuật toán heuristic","Thuật toán heuristic là gì? Phân loại, nguyên lý và ứng dụng","Thuật toán heuristic","heuristic algorithm","Thuật toán heuristic (heuristic algorithm, hay phương pháp phỏng đoán) là kỹ thuật giải quyết bài toán được thiết kế nhằm tìm kiếm lời giải đủ tốt và chấp nhận được trong khoảng thời gian tính toán thực tế cho các bài toán tối ưu hóa phức tạp, đánh đổi tính tối ưu tuyệt đối để lấy tốc độ thực thi.",{"id":125,"title":126,"term":125,"englishTitle":127,"definition":128,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"hỏa hoạn","Hỏa hoạn là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan","fire","Hỏa hoạn là sự cố cháy lớn ngoài tầm kiểm soát do phản ứng hóa học tỏa nhiệt nhanh giữa chất cháy và chất oxy hóa (thường là oxy trong không khí), gây thiệt hại nghiêm trọng về người, tài sản và môi trường.",{"id":130,"title":131,"term":130,"englishTitle":132,"definition":133,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"hệ thống hỗ trợ quyết định","Hệ thống hỗ trợ quyết định là gì? Các nghiên cứu khoa học","decision support system","Hệ thống hỗ trợ quyết định (Decision Support System - DSS) là hệ thống thông tin tích hợp dữ liệu, mô hình phân tích và giao diện tương tác nhằm hỗ trợ con người giải quyết các bài toán ra quyết định phức tạp và bán cấu trúc.",{"id":135,"title":136,"term":135,"englishTitle":137,"definition":138,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"tổn thất công suất","Tổn thất công suất là gì? Nguyên nhân, công thức và giải pháp","power loss","Tổn thất công suất là hiện tượng tiêu hao năng lượng điện dưới dạng nhiệt hoặc từ trường trong các phần tử của hệ thống điện như dây dẫn, máy biến áp và thiết bị truyền tải trong quá trình vận hành.",{"id":140,"title":141,"term":140,"englishTitle":142,"definition":143,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"khí động học","Khí động học: Khái niệm, nguyên lý và ứng dụng","Aerodynamics","Khí động học là một thuật ngữ và phạm trù học thuật then chốt trong lĩnh vực engineering technology, phản ánh các nguyên lý, cơ chế và phương pháp luận chuyên sâu đã được chuẩn hóa trong nghiên cứu và ứng dụng thực tiễn.",{"id":145,"title":146,"term":145,"englishTitle":147,"definition":148,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"trao đổi nhiệt","Trao đổi nhiệt là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","heat transfer","Trao đổi nhiệt là quá trình truyền năng lượng nhiệt giữa các vật thể hoặc hệ thống vật lý có sự chênh lệch nhiệt độ qua ba cơ chế dẫn nhiệt, đối lưu và bức xạ cho đến khi đạt trạng thái cân bằng nhiệt.",{"id":150,"title":151,"term":150,"englishTitle":152,"definition":49,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"ứng suất nhiệt","Ứng suất nhiệt là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","ung suat nhiet",{"id":154,"title":155,"term":154,"englishTitle":156,"definition":157,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"lực kéo","Lực kéo là gì? Bản chất cơ học, công thức và ứng xử vật liệu","tensile force","Lực kéo (tensile force) là lực tác dụng có xu hướng làm giãn dài hoặc kéo dãn một vật thể dọc theo trục tác dụng, gây ra trạng thái ứng suất kéo và biến dạng kéo trong vật liệu.",{"id":159,"title":160,"term":159,"englishTitle":161,"definition":162,"discipline":50,"disciplineCode":114,"disciplineLabel":115,"disciplineColor":116,"disciplineIcon":117},"np khó","NP-khó là gì? Độ phức tạp, định lý Cook và giải pháp","NP-hard","NP-khó là lớp các bài toán tính toán mà mọi bài toán trong lớp NP đều có thể quy dẫn thời gian đa thức về chúng, bao gồm cả các bài toán tối ưu hóa."]