[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_quang%20ph%E1%BB%95%20%C4%91i%E1%BB%87n%20t%E1%BB%AD%20auger{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_quang phổ điện tử auger":11},{"code":4,"data":5,"meta":10},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":8,"vietnamLatest":9},[],[],[],[],null,{"code":4,"data":12,"meta":10},{"id":13,"title":14,"description":15,"content":16,"term":17,"englishTitle":18,"synonyms":19,"definition":23,"discipline":24,"references":25,"faqs":46,"createUser":56,"publishUser":60,"keywords":64,"keywordCount":75,"enrichTopicLink":76,"status":77,"createTime":78,"updateTime":79,"publishTime":80,"linkEnrichedTime":81,"publicationScanTime":10,"contentErrorMessage":10,"viewCount":82,"relateTopics":83},"quang phổ điện tử auger","Quang phổ điện tử auger là gì? Định nghĩa và ứng dụng","Tìm hiểu Quang phổ điện tử auger (Auger electron spectroscopy): định nghĩa khoa học chuẩn mực, cơ chế vận hành, các thông số thực nghiệm và ứng dụng chu...","\u003Cp>\u003Cstrong>Quang phổ điện tử auger\u003C\u002Fstrong> (\u003Cem>Auger electron spectroscopy\u003C\u002Fem>) là (Auger electron spectroscopy - AES) là một kỹ thuật phân tích bề mặt vật liệu độ nhạy cao dựa trên hiệu ứng Auger, đo phổ động năng của các electron Auger đặc trưng được phát xạ từ các lớp nguyên tử bề mặt (độ sâu 1 đến 5 nm) khi bị kích thích bởi chùm electron năng lượng cao nhằm xác định thành phần hóa học và trạng thái liên kết nguyên tố.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Khái niệm Quang phổ điện tử Auger (Auger Electron Spectroscopy)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Quang phổ điện tử Auger (AES – Auger Electron Spectroscopy) là một {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ph%C6%B0%C6%A1ng%20ph%C3%A1p%20ph%C3%A2n%20t%C3%ADch%22%7D}} bề mặt vật liệu có {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%C4%91%E1%BB%99%20ph%C3%A2n%20gi%E1%BA%A3i%22%7D}} nguyên tử, dựa trên hiện tượng phát xạ điện tử Auger từ các nguyên tử sau khi bị kích thích bởi chùm điện tử năng lượng cao. Kỹ thuật này cho phép xác định {{topic|%7B%22topic%22%3A%22th%C3%A0nh%20ph%E1%BA%A7n%20nguy%C3%AAn%20t%E1%BB%91%22%7D}} có mặt trên bề mặt vật liệu với độ sâu chỉ từ 1 đến 5 nanomet, phù hợp với phân tích lớp {{topic|%7B%22topic%22%3A%22oxi%20h%C3%B3a%22%7D}}, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22l%E1%BB%9Bp%20ph%E1%BB%A7%22%7D}} mỏng, và các kết cấu {{topic|%7B%22topic%22%3A%22vi%20m%C3%B4%22%7D}} trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22c%C3%B4ng%20ngh%E1%BB%87%20nano%22%7D}} hoặc vật liệu {{topic|%7B%22topic%22%3A%22b%C3%A1n%20d%E1%BA%ABn%22%7D}}.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hiện tượng điện tử Auger lần đầu được mô tả bởi Pierre Auger vào năm 1925 khi ông quan sát thấy các điện tử có năng lượng đặc trưng phát ra từ nguyên tử bị kích thích mà không liên quan đến phát xạ {{topic|%7B%22topic%22%3A%22photon%22%7D}}. Trong AES, khi một nguyên tử mất điện tử ở lớp vỏ bên trong (thường do {{topic|%7B%22topic%22%3A%22va%20ch%E1%BA%A1m%22%7D}} với điện tử năng lượng cao), năng lượng tái phân bố nội tại có thể được chuyển cho một điện tử khác, dẫn đến sự phát xạ điện tử Auger với năng lượng đặc trưng cho nguyên tố đó. Chính đặc tính này làm AES trở thành công cụ định danh nguyên tử chính xác và có độ nhạy cao đối với bề mặt.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>AES đặc biệt có giá trị trong phân tích vật liệu rắn nơi cần khảo sát lớp bề mặt siêu mỏng. Kỹ thuật này không yêu cầu mẫu phải dẫn điện như trong quang phổ điện tử tia X (XPS), tuy nhiên mẫu cần chịu được điều kiện chân không siêu cao. AES thường được tích hợp trong hệ thống kính hiển vi điện tử quét (SEM) hoặc hệ thống phân tích bề mặt đa năng, kết hợp với các kỹ thuật như khắc ion để phân tích chiều sâu.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Cơ chế vật lý của hiện tượng Auger\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Khi một nguyên tử bị kích thích bởi điện tử năng lượng cao (ví dụ 2–10 keV), một điện tử ở lớp vỏ trong cùng (thường là lớp K hoặc L) có thể bị đánh bật ra ngoài. Việc mất đi điện tử này tạo ra một \"lỗ trống năng lượng\" trong cấu trúc vỏ nguyên tử. Sau đó, một điện tử từ lớp vỏ ngoài hơn (ví dụ từ lớp L hoặc M) sẽ di chuyển xuống để lấp đầy vị trí trống, tạo ra một năng lượng chênh lệch có thể được phát ra dưới dạng photon tia X hoặc truyền cho một điện tử thứ ba trong nguyên tử.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Điện tử thứ ba nhận được năng lượng này sẽ bị đẩy ra khỏi nguyên tử và được gọi là điện tử Auger. Năng lượng của điện tử Auger không phụ thuộc vào năng lượng kích thích bên ngoài mà chỉ phụ thuộc vào các mức năng lượng nội tại của nguyên tử. Do đó, mỗi nguyên tố có phổ điện tử Auger riêng biệt, cho phép sử dụng làm cơ sở định danh nguyên tố.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Công thức tính năng lượng điện tử Auger là:\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\nE_{Auger} = E_i - E_j - E_k\n\u003C\u002Fscript>\ntrong đó \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">E_i\u003C\u002Fscript>, \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">E_j\u003C\u002Fscript>, và \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">E_k\u003C\u002Fscript> lần lượt là năng lượng liên kết của ba lớp vỏ nguyên tử tham gia quá trình. Ví dụ, quá trình KLL xảy ra khi điện tử bị loại khỏi lớp K, lớp L1 điền vào chỗ trống và điện tử Auger bị bật ra từ lớp L2 hoặc L3. Các ký hiệu như KL1L2 hoặc LMM được sử dụng để phân loại kiểu chuyển tiếp Auger, mỗi loại có giá trị năng lượng đặc trưng cho từng nguyên tố.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nguyên lý hoạt động của thiết bị AES\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Hệ thống quang phổ AES hiện đại bao gồm ba thành phần chính: nguồn phát điện tử, bộ phân tích năng lượng điện tử và buồng chân không siêu cao. Nguồn phát điện tử, thường là súng điện tử với điện áp 2–10 keV, được sử dụng để chiếu điện tử tới bề mặt mẫu, gây ra hiện tượng kích thích nguyên tử. Buồng chân không siêu cao (áp suất thấp hơn \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">10^{-8}\u003C\u002Fscript> Torr) giúp giảm thiểu sự tán xạ và mất năng lượng của các điện tử Auger trong không khí, từ đó đảm bảo độ chính xác và độ nhạy của phép đo.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Điện tử Auger phát ra từ bề mặt được hướng vào bộ phân tích năng lượng – thường là bộ phân tích hình trụ (Cylindrical Mirror Analyzer – CMA) hoặc hình cầu (Hemispherical Analyzer). Bộ phân tích này ghi nhận phổ năng lượng và tạo ra tín hiệu số hóa biểu diễn số lượng điện tử Auger theo năng lượng. Mỗi đỉnh trong phổ đại diện cho một chuyển tiếp Auger đặc trưng cho một nguyên tố nhất định.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hệ thống thu dữ liệu sau đó xử lý tín hiệu và so sánh phổ với cơ sở dữ liệu phổ chuẩn để định danh nguyên tố. Các phần mềm chuyên dụng cho phép trích xuất cường độ, diện tích đỉnh, và xử lý hậu kỳ để định lượng tương đối các nguyên tố có mặt.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Đặc điểm và giới hạn phân tích\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>AES có độ phân giải bề mặt rất cao, phân tích chủ yếu trong phạm vi vài lớp nguyên tử đầu tiên (~1–5 nm), điều này khiến kỹ thuật này lý tưởng cho các ứng dụng phân tích lớp phủ mỏng, ăn mòn, ô nhiễm bề mặt hoặc màng chức năng siêu mỏng. Độ phân giải không gian cũng rất cao khi AES được kết hợp với SEM, cho phép phân tích cục bộ đến 10–20 nm, vượt trội so với XPS hoặc EDX.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Tuy nhiên, AES cũng có một số giới hạn. Do sự phụ thuộc vào quá trình phát xạ điện tử, kỹ thuật này không nhạy đối với các nguyên tố nhẹ như hydro và heli (Z < 3). Bên cạnh đó, yêu cầu môi trường chân không siêu cao làm tăng chi phí thiết bị và giới hạn khả năng phân tích các vật liệu nhạy khí hoặc chất lỏng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Những điểm hạn chế chính gồm:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Không phân tích được nguyên tố nhẹ Z < 3 (H, He).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Có thể gây tổn thương bề mặt mẫu do bức xạ điện tử năng lượng cao.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Yêu cầu xử lý mẫu cẩn trọng trong điều kiện UHV (Ultra High Vacuum).\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\nĐổi lại, AES là một trong số ít kỹ thuật có khả năng phân tích lớp bề mặt thật sự ở cấp nguyên tử với độ nhạy cao và tính đặc hiệu nguyên tố rõ rệt.\n\u003Ch2>Phân tích định lượng và bán định lượng\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phân tích định lượng trong AES không đơn giản như các kỹ thuật phổ khác do tín hiệu Auger chịu ảnh hưởng bởi nhiều yếu tố như suất phát Auger, hiệu suất thu nhận, cũng như nền nhiễu. Tuy nhiên, bằng cách sử dụng hệ số độ nhạy tương đối (Relative Sensitivity Factors – RSF), người dùng có thể thực hiện phân tích bán định lượng với sai số chấp nhận được.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Phương trình định lượng thành phần nguyên tố:\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\nC_i = \\frac{I_i \u002F S_i}{\\sum_j (I_j \u002F S_j)}\n\u003C\u002Fscript>\ntrong đó \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">C_i\u003C\u002Fscript> là phần trăm nguyên tố i, \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">I_i\u003C\u002Fscript> là cường độ tín hiệu đỉnh Auger của nguyên tố i, và \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">S_i\u003C\u002Fscript> là hệ số RSF tương ứng. RSF được xác định thực nghiệm hoặc lấy từ cơ sở dữ liệu tiêu chuẩn như NIST SRD 20. Mặc dù không cho kết quả tuyệt đối như ICP-MS, AES vẫn cung cấp thông tin định lượng tương đối đáng tin cậy trên bề mặt vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Việc xử lý tín hiệu phổ AES thường bao gồm:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Loại bỏ nền nhiễu bằng phép trừ vi phân (differential method).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Xác định diện tích đỉnh hoặc chiều cao đỉnh trong phổ vi phân.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>So sánh với phổ chuẩn đã hiệu chỉnh RSF.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\nNgoài ra, phần mềm hiện đại tích hợp sẵn mô hình hiệu chỉnh đường chuẩn giúp nâng cao độ chính xác và khả năng lặp lại trong phân tích bán định lượng AES.\n\n\u003Ch2>Phân tích sâu (Depth Profiling)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Một ứng dụng quan trọng của AES là phân tích thành phần nguyên tố theo chiều sâu (depth profiling). Kỹ thuật này thường kết hợp AES với khắc ion (ion sputtering), sử dụng chùm ion như Ar\u003Csup>+\u003C\u002Fsup> để từng bước loại bỏ lớp bề mặt của mẫu, cho phép xác định sự thay đổi thành phần theo chiều sâu vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Quy trình phân tích sâu bao gồm:\n\u003C\u002Fp>\u003Col>\n  \u003Cli>Khắc một lớp mỏng bằng chùm ion năng lượng thấp (~1 keV).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Ghi lại phổ AES sau mỗi bước khắc.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Lặp lại quy trình để thu được chuỗi phổ đại diện cho các lớp khác nhau trong mẫu.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\nKết quả phân tích được trình bày dưới dạng biểu đồ nồng độ nguyên tố theo chiều sâu, từ đó xác định được ranh giới lớp, độ dày lớp phủ, sự khuếch tán nguyên tố hoặc tạp nhiễm bên trong.\n\u003Cp>Tuy nhiên, kỹ thuật này có một số rủi ro:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Hiện tượng tái phân bố nguyên tử trong quá trình khắc (ion beam mixing).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Khó kiểm soát tốc độ khắc chính xác do phụ thuộc vào mật độ vật liệu và góc tới của ion.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Làm mờ ranh giới lớp trong vật liệu đa lớp.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\nViệc sử dụng chùm ion năng lượng thấp và góc tới nhỏ có thể giúp giảm thiểu những hiệu ứng không mong muốn này, nâng cao độ chính xác trong phân tích sâu.\n\n\u003Ch2>So sánh với các kỹ thuật phân tích bề mặt khác\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>AES là một trong ba kỹ thuật phân tích bề mặt chủ yếu, bên cạnh XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) và SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry). Mỗi kỹ thuật có thế mạnh và hạn chế riêng. AES vượt trội ở độ phân giải không gian khi được kết hợp với SEM, phù hợp cho phân tích vi điểm và cấu trúc bề mặt nhỏ hơn 100 nm.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Bảng so sánh dưới đây thể hiện một số khác biệt chính:\n\u003C\u002Fp>\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\n      \u003Cth>Tiêu chí\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>AES\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>XPS\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>SIMS\u003C\u002Fth>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Độ sâu phân tích\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>1–5 nm\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>5–10 nm\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>1–3 nm\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Nguyên tố phân tích\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Z > 3\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Z ≥ 1\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Tất cả\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Phân giải không gian\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>10–20 nm\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>~1 µm\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd><100 nm\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Định lượng\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Bán định lượng\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Định lượng tốt\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Định lượng khó\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Cp>Việc lựa chọn kỹ thuật phù hợp phụ thuộc vào mục tiêu nghiên cứu, độ dày lớp phân tích, độ nhạy nguyên tố và yêu cầu không gian. Trong nhiều trường hợp, kết hợp AES với XPS hoặc SIMS sẽ cung cấp cái nhìn toàn diện hơn về đặc tính hóa học bề mặt.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng thực tiễn\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>AES được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực nghiên cứu và công nghiệp nhờ khả năng phân tích bề mặt ở cấp độ nguyên tử. Một số ứng dụng tiêu biểu bao gồm:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Phân tích lớp oxi hóa trên kim loại và hợp kim.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Kiểm tra thành phần và độ tinh khiết trong vi mạch và vật liệu bán dẫn.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Xác định sự tách lớp, nhiễm bẩn hoặc ăn mòn trong màng mỏng và vật liệu phủ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Giám sát quá trình xử lý plasma hoặc xử lý nhiệt trong sản xuất công nghiệp.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Cp>Trong nghiên cứu vật liệu tiên tiến, AES còn được tích hợp với các kỹ thuật hình ảnh như SEM, TEM, hoặc FIB để cho phép phân tích cấu trúc 3D, hỗ trợ mô phỏng phân bố nguyên tố và định vị điểm hỏng trong thiết bị nano. Các hãng sản xuất thiết bị AES nổi bật như PHI (Physical Electronics), JEOL, và Thermo Fisher Scientific đều đang tích hợp AES vào các hệ thống phân tích bề mặt tích hợp đa kỹ thuật.\u003C\u002Fp>","Quang phổ điện tử auger","Auger electron spectroscopy",[13,18,20,21,22],"AES","phổ electron Auger","hiệu ứng Auger","Quang phổ điện tử Auger (Auger electron spectroscopy - AES) là một kỹ thuật phân tích bề mặt vật liệu độ nhạy cao dựa trên hiệu ứng Auger, đo phổ động năng của các electron Auger đặc trưng được phát xạ từ các lớp nguyên tử bề mặt (độ sâu 1 đến 5 nm) khi bị kích thích bởi chùm electron năng lượng cao nhằm xác định thành phần hóa học và trạng thái liên kết nguyên tố.","NATURAL_SCIENCES",[26,33,40],{"citationText":27,"title":28,"authors":29,"source":30,"year":31,"doi":32,"url":10},"Carlson (1975). Auger Electron Spectroscopy. Photoelectron and Auger Spectroscopy.","Auger Electron Spectroscopy","Carlson","Photoelectron and Auger Spectroscopy",1975,"10.1007\u002F978-1-4757-0118-0_6",{"citationText":34,"title":35,"authors":36,"source":37,"year":38,"doi":39,"url":10},"Bubert (2002). Electron Detection. Surface and Thin Film Analysis.","Electron Detection","Bubert, Rivière","Surface and Thin Film Analysis",2002,"10.1002\u002F3527600167.ch2.2",{"citationText":41,"title":18,"authors":42,"source":43,"year":44,"doi":45,"url":10},"HOFMANN (1979). Auger electron spectroscopy. Comprehensive Analytical Chemistry Ultraviolet Photoelectron and Photoion Spectroscopy Auger Electron Spectroscopy Plasma Excitation in Spectrochemical Analysis.","HOFMANN","Comprehensive Analytical Chemistry Ultraviolet Photoelectron and Photoion Spectroscopy Auger Electron Spectroscopy Plasma Excitation in Spectrochemical Analysis",1979,"10.1016\u002Fb978-0-444-41732-9.50008-x",[47,50,53],{"question":48,"answer":49},"Cơ chế phát xạ electron Auger qua quá trình chuyển dịch ba mức năng lượng diễn ra như thế nào?","Chùm electron kích thích đánh bật một electron ở phân lớp vỏ trong (ví dụ vỏ K); một electron ở vỏ ngoài hơn (vỏ L1) chuyển xuống lấp chỗ trống và giải phóng năng lượng; năng lượng này không phát photon mà truyền không bức xạ cho một electron thứ ba (vỏ L2,3) để electron này bứt ra ngoài với động năng xác định đặc trưng cho nguyên tố.",{"question":51,"answer":52},"Tại sao quang phổ điện tử Auger (AES) có độ nhạy bề mặt cực kỳ vượt trội so với EDX?","Độ sâu thoát không đàn hồi (Inelastic Mean Free Path - IMFP) của các electron Auger chỉ từ 0,5 đến 5 nanomet (vài lớp nguyên tử trên cùng); các electron sinh ra sâu hơn sẽ bị tán xạ mất năng lượng và không đóng góp vào đỉnh phổ đặc trưng, trong khi EDX phân tích tia X phát ra từ độ sâu vài micromet.",{"question":54,"answer":55},"Phương pháp khắc ion kết hợp (Sputter Depth Profiling) được ứng dụng trong AES để làm gì?","Sử dụng chùm ion khí hiếm (như Ar+) bắn phá bóc tách từng lớp nguyên tử bề mặt luân phiên với phép đo AES, cho phép phân tích sự biến thiên thành phần nguyên tố theo chiều sâu của màng mỏng đa lớp.",{"id":57,"researcherId":10,"name":58,"imageUrl":59},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",{"id":61,"researcherId":10,"name":62,"imageUrl":63},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",[65,66,67,68,69,70,71,72,73,74],"phương pháp phân tích","độ phân giải","thành phần nguyên tố","oxi hóa","lớp phủ","vi mô","công nghệ nano","bán dẫn","photon","va chạm",10,true,"PUBLISHED","2025-05-24T09:52:34.430+00:00","2026-09-13T16:13:15.427+00:00","2025-06-18T10:07:38.823+00:00","2026-09-13T16:13:14.598+00:00",226,[84,87,90,93,96,99,102,105,108,111],{"id":85,"title":86,"term":85,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"bibliometrics","Bibliometrics là gì? Các nghiên cứu khoa học về Bibliometrics",{"id":88,"title":89,"term":88,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"nguyên tử hydro","Nguyên tử hydro là gì? Các công bố khoa học về Nguyên tử hydro",{"id":91,"title":92,"term":91,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"vật liệu nano","Vật liệu nano là gì? Các công bố khoa học về Vật liệu nano",{"id":94,"title":95,"term":94,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"ánh sáng nhìn thấy","Ánh sáng nhìn thấy là gì? Các nghiên cứu khoa học ",{"id":97,"title":98,"term":97,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"dẫn xuất","Dẫn xuất là gì? Các nghiên cứu khoa học về Dẫn xuất",{"id":100,"title":101,"term":100,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"tối ưu hoá","Tối ưu hoá là gì? Các nghiên cứu khoa học về Tối ưu hoá",{"id":103,"title":104,"term":103,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"simulation","Simulation là gì? Các nghiên cứu khoa học về mô phỏng",{"id":106,"title":107,"term":106,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"quang xúc tác","Quang xúc tác là gì? Nghiên cứu khoa học về Quang xúc tác",{"id":109,"title":110,"term":109,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hydrogen","Hydrogen là gì? Các công bố khoa học về Hydrogen",{"id":112,"title":113,"term":112,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"đặc điểm tâm lý","Đặc điểm tâm lý là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan"]