[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_quang%20kh%E1%BA%AFc{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_quang%20kh%E1%BA%AFc":27},{"code":4,"data":5,"meta":21},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":25,"vietnamLatest":26},[],[8],{"publicationId":9,"title":10,"originalTitle":11,"authorNames":12,"authorCount":16,"journalName":17,"vietnamJournal":18,"publishDate":19,"publishYear":20,"totalCitation":21,"url":22,"doi":23,"summary":24},"3bd0f660-5501-48d0-98c0-23766eef80cc","Mô hình phi tuyến và điều khiển đa biến trong công nghệ quang khắc","Nonlinear modeling and multivariable control of photolithography",[13,14,15],"S. Lachman-Shalem","B. Grosman","D.R. Lewin",3,"IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing",false,"2002-08-01",2002,null,"https:\u002F\u002Fieeexplore.ieee.org\u002Fabstract\u002Fdocument\u002F1022820\u002F","10.1109\u002FTSM.2002.801392","\u003Cp>Kỹ thuật điều khiển tự động tích hợp lập trình di truyền GP và điều khiển dự đoán mô hình phi tuyến NMPC nhằm tối ưu hóa đường chạy trong dây chuyền \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">quang khắc\u003C\u002Fb> vi mạch bán dẫn. Hệ thống điều khiển đa biến phản hồi thích nghi xử lý kịp thời độ trễ phi tuyến tính và biến động thông số quy trình chế tạo lớp cản quang. Giải pháp công nghệ nâng cao độ đồng đều bề mặt chi tiết và giảm đáng kể tỷ lệ sai lỗi vi hình học trong kỹ thuật \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">quang khắc\u003C\u002Fb>.\u003C\u002Fp>",[],[],{"code":4,"data":28,"meta":21},{"id":29,"title":30,"description":31,"content":32,"term":29,"englishTitle":21,"synonyms":21,"definition":21,"discipline":21,"references":21,"faqs":21,"createUser":33,"publishUser":37,"keywords":41,"keywordCount":21,"enrichTopicLink":18,"status":42,"createTime":43,"updateTime":44,"publishTime":45,"linkEnrichedTime":21,"publicationScanTime":46,"contentErrorMessage":21,"viewCount":47,"wikidataId":21,"relateTopics":48},"quang khắc","Quang khắc là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan","Quang khắc là kỹ thuật sử dụng ánh sáng để chuyển mẫu thiết kế vi mô từ mặt nạ lên lớp vật liệu nhạy sáng trên nền wafer bán dẫn. Đây là bước then chốt trong chế tạo vi mạch, cho phép tạo hoa văn nanomet bằng cách điều khiển quang hóa lớp photoresist qua nhiều chu kỳ chiếu sáng.","\u003Cdiv>\u003Ch2>Định nghĩa quang khắc\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nQuang khắc (photolithography) là quy trình sử dụng ánh sáng để chuyển một mẫu thiết kế vi mô từ mặt nạ (mask) lên bề mặt một lớp vật liệu nhạy sáng gọi là photoresist. Kỹ thuật này cho phép tạo ra các hoa văn cực nhỏ trên chất nền, thường là silicon, và được ứng dụng chủ yếu trong sản xuất vi mạch, MEMS và linh kiện nano.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nVề nguyên lý, ánh sáng chiếu qua mặt nạ có hình dạng mẫu cần tạo và tác động lên lớp photoresist đã được phủ trên wafer. Quá trình này làm thay đổi tính chất hóa học của photoresist tại những vùng được chiếu sáng, tạo ra sự khác biệt về độ hòa tan với vùng không bị chiếu. Sau đó, dung môi phát triển (developer) sẽ loại bỏ vùng photoresist cần thiết, để lại mẫu chính xác trên bề mặt wafer.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nQuang khắc là công nghệ then chốt trong lĩnh vực vi chế tạo. Khả năng tạo hoa văn chính xác ở cấp độ nanomet giúp duy trì mật độ transistor ngày càng cao, phù hợp với định luật Moore. Quá trình này đóng vai trò cốt lõi trong sản xuất các thế hệ chip tiên tiến, cảm biến hình ảnh, và linh kiện điện tử hiện đại.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nguyên lý hoạt động của quang khắc\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nQuá trình quang khắc bao gồm nhiều bước được thực hiện theo trình tự nghiêm ngặt để đảm bảo độ chính xác và đồng đều. Đầu tiên, bề mặt wafer được làm sạch và phủ một lớp mỏng photoresist bằng phương pháp quay ly tâm (spin coating). Lớp này có độ dày đồng đều từ vài trăm nanomet đến vài micromet, phụ thuộc vào ứng dụng cụ thể.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nTiếp theo, wafer được đem đi sấy mềm (soft bake) để làm bay hơi dung môi còn lại trong photoresist. Sau đó, ánh sáng được chiếu qua một mặt nạ (mask hoặc reticle) mang hình mẫu cần tạo. Ánh sáng đi qua mask sẽ tác động lên lớp photoresist theo mẫu thiết kế. Tùy loại photoresist sử dụng, vùng bị chiếu sáng sẽ trở nên dễ hòa tan (positive resist) hoặc khó hòa tan hơn (negative resist).\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nSau bước chiếu sáng, wafer được rửa bằng dung môi gọi là developer. Quá trình này sẽ hiện hình ảnh mẫu trên lớp photoresist. Phần còn lại của lớp photoresist sau khi hiện ảnh sẽ đóng vai trò mặt nạ che chắn trong các bước xử lý tiếp theo như khắc plasma hoặc cấy ion. Toàn bộ chu trình đòi hỏi độ chính xác cực cao về vị trí, liều lượng ánh sáng và thời gian xử lý.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Các thành phần chính trong hệ thống quang khắc\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nMột hệ thống quang khắc tiêu chuẩn bao gồm nhiều thành phần hoạt động đồng bộ để đảm bảo việc truyền mẫu chính xác từ mask lên wafer. Dưới đây là các thành phần cơ bản:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Wafer:\u003C\u002Fstrong> nền silicon hoặc vật liệu khác, là nơi chứa các linh kiện vi điện tử\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Photoresist:\u003C\u002Fstrong> vật liệu nhạy sáng có thể thay đổi tính chất hóa học khi bị chiếu sáng\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Mask\u002FReticle:\u003C\u002Fstrong> mặt nạ chứa mẫu thiết kế; mask toàn cỡ dùng cho chiếu song song, reticle thu nhỏ dùng cho chiếu thu phóng\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Nguồn sáng:\u003C\u002Fstrong> thường là tia cực tím với bước sóng cụ thể, từ 365 nm đến 13.5 nm (EUV)\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Hệ quang học:\u003C\u002Fstrong> gồm thấu kính, gương, và hệ thống chỉnh tia để định hình và dẫn hướng chùm sáng\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nBảng dưới đây so sánh vai trò của các thành phần chính:\n\u003C\u002Fp>\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"4\" cellspacing=\"0\">\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\n    \u003Cth>Thành phần\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>Chức năng chính\u003C\u002Fth>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Wafer\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Làm nền để tạo mạch tích hợp\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Photoresist\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Chịu tác động của ánh sáng để tạo hoa văn\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Mask\u002FReticle\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Định hình mẫu cần chuyển sang wafer\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Nguồn sáng\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Cung cấp năng lượng để kích hoạt phản ứng quang hóa\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Hệ quang học\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Điều chỉnh độ phân giải, vị trí và hình dạng chùm sáng\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phân loại quang khắc theo bước sóng\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nKỹ thuật quang khắc được phân loại dựa trên bước sóng ánh sáng sử dụng. Bước sóng càng nhỏ thì khả năng tạo mẫu càng tinh vi, nhờ vào giới hạn nhiễu xạ được giảm thiểu. Trong công nghiệp vi mạch hiện đại, các hệ thống chiếu sáng dùng laser và hệ quang học đặc biệt để đạt độ phân giải cực cao.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nCác loại quang khắc phổ biến theo bước sóng:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>G-line:\u003C\u002Fstrong> bước sóng 436 nm (tia thủy ngân), sử dụng cho các mẫu lớn, ít chính xác\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>I-line:\u003C\u002Fstrong> bước sóng 365 nm, nâng cao độ phân giải\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Deep UV (DUV):\u003C\u002Fstrong> bước sóng 248 nm (KrF) hoặc 193 nm (ArF), cho phép tạo mẫu dưới 100 nm\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Extreme UV (EUV):\u003C\u002Fstrong> bước sóng 13.5 nm, dùng trong công nghệ chip 5 nm và nhỏ hơn\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nĐộ phân giải \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\"> R \u003C\u002Fscript> của một hệ thống quang khắc có thể ước lượng bằng công thức Rayleigh:\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">R = k_1 \\cdot \\frac{\\lambda}{NA}\u003C\u002Fscript>\ntrong đó \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\"> \\lambda \u003C\u002Fscript> là bước sóng ánh sáng, \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\"> NA \u003C\u002Fscript> là khẩu độ số của hệ quang học, và \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\"> k_1 \u003C\u002Fscript> là hệ số công nghệ phụ thuộc vào cấu hình hệ thống. Để cải thiện độ phân giải, người ta giảm bước sóng, tăng khẩu độ số hoặc tối ưu mặt nạ.\n\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Vai trò trong công nghệ bán dẫn\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nQuang khắc là công đoạn trung tâm và lặp đi lặp lại trong chuỗi quy trình sản xuất vi mạch tích hợp. Mỗi lớp của một con chip – từ các lớp kim loại dẫn điện đến lớp transistor logic – đều được định hình bằng kỹ thuật quang khắc. Một chip hiện đại có thể trải qua 30–50 chu kỳ quang khắc, mỗi chu kỳ tương ứng với một lớp mạch điện riêng biệt.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nĐộ chính xác của từng bước quang khắc quyết định mật độ transistor, năng suất, tốc độ xử lý và tiêu thụ điện năng của sản phẩm cuối cùng. Sai số nhỏ trong căn chỉnh (alignment) có thể dẫn đến lỗi logic, làm giảm hiệu suất hoặc khiến chip không hoạt động. Do đó, hệ thống quang khắc hiện đại phải kiểm soát được các yếu tố như rung, nhiệt, ánh sáng tán xạ và bụi ở cấp độ nanomet.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nCác nhà sản xuất bán dẫn lớn như Intel, TSMC, và Samsung sử dụng quang khắc để tạo ra các thế hệ chip từ 10 nm, 7 nm cho đến 3 nm. Công nghệ quang khắc càng tiên tiến thì khả năng sản xuất chip hiệu năng cao, kích thước nhỏ, tiêu hao năng lượng thấp càng lớn. Xem thêm tại \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.research.ibm.com\u002Fblog\u002F2nm-chip\" target=\"_blank\">IBM Research\u003C\u002Fa> về công nghệ chip 2 nm dựa trên quang khắc EUV.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Quang khắc EUV (Extreme Ultraviolet)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nQuang khắc EUV là bước nhảy vọt trong công nghệ chế tạo bán dẫn, sử dụng ánh sáng có bước sóng 13.5 nm – nhỏ hơn nhiều so với các hệ thống deep UV (193 nm). Nhờ bước sóng ngắn, EUV có thể tạo mẫu ở mức dưới 7 nm mà không cần kỹ thuật patterning nhiều lần (multiple patterning), giảm đáng kể độ phức tạp và chi phí xử lý.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nTuy nhiên, việc vận hành hệ thống EUV đòi hỏi các điều kiện đặc biệt:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Toàn bộ hệ thống phải hoạt động trong chân không tuyệt đối, vì ánh sáng EUV bị hấp thụ bởi không khí\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Không sử dụng thấu kính thủy tinh thông thường, thay vào đó là hệ gương đa lớp phản xạ\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Yêu cầu nguồn sáng cực mạnh – dùng plasma sinh ra bởi laser CO₂\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nBảng so sánh giữa DUV và EUV:\n\u003C\u002Fp>\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"4\" cellspacing=\"0\">\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\n    \u003Cth>Tiêu chí\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>DUV (193 nm)\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>EUV (13.5 nm)\u003C\u002Fth>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Độ phân giải\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>~20 nm (với multiple patterning)\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>< 10 nm\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Số bước xử lý\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Nhiều (khó kiểm soát lỗi)\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Ít hơn, đơn giản hơn\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Chi phí thiết bị\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Thấp hơn\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Rất cao\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Nhà cung cấp\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>Nhiều hãng\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.asml.com\u002Fen\u002Fproducts\u002Feuv-lithography\" target=\"_blank\">ASML (độc quyền)\u003C\u002Fa>\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nEUV hiện đang được triển khai trong sản xuất chip 5 nm, 3 nm và là chìa khóa để tiến tới các thế hệ 2 nm hoặc nhỏ hơn trong tương lai gần.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Các kỹ thuật nâng cao trong quang khắc\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nKhi bước sóng ánh sáng không thể tiếp tục giảm vì giới hạn vật lý, các kỹ thuật cải tiến được phát triển để tăng độ phân giải mà không cần thay đổi bước sóng. Những kỹ thuật này cho phép duy trì định luật Moore trong giai đoạn chuyển tiếp giữa DUV và EUV.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nMột số kỹ thuật nâng cao gồm:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Immersion lithography:\u003C\u002Fstrong> sử dụng chất lỏng có chiết suất cao (thường là nước tinh khiết) giữa thấu kính và wafer để tăng khẩu độ số \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\"> NA \u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Multiple patterning:\u003C\u002Fstrong> chia mẫu ra thành nhiều bước quang khắc và căn chỉnh chồng lớp chính xác\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Phase-shift mask (PSM):\u003C\u002Fstrong> cải thiện độ tương phản bằng cách điều chỉnh pha ánh sáng truyền qua mask\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Optical proximity correction (OPC):\u003C\u002Fstrong> điều chỉnh mẫu mask để bù cho hiệu ứng nhiễu xạ\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nNhững phương pháp này được kết hợp với thuật toán mô phỏng quang học và học máy để tối ưu hóa mẫu thiết kế và đảm bảo hoa văn được tạo ra giống như mong muốn, ngay cả khi vượt qua giới hạn nhiễu xạ cổ điển.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Hạn chế và thách thức kỹ thuật\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nDù mang lại độ phân giải cao và độ chính xác tuyệt vời, quang khắc vẫn đối mặt với nhiều thách thức trong triển khai quy mô lớn:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Chi phí đầu tư rất cao, đặc biệt là với hệ thống EUV\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Độ chính xác về vị trí cần đạt mức nanomet khi chồng lớp (overlay)\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Hiệu ứng nhiễu xạ khiến hình ảnh trên wafer không hoàn toàn giống mask\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Vật liệu photoresist phải đáp ứng yêu cầu phân giải, độ nhạy và độ bền cao cùng lúc\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nBên cạnh đó, năng suất thấp của hệ thống EUV do nguồn sáng yếu cũng là trở ngại. Việc bảo trì, căn chỉnh, và hoạt động trong môi trường chân không yêu cầu trình độ kỹ thuật cao và hệ thống hỗ trợ phức tạp. Các nhóm nghiên cứu đang phát triển resist thế hệ mới, mô hình học sâu cho thiết kế mask, và giải pháp quang học thích nghi để vượt qua những giới hạn này.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng ngoài bán dẫn\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nQuang khắc không chỉ giới hạn trong ngành sản xuất chip mà còn có ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực khác như công nghệ MEMS (vi cơ điện tử), lab-on-a-chip, cảm biến sinh học và quang học tích hợp. Kỹ thuật này giúp chế tạo các cấu trúc vi mô có hình dạng và độ chính xác theo thiết kế, phù hợp cho các hệ thống vi lưu (microfluidics) hoặc cảm biến quang học.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nVí dụ:\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>Chế tạo vi kênh để phân tích hóa học trong thiết bị y sinh\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tạo thấu kính vi mô cho máy ảnh di động hoặc thiết bị AR\u002FVR\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>In cấu trúc nano để tạo bề mặt chống bám nước, chống phản xạ\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nTại các trung tâm nghiên cứu như \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.mit.edu\" target=\"_blank\">MIT\u003C\u002Fa> hoặc \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.caltech.edu\" target=\"_blank\">Caltech\u003C\u002Fa>, quang khắc đang được ứng dụng để tạo ra nền tảng cảm biến y tế, cảm biến sinh học tích hợp, và robot mềm có cấu trúc microfluidic bên trong.\n\n\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Kết luận\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>\nQuang khắc là công nghệ cốt lõi trong ngành vi điện tử, cho phép chế tạo các linh kiện điện tử với độ phân giải cao, mật độ lớn và hiệu năng tối ưu. Từ công nghệ G-line cổ điển đến EUV hiện đại, quá trình này đã tiến hóa không ngừng để đáp ứng yêu cầu thu nhỏ ngày càng khắt khe của ngành công nghiệp.\n\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\nTrong tương lai, sự kết hợp giữa quang khắc và các công nghệ mô phỏng, trí tuệ nhân tạo, vật liệu mới sẽ giúp vượt qua giới hạn vật lý hiện tại. Quang khắc sẽ tiếp tục là trụ cột trong tiến trình phát triển công nghệ nano, y học chính xác và các hệ thống điện tử thế hệ tiếp theo.\n\n\u003C\u002Fp>\u003C\u002Fdiv>",{"id":34,"researcherId":21,"name":35,"imageUrl":36},2681,"Cuong Ta","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocKFuWh0ZD601Hp0_V_2xAK3kIOs20Kyv3V5ZLBo6fwfjyymJYzE=s96-c",{"id":38,"researcherId":21,"name":39,"imageUrl":40},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",[29],"PUBLISHED","2025-05-27T01:38:43.625+00:00","2026-09-03T02:12:30.201+00:00","2025-06-01T04:05:33.349+00:00","2026-09-03T02:12:30.199+00:00",557,[49,52,63,73,78,89,95,100,110,116],{"id":50,"title":51,"term":50,"englishTitle":21,"definition":21,"discipline":21,"disciplineCode":21,"disciplineLabel":21,"disciplineColor":21,"disciplineIcon":21},"quy trình cmos","Quy trình cmos là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":53,"title":54,"term":55,"englishTitle":56,"definition":57,"discipline":58,"disciplineCode":59,"disciplineLabel":60,"disciplineColor":61,"disciplineIcon":62},"độ phẳng cao","Độ phẳng cao (high flatness) là gì?","Độ phẳng cao","high flatness","Độ phẳng cao là trạng thái hình học của bề mặt kỹ thuật khi các sai lệch về độ phẳng được khống chế ở thang đo micromet đến dưới nanomet so với mặt phẳng chuẩn lý tưởng.","ENGINEERING_TECHNOLOGY","engineering-technology","Kỹ thuật và công nghệ","#5B62F4","cpu",{"id":64,"title":65,"term":64,"englishTitle":66,"definition":67,"discipline":68,"disciplineCode":69,"disciplineLabel":70,"disciplineColor":71,"disciplineIcon":72},"quản trị kinh doanh","Quản trị kinh doanh (business administration) là gì?","business administration","Quản trị kinh doanh là ngành khoa học ứng dụng nghiên cứu quá trình hoạch định, tổ chức, lãnh đạo và kiểm soát các nguồn lực nhằm đạt được mục tiêu của doanh nghiệp.","SOCIAL_SCIENCES","social-sciences","Khoa học xã hội","#E08600","users",{"id":74,"title":75,"term":74,"englishTitle":76,"definition":77,"discipline":68,"disciplineCode":69,"disciplineLabel":70,"disciplineColor":71,"disciplineIcon":72},"kiểm tra học kì","Kiểm tra học kì (semester examination) là gì?","semester examination","Kiểm tra học kì là hình thức đánh giá tổng kết định kỳ nhằm xác định mức độ đạt chuẩn kiến thức, kĩ năng của người học sau khi kết thúc một học kì đào tạo.",{"id":79,"title":80,"term":81,"englishTitle":82,"definition":83,"discipline":84,"disciplineCode":85,"disciplineLabel":86,"disciplineColor":87,"disciplineIcon":88},"cpv type 2a","Canine Parvovirus type 2a (CPV-2a) là gì?","Canine Parvovirus type 2a","canine parvovirus type 2a","Canine Parvovirus type 2a (CPV-2a) là một biến chủng kháng nguyên của virus Parvo ở chó (Canine Parvovirus type 2 - CPV-2) gây bệnh viêm ruột xuất huyết truyền nhiễm cấp tính ở các loài thuộc họ Chó và có khả năng lây nhiễm sang loài mèo.","MEDICAL_HEALTH_SCIENCES","medical-health-sciences","Khoa học y - dược","#D6336C","stethoscope",{"id":90,"title":91,"term":92,"englishTitle":93,"definition":94,"discipline":68,"disciplineCode":69,"disciplineLabel":70,"disciplineColor":71,"disciplineIcon":72},"luật di cư","Luật di cư (migration law) là gì?","Luật di cư","migration law","Luật di cư (migration law) là tập hợp các nguyên tắc và quy phạm pháp luật quốc gia cũng như quốc tế điều chỉnh sự dịch chuyển của cá nhân qua biên giới lãnh thổ, quy định điều kiện xuất nhập cảnh, cư trú và xác lập quy chế pháp lý cho người di cư. Lĩnh vực này thiết lập sự cân bằng giữa quyền chủ quyền kiểm soát biên giới của quốc gia và các nghĩa vụ bảo vệ quyền con người phổ quát.",{"id":96,"title":97,"term":96,"englishTitle":98,"definition":99,"discipline":68,"disciplineCode":69,"disciplineLabel":70,"disciplineColor":71,"disciplineIcon":72},"vi phạm quyền","Vi phạm quyền là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","Infringement of rights","Vi phạm quyền (infringement of rights) là hành vi trái pháp luật do cá nhân hoặc tổ chức thực hiện, xâm phạm trực tiếp đến các quyền và lợi ích hợp pháp đã được pháp luật hoặc điều ước quốc tế công nhận và bảo hộ, mà không có căn cứ miễn trừ hoặc sự chấp thuận hợp pháp từ chủ thể mang quyền.",{"id":101,"title":102,"term":101,"englishTitle":103,"definition":104,"discipline":105,"disciplineCode":106,"disciplineLabel":107,"disciplineColor":108,"disciplineIcon":109},"ngoại ngữ","Ngoại ngữ là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan","Foreign language","Ngoại ngữ (foreign language) là ngôn ngữ không phải tiếng mẹ đẻ của một cá nhân và không được sử dụng làm phương tiện giao tiếp chính thức hoặc ngôn ngữ bản địa trong cộng đồng xã hội nơi người đó cư trú thường xuyên, thường được tiếp nhận thông qua hoạt động giáo dục có chủ đích.","HUMANITIES","humanities","Nhân văn và nghệ thuật","#9333EA","book-open",{"id":111,"title":112,"term":113,"englishTitle":114,"definition":115,"discipline":84,"disciplineCode":85,"disciplineLabel":86,"disciplineColor":87,"disciplineIcon":88},"cpv type 2b","Canine Parvovirus type 2b (CPV-2b) là gì?","Canine Parvovirus type 2b","canine parvovirus type 2b","Canine Parvovirus type 2b (CPV-2b) là một biến chủng kháng nguyên của virus Parvo (Canine Parvovirus type 2 - CPV-2) gây bệnh viêm ruột xuất huyết truyền nhiễm ở chó.",{"id":117,"title":118,"term":117,"englishTitle":119,"definition":120,"discipline":68,"disciplineCode":69,"disciplineLabel":70,"disciplineColor":71,"disciplineIcon":72},"cấu trúc sản xuất","Cấu trúc sản xuất là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","Production structure","Cấu trúc sản xuất (production structure) là cách thức kết hợp, tổ chức và tương tác công nghệ giữa các yếu tố đầu vào (vốn, lao động, nguyên vật liệu và công nghệ) trong một hệ thống kinh tế hoặc doanh nghiệp nhằm tối ưu hóa sản lượng đầu ra và chi phí vận hành."]