[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_ph%C3%A2n%20c%E1%BB%B1c%20spin{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_ph%C3%A2n%20c%E1%BB%B1c%20spin":38},{"code":4,"data":5,"meta":16},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":36,"vietnamLatest":37},[],[8,23],{"publicationId":9,"title":10,"originalTitle":11,"authorNames":12,"authorCount":15,"journalName":16,"vietnamJournal":17,"publishDate":18,"publishYear":19,"totalCitation":16,"url":20,"doi":21,"summary":22},"356cfa2b-af75-451c-98ae-e05d726595a1","Nghiên cứu sự thả lỏng từ dọc của hỗn hợp lỏng 3He-4He","Study of Bulk Longitudinal Spin Relaxation in 3He-4He Liquid Mixtures",[13,14],"Nathalie Piegay","Geneviève Tastevin",2,null,false,"2002-01-01",2002,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1023\u002FA:1013791506574","10.1023\u002FA:1013791506574","\u003Cp>Thực nghiệm vật lý nhiệt độ thấp đo đạc thời gian hồi phục spin dọc và độ tự do \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">phân cực spin\u003C\u002Fb> hạt nhân trong hỗn hợp lỏng helium 3He-4He ở vùng nhiệt độ mili-Kelvin. Tác giả phân tích cơ chế tương tác lưỡng cực từ và ảnh hưởng của biên giới hạn thành bình thí nghiệm đến độ suy giảm từ hóa. Dữ liệu cung cấp hiểu biết quan trọng về các tính chất động học của chất lỏng lượng tử Fermi.\u003C\u002Fp>",{"publicationId":24,"title":25,"originalTitle":26,"authorNames":27,"authorCount":29,"journalName":30,"vietnamJournal":17,"publishDate":31,"publishYear":32,"totalCitation":16,"url":33,"doi":34,"summary":35},"18b102cb-9bdf-40d9-a0b1-e63519d35e13","Các lagrangian chiral hiệu quả với baryon - Sự phân tách khối lượng của các đối tác phân cực spin 1\u002F2","Effective chiral lagrangians with baryons—the mass splitting of the spin 1\u002F2 parity partners",[28],"G. A. Christos",1,"Zeitschrift für Physik C Particles and Fields","1983-03-01",1983,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1007\u002FBF01648780","10.1007\u002FBF01648780","\u003Cp>Nghiên cứu vật lý hạt nhân lý thuyết áp dụng Lagrangian đối xứng chiral hiệu dụng để tính toán độ tách khối lượng của các baryon trong trạng thái có độ \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">phân cực spin\u003C\u002Fb> khác nhau gồm bát tử spin 1\u002F2 và thập tử spin 3\u002F2. Tác giả phân tích các số hạng hiệu chỉnh phá vỡ đối xứng vị do khối lượng hạt quark sinh ra. Công trình đóng góp luận điểm toán học vững chắc cho quang phổ học hạt hadron năng lượng cao.\u003C\u002Fp>",[],[],{"code":4,"data":39,"meta":16},{"id":40,"title":41,"description":42,"content":43,"term":40,"englishTitle":16,"synonyms":16,"definition":16,"discipline":16,"references":16,"faqs":16,"createUser":44,"publishUser":48,"keywords":49,"keywordCount":56,"enrichTopicLink":17,"status":57,"createTime":58,"updateTime":59,"publishTime":60,"linkEnrichedTime":61,"publicationScanTime":62,"contentErrorMessage":16,"viewCount":63,"wikidataId":16,"relateTopics":64},"phân cực spin","Phân cực spin là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","Phân cực spin đo lường tỷ lệ chênh lệch giữa mật độ electron có spin lên và spin xuống, phản ánh mức độ đồng nhất của hướng spin trong hệ vật liệu. Giá trị phân cực spin P = (n\\_up - n\\_down)\u002F(n\\_up + n\\_down) dao động từ -1 đến +1, với ±1 tương ứng toàn bộ electron phân cực hoàn toàn cùng hướng. ","\u003Cdiv>\u003Ch2>Tóm tắt\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phân cực spin là đại lượng đo lường tỷ lệ chênh lệch giữa mật độ electron có spin lên (↑) và spin xuống (↓) trong một hệ vật liệu hoặc dòng điện, phản ánh mức độ đồng nhất của hướng spin. Đại lượng này quan trọng trong lĩnh vực spintronics, vật lý chất rắn và công nghệ cảm biến từ, đồng thời ứng dụng trong cộng hưởng từ hạt nhân (MRI) và điện toán lượng tử.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Giá trị phân cực spin P dao động từ –1 đến +1, trong đó P = ±1 tương ứng với electron hoàn toàn đồng hướng về một phía; P = 0 cho trường hợp không {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ph%C3%A2n%20c%E1%BB%B1c%22%7D}}. Việc tạo và đo phân cực spin đòi hỏi các kỹ thuật bơm quang, ghép spin và đo bằng {{topic|%7B%22topic%22%3A%22c%E1%BB%99ng%20h%C6%B0%E1%BB%9Fng%20t%E1%BB%AB%22%7D}} electron, giúp khai thác thêm phương diện spin ngoài {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%C4%91i%E1%BB%87n%20t%C3%ADch%22%7D}} trong thiết kế linh kiện {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%C4%91i%E1%BB%87n%20t%E1%BB%AD%22%7D}} thế hệ mới.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Định nghĩa phân cực spin\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phân cực spin P được định nghĩa theo công thức:\u003C\u002Fp>\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">P = \\frac{n_{\\uparrow} - n_{\\downarrow}}{n_{\\uparrow} + n_{\\downarrow}}\u003C\u002Fscript>\n\u003Cp>Trong đó \u003Cem>n\u003Csub>↑\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> và \u003Cem>n\u003Csub>↓\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> lần lượt là {{topic|%7B%22topic%22%3A%22m%E1%BA%ADt%20%C4%91%E1%BB%99%20electron%22%7D}} ở trạng thái spin lên và spin xuống. Khi \u003Cem>n\u003Csub>↑\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> = \u003Cem>n\u003Csub>↓\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem>, P = 0, hệ không phân cực. Khi \u003Cem>n\u003Csub>↓\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> = 0 hoặc \u003Cem>n\u003Csub>↑\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> = 0, P = ±1, hệ hoàn toàn phân cực.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Phân cực spin có thể tính cho: electron cận Fermi trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22v%E1%BA%ADt%20li%E1%BB%87u%20kim%20lo%E1%BA%A1i%22%7D}} từ tính, dòng điện spin-polarized trong ổ đĩa cứng GMR\u002FTMR, hoặc spin của hạt nhân trong MRI. Đại lượng này quyết định hiệu suất chuyển hóa spin thành tín hiệu điện hoặc quang trong các thiết bị spintronics.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nguyên lý spin electron\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Electron mang moment động lượng tự quay (spin) ℏ\u002F2 và moment từ liên kết μ = g μ\u003Csub>B\u003C\u002Fsub> S, với μ\u003Csub>B\u003C\u002Fsub> là Bohr magneton và g ≈ 2. Hai trạng thái cơ bản spin “lên” (↑) và “xuống” (↓) tương ứng với spin quantum number m\u003Csub>s\u003C\u002Fsub> = +1\u002F2 và –1\u002F2.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Sự tương tác Zeeman trong từ trường \u003Cem>B\u003C\u002Fem> làm tách năng lượng giữa hai trạng thái spin theo công thức:\u003C\u002Fp>\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\\Delta E = g \\mu_B B\u003C\u002Fscript>\n\u003Cp>Điều này cho phép điều chỉnh tương đối mật độ electron spin lên và xuống bằng cách áp dụng từ trường hoặc bơm quang có phân cực, từ đó tạo ra phân cực spin.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\u003Cth>Thuộc tính\u003C\u002Fth>\u003Cth>Spin lên (↑)\u003C\u002Fth>\u003Cth>Spin xuống (↓)\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Năng lượng Zeeman\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>–½ g μ\u003Csub>B\u003C\u002Fsub> B\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>+½ g μ\u003Csub>B\u003C\u002Fsub> B\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Moment từ\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Song song B\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Ngược hướng B\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Ch2>Cơ chế tạo phân cực spin\u003C\u002Fh2>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Bơm quang (Optical Pumping):\u003C\u002Fstrong> Ánh sáng phân cực tròn (circularly polarized light) chiếu vào bán dẫn hoặc nguyên tử kim loại, chọn lọc kích thích electron spin lên hoặc xuống, tạo chênh lệch mật độ \u003Cem>n\u003Csub>↑\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> ≠ \u003Cem>n\u003Csub>↓\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1103\u002FRevModPhys.52.341\" target=\"_blank\">Rev. Mod. Phys.\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Ghép spin (Spin Injection):\u003C\u002Fstrong> Dòng electron từ một vật liệu từ tính (ferromagnet) được tiêm vào bán dẫn, mang theo phân cực spin vốn có; hiệu suất phụ thuộc tiếp giáp vật liệu và độ tương thích công suất (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.nist.gov\u002Fpml\u002Fspin-measurements\" target=\"_blank\">NIST – Spin Measurements\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Hiệu ứng Hall spin (Spin Hall Effect):\u003C\u002Fstrong> Dòng điện qua vật liệu có tương tác spin–orbit mạnh tạo ra độ lệch electron theo chiều spin khác nhau về hai biên, dẫn đến tích tụ spin ngược chiều đối lập (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fpubs.acs.org\u002Fdoi\u002F10.1021\u002Fnn400960f\" target=\"_blank\">ACS Nano\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Các cơ chế trên cho phép linh hoạt tạo phân cực spin trong môi trường khác nhau—từ pha rắn đến khí—mở rộng ứng dụng trong lưu trữ spin, transistor spin, và cảm biến spin.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Phương pháp đo lường phân cực spin\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phân cực spin trong vật liệu và dòng điện được đo lường bằng nhiều kỹ thuật khác nhau, mỗi phương pháp có độ nhạy và đặc tính phù hợp từng ứng dụng. Electron Spin Resonance (ESR), hay còn gọi là Electron Paramagnetic Resonance (EPR), là kỹ thuật phổ biến nhất để xác định tỷ lệ spin lên\u002Fxuống qua phép đo cộng hưởng từ electron khi chiếu sóng vi ba trong từ trường ổn định (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.ncbi.nlm.nih.gov\u002Fbooks\u002FNBK21116\u002F\" target=\"_blank\">NCBI Bookshelf\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Spin-resolved photoemission spectroscopy (SR-PES) sử dụng ánh sáng cực tím hoặc tia X để giải phóng electron khỏi bề mặt vật liệu, sau đó tách và đếm electron theo hướng spin. Phương pháp này cho độ phân giải năng lượng và phân cực cao, thích hợp khảo sát phân cực spin gần mặt ngoài cùng (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1063\u002F1.5137385\" target=\"_blank\">J. Appl. Phys.\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Spin-polarized scanning tunneling microscopy (SP-STM) cho phép tạo ảnh không gian với độ phân giải nguyên tử, phát hiện chênh lệch điện áp tunneling giữa electron spin lên và spin xuống. SP-STM ứng dụng cảm biến từ mũi nhọn ferromagnet để lập bản đồ phân cực spin bề mặt (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.nist.gov\u002Fpml\u002Fspin-measurements\" target=\"_blank\">NIST Spin Measurements\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong spintronics\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Spintronics là ngành công nghệ khai thác phân cực spin electron để lưu trữ và xử lý thông tin với hiệu suất cao hơn công nghệ điện tử truyền thống. Thiết bị GMR (Giant Magnetoresistance) dựa trên sự thay đổi trở kháng khi phân cực spin thay đổi tại tiếp giáp giữa các lớp ferromagnet và spacer, đã cách mạng hóa ổ cứng máy tính (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1103\u002FPhysRevLett.61.2472\" target=\"_blank\">Phys. Rev. Lett.\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Tunnel Magnetoresistance (TMR) sử dụng hàng rào hầm điện tử (MgO) giữa hai lớp ferromagnet, đạt tỷ lệ magnetoresistance >200% ở nhiệt độ phòng. TMR là nền tảng cho MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), cho phép lưu trữ dữ liệu không mất khi tắt nguồn và khởi động nhanh chóng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>MRAM:\u003C\u002Fstrong> bộ nhớ thay thế flash với độ bền ghi xóa >10\u003Csup>15\u003C\u002Fsup> chu kỳ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Spin Transistors:\u003C\u002Fstrong> điều khiển dòng điện bằng spin, hứa hẹn giảm tiêu thụ năng lượng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Spin Logic:\u003C\u002Fstrong> thiết kế mạch logic dựa trên hiệu ứng spin–orbit và spin transfer torque.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong cộng hưởng từ hạt nhân (MRI)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong MRI, phân cực spin của hạt nhân (phổ biến nhất là proton trong nước) được tạo bởi từ trường mạnh B\u003Csub>0\u003C\u002Fsub> (1.5–7 T), tỷ lệ spin lên\u002Fxuống P\u003Csub>n\u003C\u002Fsub> theo Boltzmann:\u003C\u002Fp>\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">P_n = \\tanh\\Bigl(\\frac{\\gamma \\hbar B_0}{2 k_B T}\\Bigr)\u003C\u002Fscript>\n\u003Cp>Trong đó γ là tỷ lệ từ gyromagnetic, k\u003Csub>B\u003C\u002Fsub> Boltzmann constant và T nhiệt độ tuyệt đối. Giá trị P\u003Csub>n\u003C\u002Fsub> thường rất nhỏ (~10\u003Csup>–5\u003C\u002Fsup>–10\u003Csup>–6\u003C\u002Fsup>), vì vậy nhiều kỹ thuật tăng cường như hyperpolarization (bơm quang hoặc dòng ngoài) được ứng dụng để nâng tín hiệu (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.mri-q.com\" target=\"_blank\">MRI-Q\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hyperpolarized MRI sử dụng các chất như \u003Csup>13\u003C\u002Fsup>C-pyruvate, tạo phân cực spin >10% nhờ Dynamic Nuclear Polarization (DNP), giúp hình ảnh hóa hoạt động chuyển hóa và vi tuần hoàn với độ tương phản vượt trội.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong vật liệu từ tính\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phân cực spin xác định tính từ của nhiều hợp kim Heusler, manganite và tunsten dichalcogenide (TMD) hai chiều. Ví dụ hợp kim Co\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>MnSi có phân cực spin lý thuyết 100%, được nghiên cứu cho ứng dụng spin injector trong spintronics (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1103\u002FPhysRevB.70.174408\" target=\"_blank\">Phys. Rev. B\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Vật liệu topological insulator như Bi\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>Se\u003Csub>3\u003C\u002Fsub> biểu hiện phân cực spin mạnh trên bề mặt, mang thế hệ dòng spin không khử pha, mở ra tiềm năng trong điện toán spin-lattice và cảm biến từ nano (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fdoi.org\u002F10.1038\u002Fnmat3182\" target=\"_blank\">Nat. Mater.\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Thách thức và hạn chế\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Giữ độ phân cực spin lâu dài là thách thức lớn do quá trình mất pha (spin relaxation) qua tương tác spin–lattice và spin–spin. Thời gian T\u003Csub>1\u003C\u002Fsub> (relaxation longitudinal) và T\u003Csub>2\u003C\u002Fsub> (relaxation ngang) thường dao động từ ps đến ns trong chất rắn và μs–ms trong chất lỏng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Độ hiệu quả ghép spin giữa các vật liệu (ferromagnet → bán dẫn) phụ thuộc rào cản năng lượng và tương thích băng tần, thường chỉ đạt <50% tại nhiệt độ phòng. Nhiệt độ thấp (4 K) giúp cải thiện nhưng không thực tế cho ứng dụng hàng ngày.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Xu hướng nghiên cứu tương lai\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Spin qubit trong điện toán lượng tử sử dụng phân cực spin của electron hoặc hạt nhân để mã hóa bit lượng tử. Các hệ quantum dot, defect center (NV center trong kim cương) đang được phát triển cho thời gian decoherence >1 ms (\u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.nature.com\u002Farticles\u002Fnphys2498\" target=\"_blank\">Nat. Phys.\u003C\u002Fa>).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hiệu ứng spin–orbit mạnh trong vật liệu 2D (WTe\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>, MoS\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>) tạo ra Spin–Orbit Torque (SOT), hỗ trợ chuyển mạch spintronics tốc độ cao và giảm tiêu thụ năng lượng. Spin-photonics kết hợp spin và quang học nano mở đường cho truyền thông lượng tử và bộ khuếch đại tín hiệu quang.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Spin Qubit:\u003C\u002Fstrong> decoherence >1 ms, ứng dụng lượng tử.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>SOT Devices:\u003C\u002Fstrong> logic spin tốc độ >10 GHz.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Spin-Photonics:\u003C\u002Fstrong> truyền tín hiệu spin qua photon, giao tiếp lượng tử.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003C\u002Fdiv>",{"id":45,"researcherId":16,"name":46,"imageUrl":47},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",{"id":45,"researcherId":16,"name":46,"imageUrl":47},[50,51,52,53,54,55],"phân cực","cộng hưởng từ","điện tích","điện tử","mật độ electron","vật liệu kim loại",6,"PUBLISHED","2025-06-13T02:14:10.387+00:00","2026-09-04T11:10:09.505+00:00","2025-06-13T03:02:11.731+00:00","2026-09-04T11:10:09.039+00:00","2026-09-04T10:21:54.476+00:00",438,[65,68,71,74,77,80,83,86,89,92],{"id":66,"title":67,"term":66,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"hydroxy","Hydroxy là gì? Các công bố khoa học về Hydroxy",{"id":69,"title":70,"term":69,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"nguyên tử hydro","Nguyên tử hydro là gì? Các công bố khoa học về Nguyên tử hydro",{"id":72,"title":73,"term":72,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"dòng điện xoáy","Dòng điện xoáy là gì? Các công bố khoa học về Dòng điện xoáy",{"id":75,"title":76,"term":75,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"thủy phân enzyme","Thủy phân enzyme là gì? Các nghiên cứu khoa học về Thủy phân enzyme",{"id":78,"title":79,"term":78,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"random forest","Random forest là gì? Các công bố khoa học về Random forest",{"id":81,"title":82,"term":81,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"thân nhiệt","Thân nhiệt là gì? Các nghiên cứu khoa học về Thân nhiệt",{"id":84,"title":85,"term":84,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"tái sử dụng","Tái sử dụng là gì? Các nghiên cứu khoa học về Tái sử dụng",{"id":87,"title":88,"term":87,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"hạt nhân","Hạt nhân là gì? Các nghiên cứu khoa học về Hạt nhân",{"id":90,"title":91,"term":90,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"ligand","Ligand là gì? Các nghiên cứu khoa học về Ligand",{"id":93,"title":94,"term":93,"englishTitle":16,"definition":16,"discipline":16,"disciplineCode":16,"disciplineLabel":16,"disciplineColor":16,"disciplineIcon":16},"hydrophilic","Hydrophilic là gì? Các công bố khoa học về Hydrophilic"]