[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_l%E1%BB%97%20tr%E1%BB%91ng{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_lỗ trống":38},{"code":4,"data":5,"meta":17},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":36,"vietnamLatest":37},[],[8,24],{"publicationId":9,"title":10,"originalTitle":11,"authorNames":12,"authorCount":16,"journalName":17,"vietnamJournal":18,"publishDate":19,"publishYear":20,"totalCitation":17,"url":21,"doi":22,"summary":23},"400cb904-3f21-4d24-a663-25aea09ddd58","Ủ nhiệt thông thường và ủ nhiệt nhanh các khuyết tật khuyết oxy thuận từ (tâm E′1) trong SiO2 vô định hình được cấy ion: quá trình tái hợp đơn phân tử","Conventional and Rapid Thermal Annealing of Paramagnetic Oxygen Vacancy Defects (E′1 Centers) in Ion Implanted Amorphous SiO2: A Uni-Molcular Recombination Process",[13,14,15],"A. Golanski","N. Chan Tung","J. C. Pfister",4,null,false,"2011-02-25",2011,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1557\u002FPROC-45-355","10.1557\u002FPROC-45-355","\u003Cp>Thực nghiệm vật lý chất rắn khảo sát phục hồi khuyết tật \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">lỗ trống\u003C\u002Fb> oxy thuận từ \u003Ci>oxygen vacancy\u003C\u002Fi> trong màng vô định hình SiO2. Phép đo cộng hưởng thuận từ ghi nhận \u003Cb>tái hợp đơn phân tử diễn ra mạnh mẽ làm suy giảm nồng độ tâm khuyết tật E1\u003C\u002Fb> dưới tác động nhiệt. Kết quả giúp cải thiện độ bền bức xạ cho linh kiện, dù khuếch tán nhiệt độ cao còn phức tạp.\u003C\u002Fp>",{"publicationId":25,"title":26,"originalTitle":27,"authorNames":28,"authorCount":30,"journalName":17,"vietnamJournal":18,"publishDate":31,"publishYear":32,"totalCitation":17,"url":33,"doi":34,"summary":35},"20469e85-96d9-482f-a460-2a731daa20f8","Nồng độ nút khuyết tại các ranh giới phản pha trong hợp kim trật tự ba cấu tử","Vacancy concentration at antiphase boundaries in ternary ordered alloys",[29],"V. P. Fadin",1,"1970-01-01",1970,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1007\u002FBF00817231","10.1007\u002FBF00817231","\u003Cp>Nghiên cứu tính toán nhiệt động học kim loại khảo sát sự phụ thuộc mật độ khuyết tật \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">lỗ trống\u003C\u002Fb> \u003Ci>vacancy\u003C\u002Fi> tại ranh giới phản pha trong hợp kim trật tự ba cấu tử mạng lập phương tâm khối. Mô hình giải tích chỉ ra \u003Cb>nồng độ lỗ trống biến thiên phi tuyến theo trật tự tầm xa và mức độ tương tác của nguyên tử tạp chất\u003C\u002Fb> trong hợp kim. Phát hiện đóng góp dữ liệu định lượng cho việc xử lý nhiệt hợp kim chịu tải, song cần kiểm chứng thực nghiệm bổ sung.\u003C\u002Fp>",[],[],{"code":4,"data":39,"meta":17},{"id":40,"title":41,"description":42,"content":43,"term":40,"englishTitle":17,"synonyms":17,"definition":17,"discipline":17,"references":17,"faqs":17,"createUser":44,"publishUser":47,"keywords":48,"keywordCount":59,"enrichTopicLink":60,"status":61,"createTime":62,"updateTime":63,"publishTime":64,"linkEnrichedTime":65,"publicationScanTime":66,"contentErrorMessage":17,"viewCount":67,"relateTopics":68},"lỗ trống","Lỗ trống là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan","Lỗ trống là khuyết tật điểm trong tinh thể xảy ra khi một nguyên tử vắng mặt tại vị trí nút mạng, làm thay đổi cấu trúc và tính chất vật liệu rắn. Chúng hình thành do nhiệt động hoặc tác động bên ngoài, ảnh hưởng đến khuếch tán nguyên tử, dẫn điện, cơ tính và các quá trình vi mô trong vật liệu.","\u003Cdiv>\u003Ch2>Khái niệm lỗ trống trong vật lý và khoa học vật liệu\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lỗ trống (vacancy) là một dạng khuyết tật điểm trong mạng tinh thể, hình thành khi một nguyên tử hoặc ion không có mặt tại vị trí nút mạng vốn có trong cấu trúc tinh thể. Đây là loại sai lệch cấu trúc đơn giản nhất nhưng có ảnh hưởng lớn đến các đặc tính vật lý và hóa học của vật liệu. Mặc dù mạng tinh thể được xem là hoàn hảo trên lý thuyết, trong thực tế luôn tồn tại một tỷ lệ nhỏ lỗ trống ngay cả ở điều kiện cân bằng nhiệt động học.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Lỗ trống có thể hình thành một cách tự nhiên do dao động nhiệt, hoặc xuất hiện sau quá trình xử lý vật liệu như biến dạng cơ học, chiếu xạ, hoặc nung nóng. Trong một số trường hợp, lỗ trống không chỉ là khuyết tật mà còn đóng vai trò tích cực trong cơ chế khuếch tán, chuyển pha và {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ph%E1%BA%A3n%20%E1%BB%A9ng%20h%C3%B3a%20h%E1%BB%8Dc%22%7D}} rắn.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Khái niệm này đặc biệt quan trọng trong ngành vật lý chất rắn, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22khoa%20h%E1%BB%8Dc%20v%E1%BA%ADt%20li%E1%BB%87u%22%7D}}, công nghệ bán dẫn và kỹ thuật nano. Kiểm soát và tận dụng lỗ trống đang là hướng đi then chốt để thiết kế {{topic|%7B%22topic%22%3A%22v%E1%BA%ADt%20li%E1%BB%87u%20ch%E1%BB%A9c%20n%C4%83ng%22%7D}} cao như vật liệu dẫn ion, xúc tác dị thể, hoặc điện môi linh hoạt.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phân loại khuyết tật tinh thể và vị trí của lỗ trống\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Khuyết tật tinh thể được phân loại theo hình thức và phạm vi ảnh hưởng, bao gồm ba nhóm chính: khuyết tật điểm (point defect), khuyết tật đường (dislocation), và khuyết tật mặt (grain boundary, stacking fault). Trong đó, khuyết tật điểm là dạng phổ biến nhất ở cấp độ nguyên tử, bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Lỗ trống (vacancy): nguyên tử bị thiếu tại nút mạng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Nguyên tử xen kẽ (interstitial): nguyên tử nằm giữa các nút mạng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Nguyên tử thay thế (substitutional): nguyên tử tạp chất thay thế vị trí của nguyên tử nền.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Lỗ trống thuộc nhóm khuyết tật đơn nguyên tử. Trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22c%E1%BA%A5u%20tr%C3%BAc%20tinh%20th%E1%BB%83%22%7D}} hoàn hảo, mỗi nút mạng đều có nguyên tử chiếm giữ. Khi một nguyên tử bị loại bỏ, nó để lại một khoảng trống – vị trí đó trở thành một lỗ trống. Sự mất cân bằng trong phân bố nguyên tử này ảnh hưởng đến sự tương tác giữa các liên kết lân cận, tạo ra biến dạng cục bộ trong mạng tinh thể.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Bảng so sánh các loại khuyết tật điểm phổ biến:\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\">\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\n      \u003Cth>Loại khuyết tật\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Mô tả\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Ảnh hưởng chính\u003C\u002Fth>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Lỗ trống (Vacancy)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Nguyên tử thiếu tại vị trí nút mạng\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Tăng khuếch tán, giảm mật độ\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Xen kẽ (Interstitial)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Nguyên tử nằm giữa các vị trí nút\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Làm biến dạng mạng, cản trở khuếch tán\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Thay thế (Substitutional)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Nguyên tử tạp chất thay thế nguyên tử gốc\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Thay đổi tính chất điện, cơ\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Ch2>Động học hình thành và mật độ lỗ trống\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Mật độ lỗ trống trong vật liệu ở trạng thái cân bằng được xác định bởi biểu thức nhiệt động học dựa trên phương trình Arrhenius. Tỷ lệ lỗ trống phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ và năng lượng hình thành lỗ trống của vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Công thức xác định số lượng lỗ trống là:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">n_v = N \\cdot \\exp\\left(-\\frac{Q_v}{kT}\\right)\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">n_v\u003C\u002Fscript>: số lượng lỗ trống\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">N\u003C\u002Fscript>: tổng số nút mạng trong vật liệu\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">Q_v\u003C\u002Fscript>: năng lượng hình thành một lỗ trống (eV\u002Fatom)\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">k\u003C\u002Fscript>: hằng số Boltzmann (8.617×10⁻⁵ eV\u002FK)\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">T\u003C\u002Fscript>: nhiệt độ tuyệt đối (K)\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Ví dụ, trong đồng (Cu) với \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">Q_v \\approx 0.9 \\, eV\u003C\u002Fscript>, ở 1000 K, mật độ lỗ trống có thể đạt xấp xỉ \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">10^{-4}\u003C\u002Fscript> tổng số nút mạng. Ở nhiệt độ phòng, mật độ này thấp hơn đáng kể, khoảng \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">10^{-12}\u003C\u002Fscript>, gần như không ảnh hưởng đến tính chất cơ bản.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Lỗ trống hình thành nhanh hơn dưới tác động của bức xạ ion, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22va%20ch%E1%BA%A1m%20nguy%C3%AAn%20t%E1%BB%AD%22%7D}} hoặc khi vật liệu chịu ứng suất cao. Trong môi trường có dòng neutron mạnh như trong lò {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ph%E1%BA%A3n%20%E1%BB%A9ng%20h%E1%BA%A1t%20nh%C3%A2n%22%7D}}, lỗ trống và tổ hợp khuyết tật có thể gây giòn hóa hoặc làm biến đổi pha vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ảnh hưởng của lỗ trống đến tính chất vật liệu\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Sự hiện diện của lỗ trống có ảnh hưởng lớn đến nhiều đặc tính của vật liệu rắn. Chúng đóng vai trò là vị trí thuận lợi cho khuếch tán nguyên tử – một quá trình cơ bản trong luyện kim, thiêu kết, nung chảy và chuyển pha rắn. Khi nguyên tử khuếch tán, chúng thường nhảy vào vị trí của một lỗ trống lân cận, tạo nên cơ chế khuếch tán hiệu quả ở trạng thái rắn.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Về mặt cơ học, lỗ trống làm giảm mật độ và có thể dẫn đến giảm độ bền kéo hoặc độ cứng khi vượt quá ngưỡng giới hạn. Tuy nhiên, ở mật độ vừa phải, lỗ trống lại tạo điều kiện cho vật liệu dễ biến dạng dẻo, đặc biệt trong các quá trình tôi luyện hoặc dập nóng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong vật liệu bán dẫn và vật liệu điện môi, lỗ trống – đặc biệt là lỗ trống oxy – gây thay đổi tính dẫn điện và hằng số điện môi. Chúng có thể hoạt động như bẫy điện tích hoặc trung tâm tái tổ hợp, ảnh hưởng đến hiệu suất của thiết bị điện tử. Trong một số vật liệu oxit chuyển pha như TiO₂ hay VO₂, sự hình thành lỗ trống có thể kích hoạt chuyển đổi giữa pha dẫn và pha cách điện.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Vai trò của lỗ trống trong khuếch tán nguyên tử\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Khuếch tán trong mạng tinh thể là quá trình nguyên tử di chuyển từ vị trí này sang vị trí khác, thường là do dao động nhiệt hoặc trường gradient nồng độ. Một trong những cơ chế khuếch tán phổ biến nhất trong vật liệu rắn là cơ chế thông qua lỗ trống (vacancy diffusion mechanism), trong đó nguyên tử nhảy vào vị trí trống kế cận trong mạng tinh thể.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Cơ chế này được mô tả bởi hệ số khuếch tán \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">D\u003C\u002Fscript>, phụ thuộc vào nhiệt độ và mật độ lỗ trống:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">D = D_0 \\cdot \\exp\\left(-\\frac{Q}{kT}\\right)\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">D_0\u003C\u002Fscript>: hệ số khuếch tán tiền hàm\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">Q\u003C\u002Fscript>: {{topic|%7B%22topic%22%3A%22n%C4%83ng%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%20k%C3%ADch%20ho%E1%BA%A1t%22%7D}} cho khuếch tán, bao gồm năng lượng hình thành lỗ trống và năng lượng di chuyển\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">k\u003C\u002Fscript>: hằng số Boltzmann\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">T\u003C\u002Fscript>: nhiệt độ tuyệt đối\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Vai trò của lỗ trống trong khuếch tán đặc biệt quan trọng đối với các quá trình như luyện hợp kim, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22t%C4%83ng%20tr%C6%B0%E1%BB%9Fng%20tinh%20th%E1%BB%83%22%7D}}, thiêu kết và dịch chuyển tạp chất. Ví dụ, trong hợp kim rắn như đồng-niken, sự khuếch tán giữa các nguyên tử hai nguyên tố chủ yếu diễn ra thông qua lỗ trống.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong sản xuất vi mạch, các quy trình như khuếch tán nhiệt hoặc ion implantation đều yêu cầu kiểm soát chính xác mật độ lỗ trống để đảm bảo phân bố nguyên tử theo mong muốn. Sự tồn tại của các lỗ trống cũng ảnh hưởng đến độ ổn định cấu trúc nano và quá trình già hóa vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Lỗ trống trong vật liệu bán dẫn\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong vật liệu bán dẫn như silicon (Si), germanium (Ge) hoặc gallium arsenide (GaAs), các khuyết tật điểm như lỗ trống silicon (\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">V_{Si}\u003C\u002Fscript>) có thể tạo ra mức năng lượng trong vùng cấm (band gap), ảnh hưởng đến {{topic|%7B%22topic%22%3A%22m%E1%BA%ADt%20%C4%91%E1%BB%99%20tr%E1%BA%A1ng%20th%C3%A1i%22%7D}} điện tử và các đặc tính vận chuyển điện tích.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Lỗ trống có thể tồn tại đơn lẻ hoặc kết hợp với tạp chất (như \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">V_{Si}-P\u003C\u002Fscript>), tạo thành trung tâm tái tổ hợp điện tích (recombination centers). Các trung tâm này làm giảm thời gian sống của điện tử và lỗ trống dẫn, từ đó giảm {{topic|%7B%22topic%22%3A%22hi%E1%BB%87u%20su%E1%BA%A5t%20chuy%E1%BB%83n%20%C4%91%E1%BB%95i%20n%C4%83ng%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%22%7D}} trong pin mặt trời, LED hoặc transistor.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Kỹ thuật phát hiện và đo đạc lỗ trống trong bán dẫn thường sử dụng:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Quang phổ cộng hưởng spin điện tử (EPR)\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Quang phổ hủy positron (PAS)\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Kỹ thuật dòng rò ngược (DLTS) để xác định mức năng lượng khuyết tật\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Việc kiểm soát mật độ lỗ trống là yếu tố then chốt trong chế tạo thiết bị điện tử hiện đại. Nghiên cứu gần đây đã phát triển các kỹ thuật xử lý hậu ion implantation để làm lành mạng tinh thể, giảm thiểu lỗ trống và khôi phục tính bán dẫn tối ưu.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Lỗ trống oxy và ứng dụng trong vật liệu oxit\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lỗ trống oxy là một trong những dạng khuyết tật quan trọng nhất trong các vật liệu oxit chuyển tiếp như TiO₂, CeO₂, ZnO, hoặc SrTiO₃. Việc thiếu hụt nguyên tử oxy tạo ra các trạng thái điện tử tự do hoặc mức dẫn nội tại, làm tăng độ dẫn điện và dẫn ion.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Các ứng dụng tiêu biểu của vật liệu chứa lỗ trống oxy bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Memristor: thiết bị nhớ điện trở dựa trên sự thay đổi trạng thái dẫn điện do lỗ trống oxy dịch chuyển.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Xúc tác dị thể: lỗ trống tạo ra các vị trí hấp phụ hoạt hóa cho phản ứng khử oxy, hydrogen hóa.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Điện cực cho pin nhiên liệu: như CeO₂ và ZrO₂ pha tạp, truyền ion O²⁻ thông qua mạng tinh thể giàu lỗ trống.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Tùy theo nhiệt độ nung, điều kiện khử hoặc pha tạp, mật độ lỗ trống oxy có thể được điều chỉnh để đạt được đặc tính mong muốn. Sự hình thành lỗ trống oxy thường đi kèm với sự chuyển hóa trạng thái hóa trị của cation kim loại, ví dụ: \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">Ce^{4+} \\rightarrow Ce^{3+}\u003C\u002Fscript> trong CeO₂.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Các phương pháp đo đạc và phân tích lỗ trống\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Việc xác định lỗ trống trong vật liệu yêu cầu sử dụng các công cụ có độ phân giải cao và kỹ thuật chuyên sâu. Không giống như các đặc tính đại thể như độ cứng hoặc mật độ, khuyết tật điểm cần được phát hiện gián tiếp thông qua ảnh hưởng đến cấu trúc tinh thể hoặc đặc tính điện tử.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Các kỹ thuật chính bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"6\" cellspacing=\"0\">\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\n      \u003Cth>Phương pháp\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Nguyên lý\u003C\u002Fth>\n      \u003Cth>Ứng dụng\u003C\u002Fth>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Positron Annihilation Spectroscopy (PAS)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Positron bị hút vào lỗ trống và hủy với electron\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Phân tích mật độ lỗ trống nguyên tử\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Electron Paramagnetic Resonance (EPR)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Đo cộng hưởng spin của electron chưa ghép cặp\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Phát hiện lỗ trống mang điện tích\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Transmission Electron Microscopy (TEM)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Hiển vi điện tử độ phân giải nguyên tử\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Quan sát trực tiếp mạng tinh thể bị lệch\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\n      \u003Ctd>Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Phân tích dòng rò và mức năng lượng khuyết tật\u003C\u002Ftd>\n      \u003Ctd>Ứng dụng trong bán dẫn\u003C\u002Ftd>\n    \u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Kết hợp giữa mô phỏng nguyên tử (molecular dynamics) và các phương pháp thực nghiệm cho phép hiểu sâu hơn về bản chất và động học của lỗ trống trong các điều kiện thực tế.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng và kiểm soát lỗ trống trong kỹ thuật vật liệu\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lỗ trống không chỉ là khuyết tật cần loại bỏ, mà trong nhiều trường hợp, chúng là yếu tố cần thiết để đạt được hiệu năng vật liệu tối ưu. Thiết kế vi cấu trúc vật liệu hiện đại ngày càng tập trung vào việc kiểm soát khuyết tật có chủ đích để cải thiện tính chất vật lý.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ví dụ, trong hợp kim nhớ hình (SMA), lỗ trống ảnh hưởng đến khả năng chuyển pha martensitic và hành vi đàn hồi siêu hồi. Trong vật liệu nhiệt điện, việc tạo lỗ trống có kiểm soát giúp tăng độ dẫn điện nhưng giữ thấp độ dẫn nhiệt, từ đó cải thiện hệ số hiệu suất nhiệt điện \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">ZT\u003C\u002Fscript>.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hướng ứng dụng mới đang được phát triển:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Pin lithium-ion rắn với mạng dẫn ion chứa lỗ trống cố định\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Vật liệu cách âm, giảm chấn cơ học với mật độ lỗ trống vi mô\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Cấu trúc xốp nano có khả năng hấp phụ khí và lọc hóa chất\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Kiểm soát lỗ trống thông qua xử lý nhiệt, kỹ thuật pha tạp, chiếu xạ ion hoặc in vật liệu 3D ở cấp độ nguyên tử đang mở ra nhiều tiềm năng thiết kế vật liệu mới cho công nghệ điện tử, năng lượng và môi trường.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Tài liệu tham khảo\u003C\u002Fh2>\n\u003Col>\n  \u003Cli>Callister WD, Rethwisch DG. \u003Cem>Materials Science and Engineering: An Introduction\u003C\u002Fem>. 10th ed. Wiley; 2018.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Was GS. \u003Cem>Fundamentals of Radiation Materials Science\u003C\u002Fem>. Springer; 2007.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Messerschmidt U. \u003Cem>Dislocation Dynamics and Mechanical Properties of Crystals\u003C\u002Fem>. Wiley-VCH; 2010.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Yu P, Cardona M. \u003Cem>Fundamentals of Semiconductors\u003C\u002Fem>. Springer; 2010.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>ScienceDirect. Vacancy defect topics. \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.sciencedirect.com\u002Ftopics\u002Fmaterials-science\u002Fvacancy-defect\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">https:\u002F\u002Fwww.sciencedirect.com\u002Ftopics\u002Fmaterials-science\u002Fvacancy-defect\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>NCBI Structure Database. \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.ncbi.nlm.nih.gov\u002Fstructure\u002F\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">https:\u002F\u002Fwww.ncbi.nlm.nih.gov\u002Fstructure\u002F\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Positron Annihilation Techniques in Materials Science. \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fiopscience.iop.org\u002Farticle\u002F10.1088\u002F0034-4885\u002F44\u002F7\u002F001\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\">IOP Science\u003C\u002Fa>\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\u003C\u002Fdiv>",{"id":30,"researcherId":17,"name":45,"imageUrl":46},"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",{"id":30,"researcherId":17,"name":45,"imageUrl":46},[49,50,51,52,53,54,55,56,57,58],"phản ứng hóa học","khoa học vật liệu","vật liệu chức năng","cấu trúc tinh thể","va chạm nguyên tử","phản ứng hạt nhân","năng lượng kích hoạt","tăng trưởng tinh thể","mật độ trạng thái","hiệu suất chuyển đổi năng lượng",10,true,"PUBLISHED","2025-05-24T10:07:39.779+00:00","2026-09-07T03:08:40.954+00:00","2025-07-19T06:50:19.557+00:00","2026-09-07T03:08:40.384+00:00","2026-09-06T13:18:17.407+00:00",367,[69,72,75,78,81,84,93,96,99,102],{"id":70,"title":71,"term":70,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"sol gel","Sol-gel là gì? Các công bố khoa học về Sol gel",{"id":73,"title":74,"term":73,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"hệ số dẫn nhiệt","Hệ số dẫn nhiệt là gì? Các công bố khoa học về Hệ số dẫn nhiệt",{"id":76,"title":77,"term":76,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"hình thái","Hình thái là gì? Các công bố khoa học về Hình thái",{"id":79,"title":80,"term":79,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"tán xạ","Tán xạ là gì? Các nghiên cứu khoa học về Tán xạ",{"id":82,"title":83,"term":82,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"khối lượng phân tử","Khối lượng phân tử là gì? Các công bố khoa học về Khối lượng phân tử",{"id":85,"title":86,"term":85,"englishTitle":85,"definition":87,"discipline":88,"disciplineCode":89,"disciplineLabel":90,"disciplineColor":91,"disciplineIcon":92},"proton","Proton là gì? Cấu trúc và ứng dụng của Proton","Proton là một hạt hạ nguyên tử bền vững thuộc nhóm baryon cấu tạo từ hai quark lên và một quark xuống, mang điện tích nguyên tố dương và có khối lượng nghỉ xấp xỉ 1.6726 x 10^-27 kg nằm trong hạt nhân nguyên tử.","NATURAL_SCIENCES","natural-sciences","Khoa học tự nhiên","#0E9F9C","atom",{"id":94,"title":95,"term":94,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"dẫn xuất","Dẫn xuất là gì? Các nghiên cứu khoa học về Dẫn xuất",{"id":97,"title":98,"term":97,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"phương pháp đồng kết tủa","Phương pháp đồng kết tủa là gì? Các nghiên cứu khoa học",{"id":100,"title":101,"term":100,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"phức hợp","Phức hợp là gì? Các nghiên cứu khoa học về Phức hợp",{"id":103,"title":104,"term":103,"englishTitle":17,"definition":17,"discipline":17,"disciplineCode":17,"disciplineLabel":17,"disciplineColor":17,"disciplineIcon":17},"khuếch tán","Khuếch tán là gì? Các công bố khoa học về Khuếch tán"]