[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_l%E1%BB%97%20tr%E1%BB%91ng%20oxy{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_lỗ trống oxy":11},{"code":4,"data":5,"meta":10},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":8,"vietnamLatest":9},[],[],[],[],null,{"code":4,"data":12,"meta":10},{"id":13,"title":14,"description":15,"content":16,"term":13,"englishTitle":17,"synonyms":10,"definition":18,"discipline":19,"references":20,"faqs":42,"createUser":52,"publishUser":56,"keywords":60,"keywordCount":71,"enrichTopicLink":72,"status":73,"createTime":74,"updateTime":75,"publishTime":76,"linkEnrichedTime":77,"publicationScanTime":10,"contentErrorMessage":10,"viewCount":78,"relateTopics":79},"lỗ trống oxy","Lỗ trống oxy là gì? Tổng quan khái niệm và ứng dụng","Lỗ trống oxy là loại khuyết tật điểm nội tại thuộc nhóm khuyết tật Schottky trong mạng tinh thể oxit kim loại, hình thành khi một nguyên tử oxy bị bứt k...","\u003Cp>\u003Cstrong>Lỗ trống oxy\u003C\u002Fstrong> (\u003Cem>Oxygen vacancy\u003C\u002Fem>) là loại khuyết tật điểm nội tại thuộc nhóm khuyết tật Schottky trong mạng tinh thể oxit kim loại, hình thành khi một nguyên tử oxy bị bứt khỏi vị trí nút mạng chuẩn, để lại điện tích dương hiệu dụng tương đối và làm biến đổi sâu sắc cấu trúc vùng năng lượng điện tử, tính dẫn điện và hoạt tính xúc tác của vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Cp>Trong oxit kim loại như TiO\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>, ZnO hay CeO\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>, nồng độ và phân bố lỗ trống oxy quyết định khả năng dẫn điện kiểu n (n-type conductivity), hiệu suất quang xúc tác và khả năng hấp phụ phân tử O\u003Csub>2\u003C\u002Fsub> hay H\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>O trên bề mặt. Kiểm soát lỗ trống oxy trở thành phương pháp hữu hiệu để thiết kế vật liệu cho {{topic|%7B%22topic%22%3A%22pin%20nhi%C3%AAn%20li%E1%BB%87u%22%7D}}, cảm biến khí và điện trở thay đổi theo điện áp (resistive switching devices).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Việc nghiên cứu lỗ trống oxy kết hợp cả lý thuyết tính toán (DFT, mô phỏng động học quyết định phân tử) và thực nghiệm (quang phổ electron, quang phổ tia X biên cạnh) nhằm hiểu rõ cơ chế hình thành, di chuyển và phối hợp với tạp chất. Phần đầu tiên của bài báo tập trung vào khái niệm, phân loại, cơ chế hình thành và các kỹ thuật đặc trưng hóa lỗ trống oxy.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Định nghĩa và phân loại\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lỗ trống oxy là vị trí trong mạng tinh thể mà nguyên tử oxy đáng lẽ phải chiếm đóng bị khuyết, dẫn đến dư electron hoặc lỗ trống điện tích dương tùy theo cơ chế trung hòa điện tích. Xét theo trạng thái điện tích, lỗ trống có thể ở dạng trung tính (V\u003Csub>O\u003C\u002Fsub>\u003Csup>x\u003C\u002Fsup>), tích điện dương (V\u003Csub>O\u003C\u002Fsub>\u003Csup>·\u003C\u002Fsup> hoặc V\u003Csub>O\u003C\u002Fsub>\u003Csup>··\u003C\u002Fsup>) khi mất 1 hoặc 2 electron, hoặc đã thu nhận điện tử trở nên tích điện âm trong điều kiện đặc biệt.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Theo mật độ và khả năng kết tụ, lỗ trống oxy lại được phân thành:\u003C\u002Fp>\u003Cp>\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Đơn lẻ (isolated vacancy):\u003C\u002Fstrong> tồn tại độc lập, ảnh hưởng tập trung cục bộ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Cụm nhỏ (clustered vacancy):\u003C\u002Fstrong> nhóm 2–4 lỗ trống gần nhau, thay đổi đáng kể {{topic|%7B%22topic%22%3A%22c%E1%BA%A5u%20tr%C3%BAc%20tinh%20th%E1%BB%83%22%7D}}.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Đường dẫn (extended defects):\u003C\u002Fstrong> liên kết nhiều lỗ trống tạo ra dải cặp khuyết tật, dễ di động theo nhiệt độ.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Phân loại theo tương tác với tạp chất (dopant) và môi trường xử lý:\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\u003Cth>Loại lỗ trống\u003C\u002Fth>\u003Cth>Điện tích\u003C\u002Fth>\u003Cth>Ứng dụng\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>V\u003Csub>O\u003C\u002Fsub>\u003Csup>x\u003C\u002Fsup>\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Phân tích quang phổ; vật liệu cách điện\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>V\u003Csub>O\u003C\u002Fsub>\u003Csup>·\u003C\u002Fsup>\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>+1\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Dẫn điện n-type; cảm biến khí\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>V\u003Csub>O\u003C\u002Fsub>\u003Csup>··\u003C\u002Fsup>\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>+2\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Quang xúc tác; pin nhiên liệu\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Thông tin chi tiết và dữ liệu nhiệt động có thể tham khảo tại \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fpubs.acs.org\" target=\"_blank\">ACS Publications\u003C\u002Fa> và \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.sciencedirect.com\" target=\"_blank\">ScienceDirect\u003C\u002Fa>.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Cơ chế hình thành\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Quá trình hình thành lỗ trống oxy thường diễn ra trong các điều kiện nhiệt độ cao hoặc môi trường khử, khi oxy trong mạng tinh thể dễ bị tách ra hoặc phản ứng với các tác nhân khử như H\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>, CO hay plasma. Phương trình phản ứng khuyếch tán và cân bằng nhiệt động cho mật độ vacancy:\u003C\u002Fp>\n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">C_v = C_0 \\exp\\!\\biggl(-\\frac{E_v}{k_B T}\\biggr)\u003C\u002Fscript>\n\u003Cp>trong đó \u003Cem>C\u003Csub>0\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> là mật độ vị trí oxy ban đầu, \u003Cem>E\u003Csub>v\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> là năng lượng tạo lỗ trống, \u003Cem>k\u003Csub>B\u003C\u002Fsub>\u003C\u002Fem> hằng số Boltzmann và \u003Cem>T\u003C\u002Fem> nhiệt độ tuyệt đối. Với E\u003Csub>v\u003C\u002Fsub> từ 1–4 eV, mật độ vacancy tăng mạnh khi nhiệt độ vượt ngưỡng 600–800 °C đối với oxit kim loại nhẹ.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Các cơ chế thực nghiệm tạo lỗ trống oxy gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Col>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Nhiệt xử lý (annealing):\u003C\u002Fstrong> gia nhiệt trong môi trường khử (H\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>, Ar\u002FH\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>), nồng độ oxy giảm mạnh.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Plasma khử:\u003C\u002Fstrong> plasma H, He hoặc Ar tạo ion năng lượng cao, kích thích bong nguyên tử oxy khỏi bề mặt.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Chiếu xạ (irradiation):\u003C\u002Fstrong> tia điện tử hoặc ion tạo tổn thương cục bộ, tách oxy và tạo vacancy.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\n\n\u003Ch2>Kỹ thuật đặc trưng hóa\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Đặc trưng hóa lỗ trống oxy cần kết hợp nhiều phương pháp để xác định cả nồng độ, trạng thái điện tích và vị trí trong mạng tinh thể:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>EELS (Electron Energy Loss Spectroscopy):\u003C\u002Fstrong> đo bước cộng hưởng plasmons và biên độ mất năng lượng, phân biệt O 2p và trạng thái vacancy.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>XANES\u002FEXAFS:\u003C\u002Fstrong> quan sát phần biên cạnh phổ X-ray hấp thụ, xác định phối tử oxy và độ lệch tinh thể quanh {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ion%20kim%20lo%E1%BA%A1i%22%7D}}.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Raman & FTIR:\u003C\u002Fstrong> nhận diện dao động mạng và nhóm liên kết bị gián đoạn do mất oxy.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\u003Cth>Phương pháp\u003C\u002Fth>\u003Cth>Thông số đo\u003C\u002Fth>\u003Cth>Ưu điểm\u003C\u002Fth>\u003Cth>Hạn chế\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>EELS\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Năng lượng mất mát\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Độ phân giải cao đến nm\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Yêu cầu TEM mẫu mỏng\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>XANES\u002FEXAFS\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Biên cạnh hấp thụ\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Định lượng phối tử\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Thiết bị synchrotron\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>Raman\u002FFTIR\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Tần số dao động\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Chuẩn bị mẫu đơn giản\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Không định lượng trực tiếp\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Sự phối hợp dữ liệu từ các kỹ thuật này cho phép xây dựng mô hình vacancy chính xác, phục vụ tối ưu hóa {{topic|%7B%22topic%22%3A%22t%C3%ADnh%20ch%E1%BA%A5t%20v%E1%BA%ADt%20li%E1%BB%87u%22%7D}} cho ứng dụng cụ thể.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Ảnh hưởng lên tính chất điện-từ\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lỗ trống oxy tạo ra các mức năng lượng trung gian nằm trong vùng cấm (band gap), làm giảm khoảng cách năng lượng giữa dải dẫn và dải hóa trị. Sự tồn tại của những mức này cho phép electron dễ dàng nhảy lên dải dẫn, dẫn đến dẫn điện kiểu n (n-type conductivity) đặc trưng cho nhiều oxit kim loại như TiO₂, ZnO và In₂O₃.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22v%E1%BA%ADt%20li%E1%BB%87u%20t%E1%BB%AB%20t%C3%ADnh%22%7D}}, lỗ trống oxy làm thay đổi tương tác siêu trao đổi giữa ion kim loại và nguyên tử oxy. Ví dụ, ở mangan oxit (La₁₋ₓCaₓMnO₃), sự biến động mật độ lỗ trống oxy điều khiển hiệu ứng Colossal Magnetoresistance, ảnh hưởng đáng kể đến độ dẫn điện khi có từ trường ngoài.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Giảm band gap:\u003C\u002Fstrong> tăng mật độ carrier, cải thiện dẫn điện.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Thay đổi điện trở Hall:\u003C\u002Fstrong> biểu kiến độ dẫn và loại carrier.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Từ tính cục bộ:\u003C\u002Fstrong> vacancy gần ion sắt hoặc mangan tạo moment từ bổ sung.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Vai trò trong xúc tác và quang xúc tác\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lỗ trống oxy là điểm hoạt hóa cho hấp phụ và phân ly phân tử O₂, H₂O và các hợp chất hữu cơ trên bề mặt oxit kim loại. Chẳng hạn, trên TiO₂, oxygen vacancy hấp phụ O₂ tạo peroxide hoặc superoxide, tham gia vào quá trình quang xúc tác phân hủy {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ch%E1%BA%A5t%20%C3%B4%20nhi%E1%BB%85m%22%7D}} và diệt khuẩn.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Khả năng sinh ra –OH và –O₂⁻ tự do qua phản ứng chu kỳ electron–lỗ trống làm tăng hiệu suất quang xúc tác. Ở bước sóng UV hoặc gần UV, electron từ mức defect bị kích thích lên dải dẫn, lỗ trống giữ lại hạt tích điện dương, ngăn cản quá trình tái kết hợp và kéo dài thời gian sống của cặp e⁻–h⁺.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\u003Cth>Vật liệu\u003C\u002Fth>\u003Cth>Ứng dụng\u003C\u002Fth>\u003Cth>Hiệu suất\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>TiO₂ (anatase)\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Phân hủy chất ô nhiễm nước\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>80–95%\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>ZnO\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Diệt khuẩn bề mặt\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>70–90%\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>CeO₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Chống oxy hóa nhiên liệu\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>85–98%\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Tài liệu chi tiết: Zhao et al., “Oxygen Vacancies in Metal Oxides: Synthesis, Characterization and Functionality,” \u003Cem>Materials Today\u003C\u002Fem>, 2019 .\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong thiết bị điện tử\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Memristor oxit (Resistive Switching Oxide, RSO) dựa trên di chuyển tập trung của lỗ trống oxy dưới điện trường để thay đổi trạng thái điện trở từ “OFF” (cao) sang “ON” (thấp) và ngược lại. Thiết bị này có tiềm năng lưu trữ không bay hơi (non-volatile memory) với tốc độ chuyển mạch nhanh và mật độ lưu trữ cao.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong đèn LED và vật liệu quang phát, oxygen vacancy có thể làm giảm band gap cục bộ, tạo vùng phát xạ đa sắc, giúp mở rộng phổ ánh sáng và tăng hiệu suất phát quang. Ví dụ, InGaN\u002FGaN LED cải tiến độ sáng khi điều chỉnh nồng độ vacancy trong lớp AlGaN.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Điều khiển và gia công lỗ trống\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phương pháp điều khiển vacancy bao gồm:\u003C\u002Fp>\u003Cp>\n\u003C\u002Fp>\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Annealing trong môi trường khử:\u003C\u002Fstrong> gia nhiệt oxit ở 500–900 °C trong H₂ hoặc Ar\u002FH₂ để tạo vacancy có kiểm soát.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Chiếu xạ plasma:\u003C\u002Fstrong> sử dụng plasma Ar hoặc O₂ plasma để bơm năng lượng và kích thích bong oxy tại bề mặt.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Doping {{topic|%7B%22topic%22%3A%22kim%20lo%E1%BA%A1i%20chuy%E1%BB%83n%20ti%E1%BA%BFp%22%7D}}:\u003C\u002Fstrong> thêm ion dopant (Fe, Cr, V) để thay thế vị trí kim loại và tạo điều kiện hình thành lỗ trống oxy gần đó.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Mô phỏng và lý thuyết\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phương pháp lý thuyết mật độ hàm lượng (DFT) tính toán năng lượng tạo lỗ trống (formation energy), cấu trúc mạng xung quanh defect và phổ mật độ trạng thái (DOS) để dự đoán ảnh hưởng lên band gap. Mô phỏng động lực học phân tử (MD) mô tả sự di chuyển vacancy ở nhiệt độ cao và dưới điện trường.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ví dụ, mô phỏng DFT trên TiO₂ cho thấy E\u003Csub>v\u003C\u002Fsub> ≈ 2.5 eV cho vacancy bề mặt và 3.2 eV cho vacancy trong khối, tương ứng với nhiệt độ annealing cần thiết để tạo defect .\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Triển vọng và hướng nghiên cứu tương lai\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phát triển vật liệu oxit nano với vacancy có kiểm soát trong kích thước <10 nm, tận dụng hiệu ứng khối lượng bề mặt cao để tăng hoạt tính quang xúc tác và cảm biến khí. Thiết kế hybrid vacancy–dopant cho pin nhiên liệu rắn, nâng cao sự dẫn ion oxy và {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%E1%BB%95n%20%C4%91%E1%BB%8Bnh%20nhi%E1%BB%87t%22%7D}} độ cao.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ứng dụng trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22c%E1%BA%A3m%20bi%E1%BA%BFn%20sinh%20h%E1%BB%8Dc%22%7D}}: oxygen vacancy làm chất nền cho hấp phụ enzyme và kháng thể, hỗ trợ phát hiện glucose và H\u003Csub>2\u003C\u002Fsub>O\u003Csub>2\u003C\u002Fsub> với {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%C4%91%E1%BB%99%20nh%E1%BA%A1y%20cao%22%7D}}. Nghiên cứu vacancy động học nhanh dưới điện trường mạnh phục vụ thiết bị memristor thế hệ mới với tốc độ ghi\u002Fđọc <10 ns.\u003C\u002Fp>","Oxygen vacancy","Lỗ trống oxy là loại khuyết tật điểm nội tại thuộc nhóm khuyết tật Schottky trong mạng tinh thể oxit kim loại, hình thành khi một nguyên tử oxy bị bứt khỏi vị trí nút mạng chuẩn, để lại điện tích dương hiệu dụng tương đối và làm biến đổi sâu sắc cấu trúc vùng năng lượng điện tử, tính dẫn điện và hoạt tính xúc tác của vật liệu.","NATURAL_SCIENCES",[21,28,35],{"citationText":22,"title":23,"authors":24,"source":25,"year":26,"doi":27,"url":10},"Kawamura, Nishiyama, Akiyama, Usami et al. (2024). Thermal Conductivity of Gan with a Vacancy and an Oxygen Point Defect. Elsevier BV. doi:10.2139\u002Fssrn.4956493","Thermal Conductivity of Gan with a Vacancy and an Oxygen Point Defect","Kawamura, Nishiyama, Akiyama, Usami et al.","Elsevier BV",2024,"10.2139\u002Fssrn.4956493",{"citationText":29,"title":30,"authors":31,"source":32,"year":33,"doi":34,"url":10},"Umar, Handoko, Siregar (2009). How Do Gas, Temperature and Oxygen Pressure Change the Conductivity of Metal Oxide Semiconductor (MOS) Thin Film? : A Theoretical Study with Point Defect Theory. AIP Conference Proceedings. doi:10.1063\u002F1.3243256","How Do Gas, Temperature and Oxygen Pressure Change the Conductivity of Metal Oxide Semiconductor (MOS) Thin Film? : A Theoretical Study with Point Defect Theory","Umar, Handoko, Siregar","AIP Conference Proceedings",2009,"10.1063\u002F1.3243256",{"citationText":36,"title":37,"authors":38,"source":39,"year":40,"doi":41,"url":10},"Norby, Andersen (1991). Electrical conductivity and defect structure of lithiumdoped magnesium oxide. Applied Catalysis. doi:10.1016\u002F0166-9834(91)85008-j","Electrical conductivity and defect structure of lithiumdoped magnesium oxide","Norby, Andersen","Applied Catalysis",1991,"10.1016\u002F0166-9834(91)85008-j",[43,46,49],{"question":44,"answer":45},"Ký hiệu Kröger-Vink cho lỗ trống oxy trung hòa, đơn điện tích và nhị điện tích được biểu diễn như thế nào?","Theo quy ước Kröger-Vink, vị trí mạng oxy chuẩn ký hiệu là O_O^x; khi mất oxy, lỗ trống oxy trung hòa mang 2 electron bẫy là V_O^x, ion hóa mất một electron thành V_O^• (đơn điện tích dương), và ion hóa hoàn toàn mất 2 electron thành V_O^•• (nhị điện tích dương hiệu dụng so với mạng nền).",{"question":47,"answer":48},"Lỗ trống oxy đóng vai trò cơ chế như thế nào trong hoạt tính quang xúc tác của titan dioxide (TiO2)?","Lỗ trống oxy tạo ra các mức năng lượng khuyết tật nằm sâu trong vùng cấm (defect states), thu hẹp độ rộng vùng cấm quang học giúp vật liệu hấp thụ được ánh sáng nhìn thấy, đồng thời đóng vai trò bẫy electron ngăn chặn sự tái kết hợp nhanh chóng giữa electron và lỗ trống quang sinh.",{"question":50,"answer":51},"Tại sao kiểm soát nồng độ lỗ trống oxy là then chốt trong công nghệ chế tạo pin nhiên liệu oxit rắn (SOFC) và bộ nhớ điện trở (ReRAM)?","Trong SOFC, mạng lưới lỗ trống oxy cung cấp kênh khuếch tán dẫn ion oxy (O2-) qua chất điện phân rắn ở nhiệt độ cao; trong ReRAM, sự dịch chuyển thuận nghịch và kết tụ của các lỗ trống oxy dưới điện trường tạo ra các sợi dẫn điện nano (conductive filaments), quyết định trạng thái chuyển mạch đóng mở điện trở.",{"id":53,"researcherId":10,"name":54,"imageUrl":55},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",{"id":57,"researcherId":10,"name":58,"imageUrl":59},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",[61,62,63,64,65,66,67,68,69,70],"pin nhiên liệu","cấu trúc tinh thể","ion kim loại","tính chất vật liệu","vật liệu từ tính","chất ô nhiễm","kim loại chuyển tiếp","ổn định nhiệt","cảm biến sinh học","độ nhạy cao",10,true,"PUBLISHED","2025-07-19T09:40:03.349+00:00","2026-09-11T04:08:29.553+00:00","2025-07-21T07:51:22.774+00:00","2026-09-11T04:08:29.043+00:00",257,[80,83,86,89,92,95,98,101,104,107],{"id":81,"title":82,"term":81,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"đồng vị bền","Đồng vị bền là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":84,"title":85,"term":84,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hệ số dẫn nhiệt","Hệ số dẫn nhiệt là gì? Các công bố khoa học về Hệ số dẫn nhiệt",{"id":87,"title":88,"term":87,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hình thái","Hình thái là gì? Các công bố khoa học về Hình thái",{"id":90,"title":91,"term":90,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"tán xạ","Tán xạ là gì? Các nghiên cứu khoa học về Tán xạ",{"id":93,"title":94,"term":93,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"dòng điện xoáy","Dòng điện xoáy là gì? Các công bố khoa học về Dòng điện xoáy",{"id":96,"title":97,"term":96,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"syngas","Syngas là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học về Syngas",{"id":99,"title":100,"term":99,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"phương pháp đồng kết tủa","Phương pháp đồng kết tủa là gì? Các nghiên cứu khoa học",{"id":102,"title":103,"term":102,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"ligand","Ligand là gì? Các nghiên cứu khoa học về Ligand",{"id":105,"title":106,"term":105,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hydrogen","Hydrogen là gì? Các công bố khoa học về Hydrogen",{"id":108,"title":109,"term":108,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"dung dịch kiềm","Dung dịch kiềm là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan"]