[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_hi%E1%BB%87u%20su%E1%BA%A5t%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%20t%E1%BB%AD{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_hiệu suất lượng tử":54},{"code":4,"data":5,"meta":21},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":52,"vietnamLatest":53},[],[8,25,39],{"publicationId":9,"title":10,"originalTitle":11,"authorNames":12,"authorCount":16,"journalName":17,"vietnamJournal":18,"publishDate":19,"publishYear":20,"totalCitation":21,"url":22,"doi":23,"summary":24},"407a591a-c78f-4c37-98b9-b153c5d62fe6","Tạo ra và vận chuyển tải điện hiệu quả của hạt lượng tử CsPb1-xMnx(Br\u002FCl)3 trong tế bào mặt trời perovskite dựa trên carbon hiệu suất cao","Efficient carrier generation and transport of CsPb1-xMnx(Br\u002FCl)3 quantum dots in high-performance carbon-based perovskite solar cells",[13,14,15],"Yingping Yang","Mengwei Chen","Houpu Zhou",5,"Applied Physics A Solids and Surfaces",false,"2022-11-17",2022,null,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002F10.1007\u002Fs00339-022-06196-3","10.1007\u002Fs00339-022-06196-3","\u003Cp>Khoa học quang điện tử tổng hợp chấm lượng tử perovskite \u003Ci>CsPb1-xMnx(Br\u002FCl)3\u003C\u002Fi> biến tính ion mangan nhằm tăng cường hấp thụ ánh sáng và cải thiện phân bố dải năng lượng. Phân tích phổ phát quang xác nhận \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">hiệu suất lượng tử\u003C\u002Fb> chuyển đổi photon thành electron tăng mạnh, giúp pin mặt trời màng mỏng đạt \u003Cb>hiệu suất chuyển hóa năng lượng 14,76%\u003C\u002Fb> vượt trội so với mẫu đối chứng. Cấu trúc chấm lượng tử tối ưu hóa quá trình vận chuyển hạt tải điện.\u003C\u002Fp>",{"publicationId":26,"title":27,"originalTitle":28,"authorNames":29,"authorCount":32,"journalName":33,"vietnamJournal":18,"publishDate":34,"publishYear":35,"totalCitation":21,"url":36,"doi":37,"summary":38},"73a059ae-dc3a-481f-a07f-e90bd6be25b8","Xác định hiệu suất truyền năng lượng nội phân tử trong các hợp chất chelat của ytterbium","Determination of intramolecular energy-transfer efficiency in ytterbium chelates",[30,31],"V. Ya. Venchikov","M. P. Tsvirko",2,"Journal of Applied Spectroscopy","2000-07-01",2000,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1007\u002FBF02681315","10.1007\u002FBF02681315","\u003Cp>Quang hóa học phức chất đo lường độ lợi phát quang và \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">hiệu suất lượng tử\u003C\u002Fb> của quá trình truyền năng lượng kích thích nội phân tử trong muối tris-thenoyltrifluoroacetonate của ion ytterbium \u003Ci>Yb3+\u003C\u002Fi>. Chiếu xạ kích thích chọn lọc trong vùng tử ngoại UV và hồng ngoại IR xác nhận \u003Cb>giá trị hiệu suất lượng tử tiệm cận 1\u003C\u002Fb> từ trạng thái triplet của phối tử sang mức kích thích kim loại. Phát hiện làm sáng tỏ cơ chế phát quang hiệu năng cao trong vật liệu laser.\u003C\u002Fp>",{"publicationId":40,"title":41,"originalTitle":42,"authorNames":43,"authorCount":16,"journalName":21,"vietnamJournal":18,"publishDate":47,"publishYear":48,"totalCitation":21,"url":49,"doi":50,"summary":51},"36d87748-8149-4115-a868-c0e7500f5bf4","Nghiên cứu về các thuộc tính quang điện của điốt quang a-SiGe:H","The Study of the Optoelectronic Properties of a-SiGe:H Photodiodes",[44,45,46],"L.C. Kuo","C.C. Lee","K.H. Chen","1991-01-15",1991,"https:\u002F\u002Flink.springer.com\u002Farticle\u002F10.1557\u002FPROC-219-481","10.1557\u002FPROC-219-481","\u003Cp>Vật lý bán dẫn khảo sát đặc tính quang điện của điốt quang hợp kim silicon-germanium vô định hình \u003Ci>a-SiGe:H\u003C\u002Fi> cấu trúc pin và rào cản Schottky dưới điện áp phân cực ngược. Kết quả thực nghiệm chứng minh \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">hiệu suất lượng tử\u003C\u002Fb> suy giảm khi chiều dày vùng tích cực tăng nhưng có thể phục hồi tối ưu bằng điện trường ngoài với \u003Cb>đỉnh phổ mở rộng tới bước sóng 800 nm\u003C\u002Fb>. Công nghệ hỗ trợ chế tạo cảm biến hồng ngoại chi phí thấp.\u003C\u002Fp>",[],[],{"code":4,"data":55,"meta":21},{"id":56,"title":57,"description":58,"content":59,"term":56,"englishTitle":21,"synonyms":21,"definition":21,"discipline":21,"references":21,"faqs":21,"createUser":60,"publishUser":64,"keywords":65,"keywordCount":21,"enrichTopicLink":18,"status":66,"createTime":67,"updateTime":68,"publishTime":69,"linkEnrichedTime":21,"publicationScanTime":70,"contentErrorMessage":21,"viewCount":71,"relateTopics":72},"hiệu suất lượng tử","Hiệu suất lượng tử là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","Hiệu suất lượng tử (Quantum Efficiency - QE) là tỷ lệ giữa số electron sinh ra và số photon chiếu tới tại một bước sóng xác định trong thiết bị quang điện. Có hai loại chính là EQE và IQE, lần lượt phản ánh hiệu quả tổng thể và nội tại của thiết bị trong việc chuyển đổi ánh sáng thành tín hiệu điện. ","\u003Cdiv>\u003Ch2>Tóm tắt\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Bài viết này tập trung giải thích khái niệm “hiệu suất lượng tử” (Quantum Efficiency – QE) – một chỉ số then chốt trong vật lý và kỹ thuật quang điện. QE thể hiện hiệu quả chuyển đổi photon thành điện tích, là cơ sở đánh giá năng lực hoạt động của cảm biến hình ảnh, pin mặt trời, và các thiết bị quang học. Bài viết phân tích chi tiết các loại QE, phương pháp đo lường, công thức liên quan và vai trò của QE trong thiết kế thiết bị bán dẫn hiện đại.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Hiệu suất lượng tử – khái niệm tổng quát\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Hiệu suất lượng tử (Quantum Efficiency – QE) đo lường khả năng của một vật liệu hoặc thiết bị trong việc chuyển đổi photon ánh sáng thành electron tự do. Nó được định nghĩa là tỷ số giữa số lượng cặp electron–lỗ trống được sinh ra và số lượng photon tới tại một bước sóng cụ thể:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">QE(\\lambda) = \\frac{\\text{Số electron được tạo ra}}{\\text{Số photon tới tại bước sóng } \\lambda}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Chỉ số QE dao động từ 0 đến 1 (hoặc 0% đến 100%), phản ánh mức độ hiệu quả của thiết bị trong việc thu nhận và chuyển đổi ánh sáng. Một số thiết bị hiện đại, với cấu trúc khuếch đại bên trong, có thể đạt QE vượt 100% thông qua các cơ chế như tăng cường carrier hoặc hiệu ứng đa exciton.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ví dụ đơn giản: Nếu một photodetector nhận được 1000 photon tại bước sóng 500 nm và tạo ra 600 electron, thì QE tại bước sóng này là 60%. Việc xác định QE theo bước sóng là rất quan trọng vì đặc tính hấp thụ photon phụ thuộc mạnh vào phổ ánh sáng.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phân biệt EQE và IQE\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong thực tế, hiệu suất lượng tử được chia làm hai loại: EQE (External Quantum Efficiency) và IQE (Internal Quantum Efficiency). Sự phân biệt này phản ánh các nguồn tổn thất khác nhau ảnh hưởng đến hiệu quả tổng thể.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cstrong>EQE\u003C\u002Fstrong> tính toán toàn bộ quá trình từ photon tới đến dòng electron tạo ra bên ngoài thiết bị. Nó bao gồm cả tổn thất do phản xạ bề mặt, truyền qua vật liệu, hoặc tán xạ. Công thức:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">EQE = \\frac{\\text{Số electron thu được}}{\\text{Số photon chiếu tới}}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cstrong>IQE\u003C\u002Fstrong> chỉ xét đến photon đã thực sự bị hấp thụ trong vùng hoạt động của thiết bị, do đó loại bỏ các tổn thất do phản xạ hay truyền qua:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">IQE = \\frac{\\text{Số electron thu được}}{\\text{Số photon bị hấp thụ}}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Sự khác biệt giữa EQE và IQE rất quan trọng trong nghiên cứu vật liệu bán dẫn và tối ưu hóa cấu trúc thiết bị quang điện.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>EQE phản ánh hiệu suất tổng thể.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>IQE phản ánh hiệu suất nội tại của vật liệu và thiết kế cấu trúc bên trong.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Công thức tính và quan hệ với đáp ứng quang phổ\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong kỹ thuật, QE thường được liên hệ trực tiếp với đáp ứng quang phổ (Spectral Response – SR) thông qua công thức:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">QE(\\lambda) = SR(\\lambda) \\cdot \\frac{hc}{q\\lambda}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong đó:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">SR(\\lambda)\u003C\u002Fscript> là dòng điện sinh ra trên mỗi đơn vị công suất ánh sáng tại bước sóng \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\\lambda\u003C\u002Fscript>.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">h\u003C\u002Fscript> là hằng số Planck (6.626×10⁻³⁴ J·s),\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">c\u003C\u002Fscript> là vận tốc ánh sáng trong chân không (3×10⁸ m\u002Fs),\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">q\u003C\u002Fscript> là điện tích của electron (1.602×10⁻¹⁹ C),\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\\lambda\u003C\u002Fscript> là bước sóng ánh sáng (mét).\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Bảng dưới đây minh họa mối liên hệ giữa QE và SR với các bước sóng khác nhau:\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"5\">\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\n    \u003Cth>Bước sóng (nm)\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>SR (A\u002FW)\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>QE (%)\u003C\u002Fth>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>400\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>0.15\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>46.8\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>550\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>0.25\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>70.5\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>700\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>0.35\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>87.5\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Dữ liệu này có thể dùng để đánh giá dải phổ hoạt động hiệu quả của cảm biến hoặc tế bào quang điện. Các nhà sản xuất thường công bố đồ thị QE(λ) để mô tả độ nhạy của thiết bị theo bước sóng.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Đo lường QE trong thực tế\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Để xác định QE thực nghiệm, các nhà nghiên cứu sử dụng một nguồn sáng đơn sắc (monochromator) kết hợp với một hệ thống đo dòng điện đầu ra của thiết bị. Thông thường, thiết bị cần được hiệu chuẩn với một nguồn sáng có phổ đã biết.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ví dụ, trong cảm biến CCD (Charge-Coupled Device), QE có thể thay đổi mạnh theo bước sóng do độ sâu hấp thụ của photon khác nhau. Cảm biến CCD tiêu chuẩn có QE khoảng 40–60% ở vùng khả kiến. Tuy nhiên, các cảm biến thiết kế đặc biệt như “back-illuminated CCD” có thể đạt QE >90% do loại bỏ lớp cổng che phía trước.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>CCD tiêu chuẩn: QE ≈ 45–60%\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Back-illuminated CCD: QE ≈ 80–95%\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Quá trình đo cần lưu ý đến các yếu tố sau:\u003C\u002Fp>\n\u003Col>\n  \u003Cli>Phổ và cường độ của nguồn sáng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Góc tới và hệ số phản xạ bề mặt.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Hiệu chuẩn thiết bị đo dòng điện.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\n\u003Cp>Ở cấp độ công nghiệp, các hệ thống đo QE tự động dùng laser điều chỉnh bước sóng, thiết bị chuẩn quốc tế (reference diode) và phần mềm tính toán để vẽ đồ thị QE theo bước sóng đầu vào.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Ứng dụng trong pin mặt trời\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong công nghệ pin mặt trời, hiệu suất lượng tử là một chỉ số nền tảng dùng để đánh giá khả năng chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành điện năng. Mỗi photon ánh sáng mang năng lượng, nếu bị hấp thụ thành công và giải phóng một cặp electron–hole, sẽ đóng góp vào dòng điện tạo ra từ tế bào quang điện.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>EQE của pin mặt trời mô tả tỷ lệ giữa số electron sinh ra và số photon chiếu tới bề mặt tế bào. Đây là chỉ số đo “đầu ra” thực tế của pin dưới phổ sáng cụ thể. Trong khi đó, IQE cho biết hiệu quả chuyển đổi photon đã hấp thụ – phản ánh chất lượng vật liệu bán dẫn và thiết kế lớp tiếp xúc.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Biểu đồ EQE theo bước sóng giúp các nhà nghiên cứu:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Phân tích phổ hấp thụ của vật liệu quang điện.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Xác định bước sóng mà tế bào hoạt động hiệu quả nhất.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Phát hiện vùng tổn thất do tái tổ hợp hoặc phản xạ.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Ví dụ, với tế bào silicon đơn tinh thể, EQE thường đạt đỉnh khoảng 600–800 nm nhưng giảm mạnh dưới 400 nm do hấp thụ nông và phản xạ bề mặt. Việc cải thiện lớp chống phản xạ và tối ưu lớp tiếp xúc có thể nâng cao EQE đáng kể.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Giới hạn lý thuyết – Shockley–Queisser\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Hiệu suất năng lượng cực đại của một tế bào quang điện bán dẫn đơn lớp được giới hạn bởi lý thuyết Shockley–Queisser, trong đó giả định rằng mỗi photon chỉ sinh ra một cặp electron–hole và tất cả quá trình tái tổ hợp là cân bằng nhiệt động lực học.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Giới hạn này, với silicon có bandgap khoảng 1.1 eV, là ~33.7%. Lý do chủ yếu là:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Photon năng lượng thấp hơn bandgap không bị hấp thụ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Photon năng lượng cao hơn bandgap sẽ mất phần dư năng lượng dưới dạng nhiệt (thermalization loss).\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Các phương pháp để vượt giới hạn Shockley–Queisser bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Multi-junction solar cells (tế bào đa tiếp giáp).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Photon upconversion\u002Fdownconversion.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Multiple exciton generation (MEG): sinh ra nhiều hơn 1 cặp electron–hole từ một photon duy nhất.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Ví dụ, các vật liệu như PbSe quantum dots đã cho thấy khả năng sinh 2–3 exciton từ photon năng lượng cao, cho QE nội >100%, mở ra hướng phát triển các tế bào quang điện hiệu suất vượt chuẩn.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nâng cao hiệu suất – vật liệu và cấu trúc mới\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Các nghiên cứu gần đây tập trung vào việc cải tiến vật liệu và kiến trúc thiết bị nhằm tăng QE, nhất là ở các vùng phổ có hiệu suất kém. Trong cảm biến và pin mặt trời, cấu trúc nanostructure và vật liệu bán dẫn thế hệ mới là chìa khóa.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ví dụ về các kỹ thuật cải tiến QE:\u003C\u002Fp>\n\u003Col>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Back-illuminated architecture\u003C\u002Fstrong>: di chuyển lớp kim loại và gate ra phía sau giúp giảm hấp thụ không hiệu quả.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Nanostructure surface\u003C\u002Fstrong>: các cột nano hoặc lớp mỏng có thể bẫy ánh sáng, tăng khả năng hấp thụ và giảm phản xạ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Quantum wells\u002Fdots\u003C\u002Fstrong>: thiết kế đa lớp với bandgap tùy chỉnh để hấp thụ phổ rộng hơn.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\n\u003Cp>Một nghiên cứu năm 2022 từ Đại học Stanford đã chế tạo cảm biến photodiode với lớp phủ silicon nano được xử lý plasma, đạt QE >130% trong dải UV (300–400 nm) nhờ tăng cường hiệu ứng impact ionization.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable border=\"1\" cellpadding=\"5\">\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\n    \u003Cth>Cấu trúc\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>Bước sóng tối ưu\u003C\u002Fth>\n    \u003Cth>QE đạt được\u003C\u002Fth>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Silicon phẳng\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>550–800 nm\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>~60%\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Si với nano cột\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>350–650 nm\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>~95%\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\n    \u003Ctd>Quantum dot PbSe\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>900–1200 nm\u003C\u002Ftd>\n    \u003Ctd>>100%\u003C\u002Ftd>\n  \u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong lĩnh vực cảm biến và hình ảnh\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong công nghệ hình ảnh, đặc biệt là thiết bị như máy ảnh kỹ thuật số, cảm biến thiên văn, và kính hiển vi, QE quyết định độ nhạy sáng của cảm biến. Cảm biến CCD\u002FCMOS có QE cao sẽ tạo ra ảnh rõ hơn với ít nhiễu hơn, đặc biệt trong điều kiện ánh sáng yếu.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ví dụ:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>CMOS tiêu chuẩn: QE ~40–60% ở vùng khả kiến.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>CCD back-thinned: QE >90%, đặc biệt dùng trong thiên văn học.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Các hãng sản xuất như \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.hamamatsu.com\">Hamamatsu\u003C\u002Fa> và \u003Ca href=\"https:\u002F\u002Fwww.teledyneimaging.com\">Teledyne Imaging\u003C\u002Fa> công bố dữ liệu QE theo bước sóng cho từng dòng cảm biến. Dựa trên các biểu đồ này, kỹ sư có thể chọn cảm biến phù hợp với dải phổ của ứng dụng như ảnh nhiệt, chụp UV hay phân tích huỳnh quang.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phân tích yếu tố ảnh hưởng đến QE\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>QE không phải chỉ do vật liệu bán dẫn quyết định, mà còn phụ thuộc nhiều yếu tố vật lý khác trong thiết kế thiết bị quang điện. Các yếu tố chính ảnh hưởng gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Hệ số phản xạ (reflection loss).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Độ dày lớp hoạt động (active layer thickness).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Chiều dài khuếch tán carrier (diffusion length).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tốc độ tái tổ hợp carrier (recombination rate).\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Giảm phản xạ được thực hiện bằng cách phủ lớp chống phản xạ (AR coating) hoặc tạo cấu trúc bề mặt nano. Tái tổ hợp có thể được hạn chế bằng cách tối ưu nồng độ tạp chất, giảm khuyết tật và cải thiện kết nối điện giữa các lớp vật liệu.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phương pháp đo và kỹ thuật kiểm định\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Để đo QE, thiết bị đo cần cung cấp ánh sáng đơn sắc và đồng đều, đo dòng điện sinh ra, đồng thời loại trừ ảnh hưởng của nhiễu và sai số hệ thống. Các thiết bị đo QE chuyên nghiệp gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Monochromator điều chỉnh bước sóng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Photodetector chuẩn để hiệu chuẩn công suất ánh sáng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Hệ thống khóa pha hoặc lọc nhiễu để đo dòng điện thấp.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Quy trình đo thường bao gồm:\u003C\u002Fp>\n\u003Col>\n  \u003Cli>Chiếu sáng thiết bị với bước sóng xác định.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Đo dòng điện sinh ra (I).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tính công suất ánh sáng tới (P).\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Tính SR = I \u002F P và từ đó suy ra QE theo công thức:\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Fol>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">QE(\\lambda) = \\frac{SR(\\lambda) \\cdot hc}{q\\lambda}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Kỹ thuật so sánh giữa EQE và IQE bằng cách đo thêm hệ số phản xạ (R) và truyền qua (T) để ước tính tỷ lệ hấp thụ thực sự:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">IQE = \\frac{EQE}{1 - R - T}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Kết luận và xu hướng tương lai\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Hiệu suất lượng tử là một chỉ số quan trọng bậc nhất trong đánh giá hiệu quả của mọi thiết bị quang–điện. Trong các lĩnh vực từ điện mặt trời đến chụp ảnh y sinh, QE không chỉ là thước đo kỹ thuật mà còn là mục tiêu tối ưu hóa trong thiết kế công nghệ.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Xu hướng tương lai tập trung vào:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Phát triển vật liệu như perovskite, chalcogenide, graphene.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Thiết kế thiết bị 3D, đa lớp, cấu trúc siêu mỏng.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Áp dụng machine learning để điều chỉnh cấu trúc theo phổ QE mục tiêu.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Với tiến bộ khoa học vật liệu và công nghệ nanofabrication, QE có thể được nâng lên những giới hạn mới – không chỉ phản ánh hiệu quả ánh sáng, mà còn là động lực cho cả ngành công nghiệp quang điện toàn cầu.\u003C\u002Fp>\n\u003C\u002Fdiv>",{"id":61,"researcherId":21,"name":62,"imageUrl":63},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",{"id":61,"researcherId":21,"name":62,"imageUrl":63},[56],"PUBLISHED","2025-06-10T08:09:31.853+00:00","2026-09-03T05:12:55.239+00:00","2025-06-11T02:59:50.627+00:00","2026-09-03T05:12:55.237+00:00",527,[73,82,93,99,104,109,119,123,128,133],{"id":74,"title":75,"term":74,"englishTitle":74,"definition":76,"discipline":77,"disciplineCode":78,"disciplineLabel":79,"disciplineColor":80,"disciplineIcon":81},"photoluminescence","Photoluminescence là gì? Các nghiên cứu khoa học về Photoluminescence","Photoluminescence (quang phát quang, PL) là hiện tượng phát xạ ánh sáng (photon) từ một chất sau khi chất đó hấp thụ bức xạ điện từ (thường là photon vùng tử ngoại hoặc khả kiến), bao gồm hai cơ chế chính là huỳnh quang (fluorescence) và lân quang (phosphorescence).","NATURAL_SCIENCES","natural-sciences","Khoa học tự nhiên","#0E9F9C","atom",{"id":83,"title":84,"term":85,"englishTitle":86,"definition":87,"discipline":88,"disciplineCode":89,"disciplineLabel":90,"disciplineColor":91,"disciplineIcon":92},"hgcdte","HgCdTe là gì? Vật liệu bán dẫn hồng ngoại đỉnh cao","HgCdTe","mercury cadmium telluride","HgCdTe là hợp chất bán dẫn II-VI có độ rộng vùng cấm điều chỉnh được, vật liệu then chốt trong chế tạo các đầu dò quang hồng ngoại đa phổ ứng dụng trong quang điện tử và quốc phòng.","ENGINEERING_TECHNOLOGY","engineering-technology","Kỹ thuật và công nghệ","#5B62F4","cpu",{"id":94,"title":95,"term":96,"englishTitle":97,"definition":98,"discipline":77,"disciplineCode":78,"disciplineLabel":79,"disciplineColor":80,"disciplineIcon":81},"laser bán dẫn","Laser bán dẫn là gì? Ý nghĩa và ứng dụng chuyên sâu","Laser bán dẫn","Semiconductor laser \u002F Diode laser","Laser bán dẫn (laser diode) là thiết bị nguồn sáng kết hợp sử dụng lớp chuyển tiếp bán dẫn p-n làm môi trường hoạt tính, phát ra ánh sáng đơn sắc kết hợp theo nguyên lý phát xạ kích thích khi tiêm dòng điện phân cực thuận kích hoạt tái hợp electron và lỗ trống.",{"id":100,"title":101,"term":100,"englishTitle":102,"definition":103,"discipline":88,"disciplineCode":89,"disciplineLabel":90,"disciplineColor":91,"disciplineIcon":92},"quantum cascade lasers","Quantum cascade lasers là gì? Tổng quan học thuật","quantum cascade laser","Quantum cascade lasers (laser thác lượng tử, QCL) là loại laser bán dẫn phát ra bức xạ trong vùng hồng ngoại trung và terahertz dựa trên các bước chuyển mức năng lượng giữa các vùng con (intersubband) của electron qua cấu trúc dị thể đa giếng lượng tử xếp tầng tuần hoàn.",{"id":105,"title":106,"term":105,"englishTitle":107,"definition":108,"discipline":77,"disciplineCode":78,"disciplineLabel":79,"disciplineColor":80,"disciplineIcon":81},"bảo tồn đa dạng sinh học","Bảo tồn đa dạng sinh học là gì? Các bài nghiên cứu khoa học","biodiversity conservation","Bảo tồn đa dạng sinh học (biodiversity conservation) là việc bảo vệ, quản lý khoa học và phục hồi các hệ sinh thái tự nhiên, các loài sinh vật và nguồn gen di truyền nhằm duy trì sự cân bằng sinh thái, dịch vụ hệ sinh thái và sự tồn tại bền vững của sinh quyển.",{"id":110,"title":111,"term":110,"englishTitle":112,"definition":113,"discipline":114,"disciplineCode":115,"disciplineLabel":116,"disciplineColor":117,"disciplineIcon":118},"nồng độ huyết tương","Nồng độ huyết tương là gì? Các nghiên cứu khoa học ","plasma concentration","Nồng độ huyết tương (plasma concentration) là lượng chất hòa tan (như thuốc, chất chuyển hóa, protein hoặc ion điện giải) hiện diện trong một đơn vị thể tích huyết tương tuần hoàn tại một thời điểm xác định, là thông số trung tâm trong dược động học lâm sàng.","MEDICAL_HEALTH_SCIENCES","medical-health-sciences","Khoa học y - dược","#D6336C","stethoscope",{"id":120,"title":121,"term":120,"englishTitle":120,"definition":122,"discipline":114,"disciplineCode":115,"disciplineLabel":116,"disciplineColor":117,"disciplineIcon":118},"transferrin","Transferrin là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan","Transferrin là một glycoprotein vận chuyển sắt chính trong huyết tương động vật có vú, được tổng hợp chủ yếu ở gan, có khả năng gắn kết đảo ngược với hai ion sắt ferric (Fe³⁺) và phân phối sắt đến các mô tế bào thông qua thụ thể transferrin (TfR1).",{"id":124,"title":125,"term":124,"englishTitle":126,"definition":127,"discipline":114,"disciplineCode":115,"disciplineLabel":116,"disciplineColor":117,"disciplineIcon":118},"hạch bạch huyết","Hạch bạch huyết là gì? Các nghiên cứu về Hạch bạch huyết","lymph node","Hạch bạch huyết (lymph node) là cơ quan bạch huyết thứ cấp dạng hình hạt đậu nằm phân bố dọc theo các mạch bạch huyết trong cơ thể, có chức năng lọc dịch bạch huyết, bẫy giữ kháng nguyên lạ và khởi động các đáp ứng miễn dịch thích ứng.",{"id":129,"title":130,"term":129,"englishTitle":131,"definition":132,"discipline":114,"disciplineCode":115,"disciplineLabel":116,"disciplineColor":117,"disciplineIcon":118},"hẹp động mạch chủ","Hẹp động mạch chủ là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","aortic stenosis \u002F aortic valve stenosis","Hẹp động mạch chủ (aortic stenosis) là bệnh lý van tim đặc trưng bởi sự thu hẹp diện tích mở của van động mạch chủ trong thì tâm thu, gây cản trở dòng máu tống từ tâm thất trái lên quai động mạch chủ và dẫn đến phì đại thất trái đồng tâm, suy tim và đột tử.",{"id":134,"title":135,"term":134,"englishTitle":136,"definition":137,"discipline":114,"disciplineCode":115,"disciplineLabel":116,"disciplineColor":117,"disciplineIcon":118},"il 17a","Il 17a là gì? Các bài báo nghiên cứu khoa học liên quan","Interleukin-17A \u002F IL-17A","Interleukin-17A (IL-17A) là cytokine tiền viêm chủ chốt do tế bào lympho T hỗ trợ 17 (Th17) và các tế bào miễn dịch bẩm sinh bài tiết, đóng vai trò then chốt trong phòng ngự miễn dịch chống nhiễm nấm, vi khuẩn ngoại bào và là đích điều trị chính trong các bệnh tự miễn mạn tính."]