[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_exciton%20hai%20chi%E1%BB%81u{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_exciton%20hai%20chi%E1%BB%81u":11},{"code":4,"data":5,"meta":10},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":8,"vietnamLatest":9},[],[],[],[],null,{"code":4,"data":12,"meta":10},{"id":13,"title":14,"description":15,"content":16,"term":13,"englishTitle":17,"synonyms":18,"definition":21,"discipline":22,"references":23,"faqs":45,"createUser":55,"publishUser":10,"keywords":59,"keywordCount":70,"enrichTopicLink":71,"status":72,"createTime":73,"updateTime":74,"publishTime":10,"linkEnrichedTime":75,"publicationScanTime":10,"contentErrorMessage":10,"viewCount":76,"wikidataId":10,"relateTopics":77},"exciton hai chiều","Exciton hai chiều là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan","Tìm hiểu exciton hai chiều (Two-Dimensional Exciton): định nghĩa khoa học chuẩn mực, cơ chế vận hành, thông số thực nghiệm và ứng dụng chuyên sâu.","\u003Cp>\u003Cstrong>exciton hai chiều\u003C\u002Fstrong> (\u003Cem>Two-Dimensional Exciton\u003C\u002Fem>) là một giả hạt chuẩn liên kết tạo thành bởi tương tác hút Coulomb giữa một electron mang điện âm và một lỗ trống mang điện dương trong các hệ vật liệu phân lớp đơn nguyên tử hai chiều, sở hữu năng lượng liên kết exciton cực lớn do hiệu ứng giam cầm lượng tử và suy giảm chắn điện môi.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Định nghĩa exciton hai chiều\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Exciton hai chiều (2D exciton) là hạt ánh sáng điện tử liên kết thành cặp electron–lỗ trống tồn tại trong các vật liệu bán dẫn lớp mỏng chỉ dày một hoặc vài nguyên tử. Khác với exciton trong vật liệu khối, exciton 2D bị giới hạn trong mặt phẳng tinh thể mỏng, tăng cường lực Coulomb giữa electron và lỗ do hiệu ứng chậm screening và giảm kích thước hiệu dụng Xu et al., Nature Physics.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong hệ 2D, exciton thể hiện {{topic|%7B%22topic%22%3A%22n%C4%83ng%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%20li%C3%AAn%20k%E1%BA%BFt%22%7D}} cao (từ vài trăm meV đến &gt;1 eV) và bán kính exciton nhỏ (vài nanomet), cho phép quan sát rõ ràng các trạng thái Rydberg không hydrogenic tại nhiệt độ phòng Chernikov et al., PRL.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Exciton hai chiều đóng vai trò then chốt trong quang học và opto-electronics của vật liệu 2D như transition metal dichalcogenides (TMDs), phosphorene, h-BN, góp phần tạo ra các thiết bị đèn LED, laser, cảm biến quang và pin mặt trời hiệu suất cao.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Vật liệu hỗ trợ exciton 2D\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Transition metal dichalcogenides (TMDs) như MoS₂, WS₂, MoSe₂ và WSe₂ là hệ vật liệu 2D tiêu biểu, có vùng cấm trực tiếp (direct bandgap) ở lớp đơn, cho phép tạo exciton mạnh và phát quang hiệu quả. Trong MoS₂ đơn lớp, exciton A và B tách biệt nhờ spin–orbit splitting ~150 meV Mak &amp; Shan, Nat Photonics.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>MoS₂, WS₂:\u003C\u002Fstrong> exciton liên kết ~0,5–0,7 eV, bán kính ~1 nm.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>MoSe₂, WSe₂:\u003C\u002Fstrong> exciton liên kết ~0,3–0,5 eV, phát xạ bước sóng đỏ đến gần hồng ngoại.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>h-BN:\u003C\u002Fstrong> exciton Frenkel mạnh, năng lượng liên kết &gt;2 eV, ứng dụng trong phát quang UV.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Phosphorene (Black phosphorus) và các perovskite 2D cũng cho exciton binding energy ~0,3–0,6 eV, mở ra hướng nghiên cứu mới cho opto-electronics linh hoạt và pin mặt trời lớp mỏng.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Cấu trúc và tính chất\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Exciton hai chiều tuân theo mô hình Wannier–Mott mở rộng cho hệ 2D, với Hamiltonian tương tác Coulomb hiệu dụng:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">H = -\\frac{\\hbar^2}{2\\mu}\\nabla^2 - \\frac{e^2}{4\\pi\\varepsilon_0\\varepsilon_r r}\\end{math}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong đó μ là khối lượng giảm, ε_r là {{topic|%7B%22topic%22%3A%22h%E1%BA%B1ng%20s%E1%BB%91%20%C4%91i%E1%BB%87n%20m%C3%B4i%22%7D}} hiệu dụng (bao gồm cả môi trường xung quanh). Giới hạn 2D làm lực Coulomb suy giảm chậm hơn so với 3D, dẫn đến binding energy tăng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Tính chất quang học của exciton 2D thể hiện qua đỉnh hấp thụ và phát xạ sắc nét, độ rộng hàng thấp (linewidth &lt;10 meV ở nhiệt độ thấp), và tính phân cực spin-valley đặc trưng của TMDs, dùng để điều khiển spin và valleytronics Wang et al., RMP.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\u003Cth>Vật liệu\u003C\u002Fth>\u003Cth>E_binding (eV)\u003C\u002Fth>\u003Cth>R_exciton (nm)\u003C\u002Fth>\u003Cth>Bandgap (eV)\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>MoS₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0.55\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1.0\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1.90\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>WS₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0.70\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0.9\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>2.10\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>WSe₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0.50\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1.1\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1.65\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>h-BN\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>2.0\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0.5\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>5.9\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\n\u003Ch2>Năng lượng liên kết và kích thước exciton\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Năng lượng liên kết exciton 2D có thể tính gần đúng qua công thức Rydberg hiệu dụng:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">E_n = \\frac{\\mu e^4}{2 (4\\pi \\varepsilon_0 \\varepsilon_r)^2 \\hbar^2 n^2}\\end{math}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ở n=1 (trạng thái cơ bản), E₁ trong TMDs đơn lớp đạt 0,3–0,7 eV, cao gấp hàng chục lần so với exciton trong GaAs quantum wells (~10 meV). Bán kính exciton R₁ ≈ ε_r ħ²\u002F(μe²) ~1 nm, cho mật độ exciton cao trước khi xảy ra ion hóa thành plasma electron-lỗ.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Thành phần khối lượng giảm μ và hằng số điện môi ε_r phụ thuộc bản chất vật liệu và môi trường xung quanh (substrate, encapsulation). Điều chỉnh ε_r qua kiểm soát substrate (h-BN, SiO₂) cho phép tinh chỉnh binding energy và {{topic|%7B%22topic%22%3A%22kh%E1%BA%A3%20n%C4%83ng%20t%C6%B0%C6%A1ng%20t%C3%A1c%22%7D}} nhiều-exciton.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Mô hình lý thuyết (Wannier–Mott, Frenkel)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Mô hình Wannier–Mott mô tả exciton như cặp electron–lỗ trống rộng, bán kính exciton lớn so với khoảng cách mạng tinh thể, thích hợp cho bán dẫn có hằng số điện môi cao. Hamiltonian hiệu dụng 2D:\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">H = -\\frac{\\hbar^2}{2\\mu}\\nabla^2 - \\frac{e^2}{2\\varepsilon_0(\\varepsilon_1+\\varepsilon_2)\\,r}\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>với μ khối lượng giảm, ε₁ và ε₂ hằng số điện môi hai bên lớp 2D. Mô hình Frenkel áp dụng khi exciton bị bó chặt tại một đơn vị cơ bản (unit cell), binding energy lớn, bán kính nhỏ, thường gặp ở chất rắn phân tử và h-BN Yu &amp; Cui, Sci. Dir..\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phương pháp quan sát và đo đạc\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Spectroscopy quang phổ là công cụ chính để quan sát exciton 2D. Photoluminescence (PL) đo đỉnh phát xạ exciton A và B, cho binding energy từ chênh lệch so với bandgap quang học. Reflectance contrast và absorption spectroscopy xác định trạng thái Rydberg cao cấp (\u003Ci>n\u003C\u002Fi> &gt;1) Chernikov et al., PRL.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Photoluminescence:\u003C\u002Fstrong> độ rộng phổ hẹp (~5 meV ở 4 K), xác định tần số exciton.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Photoluminescence excitation (PLE):\u003C\u002Fstrong> scan bước sóng kích thích, phát hiện các trạng thái Rydberg.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Two-photon spectroscopy:\u003C\u002Fstrong> truy xuất trạng thái \u003Ci>2s\u003C\u002Fi> và \u003Ci>3s\u003C\u002Fi> không quan sát được bằng PL thường.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Microspectroscopy với tích hợp hệ quang học vi tiêu chuẩn (\u003Ci>micro-PL\u003C\u002Fi>) cho phép khảo sát exciton cục bộ, phân tích không đồng nhất vùng và hiệu ứng ứng suất (strain) Xu et al., Nat Phys.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Đặc tính quang học (hấp thụ, phát xạ)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Exciton 2D cho tín hiệu hấp thụ (absorption) và phát xạ (emission) mạnh do overlap wavefunction electron–lỗ cao. Đỉnh hấp thụ A exciton xuất hiện tại λ ~620 nm với độ hấp thụ cao (&gt;10⁵ cm⁻¹) trong MoS₂ đơn lớp.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Cthead>\n    \u003Ctr>\u003Cth>Vật liệu\u003C\u002Fth>\u003Cth>λₐ (nm)\u003C\u002Fth>\u003Cth>λₑ (nm)\u003C\u002Fth>\u003Cth>Quantum yield\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Fthead>\n  \u003Ctbody>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>MoS₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>620\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>660\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1–5 %\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>WS₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>615\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>630\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>3–10 %\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n    \u003Ctr>\u003Ctd>WSe₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>750\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>760\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>5–15 %\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>PL lifetime đo được qua time-resolved PL cho thời gian sống exciton ~1–10 ps ở nhiệt độ phòng, kéo dài &gt;100 ps khi dùng encapsulation h-BN để giảm tán xạ và không bức xạ Mak &amp; Shan, Nat Photonics.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Tương tác với điện trường và từ trường\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Dưới điện trường ngoài, exciton 2D trải qua hiệu ứng Stark tuyến tính và bậc hai, dịch chuyển đỉnh hấp thụ với hệ số ≈1–5 meV\u002F(MV\u002Fcm). Hiệu ứng này ứng dụng trong điều chế quang điện tử trên chip Mak &amp; Shan.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong từ trường mạnh (&gt;5 T), exciton phân裂 Zeeman với g-factor ~4–8 tùy loại TMD, cho phép điều khiển spin – valley và khai thác qubit lai ánh sáng–spin Wang et al., RMP.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng trong opto-điện tử và quang học phi tuyến\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Exciton 2D là nền tảng của LED monolayer với {{topic|%7B%22topic%22%3A%22hi%E1%BB%87u%20su%E1%BA%A5t%20ph%C3%A1t%20quang%22%7D}} cải thiện, laser nanomembrane và pin mặt trời lớp mỏng hiệu suất cao (&gt;3 %). Các photodetector 2D đạt responsivity &gt;10³ A\u002FW nhờ tăng cường hấp thụ exciton Mak &amp; Shan.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Second-harmonic generation (SHG):\u003C\u002Fstrong> TMDs cho tín hiệu SHG mạnh, dùng làm modulators on-chip.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Exciton-polariton:\u003C\u002Fstrong> ghép microcavity tạo quasiparticle lai ánh sáng–vật chất, hướng tới lasing ngưỡng thấp.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>\u003Cstrong>Valleytronics:\u003C\u002Fstrong> điều khiển hội tụ exciton tại các valley K và K′, ứng dụng bộ nhớ spin–valley.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\n\u003Ch2>Thách thức và triển vọng nghiên cứu\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Kiểm soát chính xác môi trường dielectric xung quanh để điều chỉnh ε_r, binding energy và tương tác nhiều-exciton đang là thách thức. Đồng thời cần cải thiện độ đồng nhất mẫu và giảm defect density để kéo dài lifetime exciton tại nhiệt độ phòng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Triển vọng tương lai bao gồm tích hợp heterostructure 2D (vdW) với graphene và h-BN để tạo exciton gián tiếp (interlayer exciton) với lifetime &gt;1 ns, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22chuy%E1%BB%83n%20giao%20n%C4%83ng%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%22%7D}} xa và phát triển thiết bị quang điện tử mới Wang et al., RMP.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Tiến bộ thực nghiệm và ứng dụng trong linh kiện quang điện tử thế hệ mới\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Những bước tiến đột phá trong công nghệ chế tạo vật liệu nano và quang phổ học siêu nhanh đã biến exciton hai chiều từ một đối tượng nghiên cứu lý thuyết thuần túy thành nền tảng của nhiều ứng dụng công nghệ quang điện tử tiên tiến. Tính chất giam cầm lượng tử mạnh mẽ cùng tương tác Coulomb vượt trội trong các cấu trúc đơn lớp mở ra các triển vọng chưa từng có trong xử lý {{topic|%7B%22topic%22%3A%22th%C3%B4ng%20tin%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%20t%E1%BB%AD%22%7D}} và {{topic|%7B%22topic%22%3A%22chuy%E1%BB%83n%20%C4%91%E1%BB%95i%20n%C4%83ng%20l%C6%B0%E1%BB%A3ng%22%7D}} quang học.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch3>Exciton màng ghép van der Waals và trạng thái Moiré\u003C\u002Fh3>\n\u003Cp>Khi ghép chồng hai lớp vật liệu 2D đơn lớp (chẳng hạn như ghép dị thể MoSe2 và WSe2) với một góc xoắn nhỏ xác định, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22hi%E1%BB%87u%20%E1%BB%A9ng%20giao%20thoa%22%7D}} mạng tinh thể tạo ra một siêu mạng Moiré chu kỳ dài. Trong cấu trúc này, điện tích electron và lỗ trống bị tách biệt về mặt không gian ở hai lớp khác nhau, tạo thành các exciton liên lớp (interlayer excitons) có thời gian sống kéo dài gấp hàng ngàn lần so với exciton nội lớp thông thường. Tiềm năng thế chu kỳ Moiré này bẫy các exciton vào một mạng lưới trật tự lượng tử nhân tạo, mở đường cho việc nghiên cứu các pha ngưng tụ Bose-Einstein và các trạng thái tương quan lượng tử phức tạp ở nhiệt độ cao.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch3>Khai thác bậc tự do thung lũng (Valleytronics)\u003C\u002Fh3>\n\u003Cp>Cấu trúc vùng năng lượng của các đơn lớp TMDC sở hữu hai thung lũng năng lượng thoái hóa nhưng không tương đương (K và K') tại các góc của vùng Brillouin. Nhờ sự phá vỡ tính đối xứng đảo không gian kết hợp với tương tác spin - quỹ đạo mạnh, exciton trong các thung lũng này tuân theo quy tắc chọn lọc quang học phân cực tròn: ánh sáng phân cực tròn phải kích thích chọn lọc exciton ở thung lũng K, trong khi ánh sáng phân cực tròn trái kích thích thung lũng K'. Bậc tự do thung lũng này có thể đóng vai trò như một bit thông tin lượng tử ổn định, cho phép {{topic|%7B%22topic%22%3A%22x%E1%BB%AD%20l%C3%BD%20d%E1%BB%AF%20li%E1%BB%87u%22%7D}} với tốc độ siêu cao và tiêu thụ điện năng cực thấp.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch3>Triển vọng phát triển nguồn phát photon đơn lẻ và laser exciton\u003C\u002Fh3>\n\u003Cp>Nhờ năng lượng liên kết exciton đạt tới hàng trăm meV (vượt xa mức kích thích nhiệt 26 meV ở nhiệt độ phòng), các exciton hai chiều hoàn toàn bền vững trong {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%C4%91i%E1%BB%81u%20ki%E1%BB%87n%20m%C3%B4i%20tr%C6%B0%E1%BB%9Dng%22%7D}} bình thường. Điều này tạo điều kiện thuận lợi để chế tạo các đi-ốt phát quang (LED) đơn lớp siêu mỏng dẻo, các nguồn phát photon đơn lẻ tích hợp trên chip quang lượng tử và các thiết bị laser exciton ngưỡng thấp phục vụ cho truyền thông quang học thế hệ tiếp theo.\u003C\u002Fp>","Two-dimensional exciton (2D exciton)",[19,20],"2D exciton","hạt kích chuẩn hai chiều","Exciton hai chiều là trạng thái kích thích chuẩn hạt liên kết Coulomb giữa một electron và một lỗ trống quang sinh chuyển động trong các cấu trúc vật liệu bán dẫn hai chiều siêu mỏng.","NATURAL_SCIENCES",[24,31,38],{"citationText":25,"title":26,"authors":27,"source":28,"year":29,"doi":30,"url":10},"Khurgin et al. (2015). Two-dimensional exciton–polariton—light guiding by transition metal dichalcogenide monolayers. Optica. doi:10.1364\u002Foptica.2.000740","Two-dimensional exciton–polariton—light guiding by transition metal dichalcogenide monolayers","Khurgin","Optica",2015,"10.1364\u002Foptica.2.000740",{"citationText":32,"title":33,"authors":34,"source":35,"year":36,"doi":37,"url":10},"Mueller et al. (2018). Exciton physics and device application of two-dimensional transition metal dichalcogenide semiconductors. npj 2D Materials and Applications. doi:10.1038\u002Fs41699-018-0074-2","Exciton physics and device application of two-dimensional transition metal dichalcogenide semiconductors","Mueller, Malic","npj 2D Materials and Applications",2018,"10.1038\u002Fs41699-018-0074-2",{"citationText":39,"title":40,"authors":41,"source":42,"year":43,"doi":44,"url":10},"Richter et al. (2024). Theory of interlayer exciton dynamics in two-dimensional transition metal dichalcogenide heterolayers under the influence of strain reconstruction and disorder. Physical Review B. doi:10.1103\u002Fphysrevb.109.125308","Theory of interlayer exciton dynamics in two-dimensional transition metal dichalcogenide heterolayers under the influence of strain reconstruction and disorder","Richter","Physical Review B",2024,"10.1103\u002Fphysrevb.109.125308",[46,49,52],{"question":47,"answer":48},"Vì sao năng lượng liên kết exciton trong bán dẫn 2D (như MoS2, WSe2) lại cao vượt trội so với bán dẫn khối 3D?","Năng lượng liên kết exciton 2D đạt tới hàng trăm meV (cao gấp hàng chục lần so với bán dẫn khối) do sự kết hợp của hiệu ứng giam giữ lượng tử không gian và hiệu ứng giảm chắn điện môi (dielectric screening) khi các đường sức điện trường vươn ra ngoài môi trường xung quanh.",{"question":50,"answer":51},"Mô hình thế tương tác Keldysh mô tả lực tương tác Coulomb trong lớp đơn 2D như thế nào?","Thế Keldysh hiệu chỉnh tương tác Coulomb chuẩn ở khoảng cách nhỏ thông qua các hàm Struve và Bessel, phản ánh tính chất phân cực điện môi phi địa phương của lớp vật liệu đơn nguyên tử có độ dày hữu hạn.",{"question":53,"answer":54},"Hiện tượng tách spin-quỹ đạo ở các thung lũng K và K' tạo nên tính chất quang học đặc biệt nào của exciton 2D?","Sự phá vỡ tính đối xứng đảo không gian kết hợp hiệu ứng spin-quỹ đạo mạnh tạo nên sự khóa spin-thung lũng (spin-valley locking), cho phép điều khiển và phân biệt các trạng thái exciton bằng ánh sáng phân cực tròn trái hoặc phải.",{"id":56,"researcherId":10,"name":57,"imageUrl":58},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",[60,61,62,63,64,65,66,67,68,69],"năng lượng liên kết","hằng số điện môi","khả năng tương tác","hiệu suất phát quang","chuyển giao năng lượng","thông tin lượng tử","chuyển đổi năng lượng","hiệu ứng giao thoa","xử lý dữ liệu","điều kiện môi trường",10,true,"PUBLISHED","2023-09-08T02:05:58.117+00:00","2026-09-13T19:08:36.273+00:00","2026-09-13T19:08:35.944+00:00",293,[78,81,84,92,95,98,101,104,107,110],{"id":79,"title":80,"term":79,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"nguyên tử hydro","Nguyên tử hydro là gì? Các công bố khoa học về Nguyên tử hydro",{"id":82,"title":83,"term":82,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"arima","Arima là gì? Các công bố khoa học về Arima",{"id":85,"title":86,"term":85,"englishTitle":85,"definition":87,"discipline":22,"disciplineCode":88,"disciplineLabel":89,"disciplineColor":90,"disciplineIcon":91},"proton","Proton là gì? Cấu trúc và ứng dụng của Proton","Proton là một hạt hạ nguyên tử bền vững thuộc nhóm baryon cấu tạo từ hai quark lên và một quark xuống, mang điện tích nguyên tố dương và có khối lượng nghỉ xấp xỉ 1.6726 x 10^-27 kg nằm trong hạt nhân nguyên tử.","natural-sciences","Khoa học tự nhiên","#0E9F9C","atom",{"id":93,"title":94,"term":93,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"chuột cống trắng","Chuột cống trắng là gì? Các công bố khoa học về Chuột cống trắng",{"id":96,"title":97,"term":96,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"chỉ thị phân tử","Chỉ thị phân tử là gì? Các nghiên cứu khoa học về Chỉ thị phân tử",{"id":99,"title":100,"term":99,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"thu thập thông tin","Thu thập thông tin là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":102,"title":103,"term":102,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"peptidoglycan","Peptidoglycan là gì? Các bài nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":105,"title":106,"term":105,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"phương pháp luận","Phương pháp luận là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan",{"id":108,"title":109,"term":108,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"độc tính cấp","Độc tính cấp là gì? Các nghiên cứu khoa học về Độc tính cấp",{"id":111,"title":112,"term":111,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"năng lực nghiên cứu khoa học","Năng lực nghiên cứu khoa học là gì? Các bài báo phân tích"]