[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_eprom{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_eprom":36},{"code":4,"data":5,"meta":18},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":34,"vietnamLatest":35},[],[8,22],{"publicationId":9,"title":10,"originalTitle":11,"authorNames":12,"authorCount":15,"journalName":16,"vietnamJournal":17,"publishDate":18,"publishYear":18,"totalCitation":18,"url":19,"doi":20,"summary":21},"88e07902-da5e-4258-85f5-648b7a2f3963","Một mảng bộ nhớ mới dựa trên ô nhớ EPROM polysilicon đơn dạng hình khuyên để sử dụng trong công nghệ CMOS tiêu chuẩn","A novel memory array based on an annular single-poly EPROM cell for use in standard CMOS technology",[13,14],"C. Dray","P. Gendrier",2,"Proceedings of the 2002 IEEE International Workshop on Memory Technology, Design and Testing (MTDT2002)",false,null,"https:\u002F\u002Fieeexplore.ieee.org\u002Fabstract\u002Fdocument\u002F1029775\u002F","10.1109\u002FMTDT.2002.1029775","\u003Cp>Nghiên cứu kỹ thuật vi điện tử đề xuất kiến trúc mảng bộ nhớ mới tích hợp trên công nghệ CMOS tiêu chuẩn dựa trên cấu trúc tế bào \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">eprom\u003C\u002Fb> dạng hình khuyên (\u003Ci>annular\u003C\u002Fi>). Cấu hình ô nhớ cổng trôi đơn polysilicon giúp tối ưu hóa hiệu quả bơm điện tích qua kênh dẫn, giảm thiểu diện tích đóng gói vi mạch mà không yêu cầu thêm các bước mặt nạ quang khắc phụ trợ phức tạp.\u003C\u002Fp>",{"publicationId":23,"title":24,"originalTitle":25,"authorNames":26,"authorCount":30,"journalName":16,"vietnamJournal":17,"publishDate":18,"publishYear":18,"totalCitation":18,"url":31,"doi":32,"summary":33},"89151de4-6274-4e87-9208-b7d8e39b8968","Một phương pháp thiết kế tự động cho ô nhớ EEPROM (ADE)","An automated design methodology for EEPROM cell (ADE)",[27,28,29],"J.M. Portal","L. Forli","H. Aziza",4,"https:\u002F\u002Fieeexplore.ieee.org\u002Fabstract\u002Fdocument\u002F1029774\u002F","10.1109\u002FMTDT.2002.1029774","\u003Cp>Công trình thiết kế mạch tích hợp giới thiệu phương pháp luận thiết kế tự động hóa (ADE) dành cho các ô nhớ bán dẫn không bay hơi dòng \u003Cb class=\"publication-topic-keywords\">eprom\u003C\u002Fb> và EEPROM. Hệ thống phần mềm tự động tối ưu kích thước bóng bán dẫn cổng trôi dựa trên các tiêu chí (\u003Ci>criteria\u003C\u002Fi>) về điện áp ghi xóa và độ tin cậy lưu trữ dữ liệu dài hạn trong điều kiện vận hành công nghiệp khắc nghiệt.\u003C\u002Fp>",[],[],{"code":4,"data":37,"meta":18},{"id":38,"title":39,"description":40,"content":41,"term":38,"englishTitle":42,"synonyms":43,"definition":46,"discipline":47,"references":48,"faqs":67,"createUser":77,"publishUser":18,"keywords":81,"keywordCount":92,"enrichTopicLink":93,"status":94,"createTime":95,"updateTime":96,"publishTime":18,"linkEnrichedTime":97,"publicationScanTime":98,"contentErrorMessage":18,"viewCount":99,"relateTopics":100},"eprom","Eprom là gì? Các công bố khoa học về Eprom","EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) là bộ nhớ không biến đổi có thể lập trình và xóa bằng tia cực tím. Phát triển vào thập niên 1970 bởi Intel, nó đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu bền vững và tái lập trình. Cấu trúc EPROM gồm các transistor MOSFET với các tấm floating gate. Ưu điểm của EPROM là khả năng tái lập trình và lưu trữ dữ liệu an toàn ngay cả khi mất điện, nhưng việc xóa dữ liệu tốn thời gian và yêu cầu cẩn thận trong sử dụng. EPROM dùng trong thiết bị vi điều khiển và công nghiệp.","\u003Ch2>Giới thiệu về EPROM\u003C\u002Fh2>\u003Cp>EPROM, viết tắt của \u003Cem>Erasable Programmable Read-Only Memory\u003C\u002Fem>, là một loại bộ nhớ không biến đổi được sử dụng trong các thiết bị điện tử. Điểm đặc biệt của EPROM là nó có thể được lập trình và xóa sáng bằng cách sử dụng tia cực tím, cho phép tái sử dụng nhiều lần mà không làm mất dữ liệu khi mất nguồn điện.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Lịch sử phát triển\u003C\u002Fh2>\u003Cp>EPROM được phát triển lần đầu tiên vào thập niên 1970 bởi công ty Intel. Vào thời điểm đó, nhu cầu về một loại bộ nhớ có khả năng {{topic|%7B%22topic%22%3A%22l%C6%B0u%20tr%E1%BB%AF%20d%E1%BB%AF%20li%E1%BB%87u%22%7D}} bền vững và có thể tái lập trình đã thúc đẩy sự ra đời của EPROM, mở ra một kỷ nguyên mới cho các thiết bị lưu trữ dữ liệu.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Cấu trúc và hoạt động\u003C\u002Fh2>\u003Cp>Bên trong EPROM, mỗi bit của dữ liệu được lưu trữ trong một {{topic|%7B%22topic%22%3A%22transistor%22%7D}} MOSFET có khả năng bị lập trình. Các tấm cửa \u003Cem>floating gate\u003C\u002Fem> được xếp chồng lên nhau, và bằng cách kích hoạt các điện thế khác nhau, có thể ghi và xóa dữ liệu. Để xóa dữ liệu, EPROM cần được tiếp xúc với ánh sáng {{topic|%7B%22topic%22%3A%22tia%20c%E1%BB%B1c%20t%C3%ADm%22%7D}} trong khoảng 15 đến 20 phút.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Ưu điểm và nhược điểm\u003C\u002Fh2>\u003Cp>\u003Cstrong>Ưu điểm:\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Fp>\u003Cul>    \u003Cli>Có khả năng tái lập trình và xóa dữ liệu, giúp giảm thiểu lãng phí và tiết kiệm chi phí trong việc sản xuất và phát triển các ứng dụng điện tử.\u003C\u002Fli>    \u003Cli>Dữ liệu được lưu trữ an toàn ngay cả khi không có điện nguồn, giúp {{topic|%7B%22topic%22%3A%22b%E1%BA%A3o%20v%E1%BB%87%20d%E1%BB%AF%20li%E1%BB%87u%22%7D}} quan trọng khỏi mất mát.\u003C\u002Fli>\u003C\u002Ful>\u003Cp>\u003Cstrong>Nhược điểm:\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Fp>\u003Cul>    \u003Cli>Quá trình xóa dữ liệu bằng tia cực tím mất thời gian và đòi hỏi phải tháo thiết bị ra khỏi hệ thống để thực hiện.\u003C\u002Fli>    \u003Cli>Xi măng cửa kính bảo vệ rất dễ vỡ, yêu cầu người sử dụng phải cực kỳ cẩn thận trong quá trình vận chuyển và sử dụng.\u003C\u002Fli>\u003C\u002Ful>\u003Ch2>Ứng dụng của EPROM\u003C\u002Fh2>\u003Cp>EPROM được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực cần đến bộ nhớ không biến đổi nhưng có thể tái lập trình, như trong các thiết bị {{topic|%7B%22topic%22%3A%22vi%20%C4%91i%E1%BB%81u%20khi%E1%BB%83n%22%7D}}, lưu trữ firmware của máy tính, các thiết bị viễn thông và nhiều {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%E1%BB%A9ng%20d%E1%BB%A5ng%20c%C3%B4ng%20nghi%E1%BB%87p%22%7D}} khác. Khả năng lưu trữ dữ liệu đáng tin cậy và khả năng tái sử dụng đã làm cho EPROM trở thành lựa chọn lý tưởng trong nhiều ứng dụng điện tử.\u003C\u002Fp>\u003Ch2>Kết luận\u003C\u002Fh2>\u003Cp>EPROM đã và đang chứng tỏ vai trò quan trọng trong sự phát triển của công nghệ lưu trữ dữ liệu. Với khả năng tái lập trình, bền vững và tiết kiệm chi phí, EPROM đã trở thành một phần không thể thiếu trong các hệ thống điện tử hiện đại.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nguyên lý cấu tạo và Cơ chế Lưu trữ Cổng Nổi (Floating Gate)\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Bộ nhớ EPROM do Dov Frohman-Bentchkowsky phát minh tại Intel vào năm 1971. Cấu trúc cơ bản của một ô nhớ EPROM là một transistor trường MOSFET biến đổi có hai cổng xếp chồng lên nhau:\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n\u003Cli>\u003Cstrong>Cổng điều khiển (Control Gate):\u003C\u002Fstrong> Nối với đường dây chọn hàng (wordline) của ma trận bộ nhớ.\u003C\u002Fli>\n\u003Cli>\u003Cstrong>Cổng nổi (Floating Gate):\u003C\u002Fstrong> Một lớp polysilicon dẫn điện được cách ly hoàn toàn bởi các lớp oxit {{topic|%7B%22topic%22%3A%22silic%22%7D}} \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">\text{SiO}_2\u003C\u002Fscript> chất lượng cao, hoạt động như một bẫy tích điện tiềm năng.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Khi các {{topic|%7B%22topic%22%3A%22electron%22%7D}} được tích lũy trên cổng nổi, {{topic|%7B%22topic%22%3A%22%C4%91i%E1%BB%87n%20%C3%A1p%22%7D}} ngưỡng kích hoạt của transistor \u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">V_{th}\u003C\u002Fscript> tăng lên từ mức logic 1 (trạng thái chưa ghi, transistor dẫn điện) sang mức logic 0 (trạng thái đã ghi, transistor bị khóa ở điện áp đọc chuẩn 5V).\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>So sánh Đặc tính Kỹ thuật giữa ROM, EPROM, EEPROM và Flash\u003C\u002Fh2>\n\u003Ctable>\n\u003Cthead>\n\u003Ctr>\n\u003Cth>Loại bộ nhớ\u003C\u002Fth>\n\u003Cth>Phương thức ghi dữ liệu\u003C\u002Fth>\n\u003Cth>Phương thức xóa dữ liệu\u003C\u002Fth>\n\u003Cth>Tính linh hoạt\u003C\u002Fth>\n\u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Fthead>\n\u003Ctbody>\n\u003Ctr>\n\u003Ctd>\u003Cstrong>Mask ROM\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Lập trình cứng từ nhà sản xuất\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Không thể xóa\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Cố định vĩnh viễn\u003C\u002Ftd>\n\u003C\u002Ftr>\n\u003Ctr>\n\u003Ctd>\u003Cstrong>PROM\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Thổi đứt cầu chì bằng {{topic|%7B%22topic%22%3A%22d%C3%B2ng%20%C4%91i%E1%BB%87n%22%7D}} cao\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Không thể xóa (ghi một lần)\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Lập trình một lần (OTP)\u003C\u002Ftd>\n\u003C\u002Ftr>\n\u003Ctr>\n\u003Ctd>\u003Cstrong>EPROM\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Phun điện tử nóng (HCI)\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Chiếu tia cực tím (UV) 253,7 nm\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Xóa toàn bộ khối bằng nguồn ngoài\u003C\u002Ftd>\n\u003C\u002Ftr>\n\u003Ctr>\n\u003Ctd>\u003Cstrong>EEPROM\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Hiệu ứng đường hầm Fowler-Nordheim\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Xóa bằng điện tích theo từng byte\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Linh hoạt trong mạch điện tử\u003C\u002Ftd>\n\u003C\u002Ftr>\n\u003Ctr>\n\u003Ctd>\u003Cstrong>Flash Memory\u003C\u002Fstrong>\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Đường hầm điện tử \u002F Phun điện tử\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Xóa bằng điện tích theo khối (Block)\u003C\u002Ftd>\n\u003Ctd>Tốc độ cao, mật độ lưu trữ cực lớn\u003C\u002Ftd>\n\u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\n\u003C\u002Ftable>\n","Erasable Programmable Read-Only Memory",[44,45],"bộ nhớ EPROM","bộ nhớ ROM xóa được bằng tia UV","EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) là loại bộ nhớ bán dẫn chỉ đọc không bay hơi có khả năng tái lập trình, lưu trữ dữ liệu bằng cấu trúc cổng nổi (floating gate MOS) và xóa toàn bộ dữ liệu bằng cách chiếu tia cực tím (UV) qua cửa sổ thạch anh trong suốt.","ENGINEERING_TECHNOLOGY",[49,55,61],{"citationText":50,"title":51,"authors":52,"source":18,"year":53,"doi":54,"url":18},"Abulaiha (2021). Programming of Floating-Gate Transistors for Nonvolatile Analog Memory Array. .","Programming of Floating-Gate Transistors for Nonvolatile Analog Memory Array","Abulaiha",2021,"10.33915\u002Fetd.7823",{"citationText":56,"title":57,"authors":58,"source":18,"year":59,"doi":60,"url":18},"Frohman-Bentchkowsky (1991). MEMORY BEHAVIOR IN A FLOATING-GATE AVALANCHE-INJECTION MOS (FAMOS) STRUCTURE. Semiconductor Devices: Pioneering Papers.","MEMORY BEHAVIOR IN A FLOATING-GATE AVALANCHE-INJECTION MOS (FAMOS) STRUCTURE","Frohman-Bentchkowsky",1991,"10.1142\u002F9789814503464_0083",{"citationText":62,"title":63,"authors":64,"source":18,"year":65,"doi":66,"url":18},"Tempel (2003). Floating gate type nonvolatile memory reliability issues. Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials.","Floating gate type nonvolatile memory reliability issues","Tempel",2003,"10.7567\u002Fssdm.2003.b-3-1",[68,71,74],{"question":69,"answer":70},"Cơ chế vật lý nào giúp nạp electron vào cổng nổi trong quá trình ghi dữ liệu vào EPROM?","EPROM sử dụng cơ chế phun điện tử nóng (Hot Carrier Injection - HCI), trong đó điện áp lập trình cao (thường từ 12V đến 25V) tạo điện trường mạnh làm các electron tăng tốc vượt qua rào thế oxit silicon để đọng lại tại cổng nổi.",{"question":72,"answer":73},"Tại sao EPROM phải dùng tia cực tím (UV) để xóa dữ liệu mà không xóa được bằng điện?","Lớp oxit cách điện xung quanh cổng nổi có độ bền điện môi cao và không có cực điều khiển xóa điện riêng; photon tia cực tím năng lượng cao cung cấp năng lượng kích thích các electron bị bẫy thoát ra ngoài qua quá trình quang phát xạ.",{"question":75,"answer":76},"Sự phát triển từ EPROM sang EEPROM và bộ nhớ Flash mang lại ưu điểm gì?","EEPROM và Flash memory sử dụng hiệu ứng đường hầm Fowler-Nordheim cho phép xóa dữ liệu trực tiếp bằng tín hiệu điện trên từng byte hoặc từng khối mà không cần tháo chip khỏi mạch và không cần cửa sổ thạch anh.",{"id":78,"researcherId":18,"name":79,"imageUrl":80},1,"Nguyễn Ngọc Sơn","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLGfGsF1nYQqYK5BasTLhNu1dBrBXg2fcEgBNPXJ0p2gqLQnO7i=s96-c",[82,83,84,85,86,87,88,89,90,91],"lưu trữ dữ liệu","transistor","tia cực tím","bảo vệ dữ liệu","vi điều khiển","ứng dụng công nghiệp","silic","electron","điện áp","dòng điện",10,true,"PUBLISHED","2024-12-01T11:57:09.424+00:00","2026-09-05T01:41:47.470+00:00","2026-08-28T12:05:22.994+00:00","2026-09-05T01:41:47.468+00:00",422,[101,104,107,110,113,116,119,122,125,128],{"id":102,"title":103,"term":102,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"tán xạ","Tán xạ là gì? Các nghiên cứu khoa học về Tán xạ",{"id":105,"title":106,"term":105,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"plasma","Plasma là gì? Các công bố khoa học về Plasma",{"id":108,"title":109,"term":108,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"nguyên tử hydro","Nguyên tử hydro là gì? Các công bố khoa học về Nguyên tử hydro",{"id":111,"title":112,"term":111,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"dòng điện xoáy","Dòng điện xoáy là gì? Các công bố khoa học về Dòng điện xoáy",{"id":114,"title":115,"term":114,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"bộ điều khiển pi","Bộ điều khiển Pi là gì? Các nghiên cứu về Bộ điều khiển Pi",{"id":117,"title":118,"term":117,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"phương trình schrödinger","Phương trình schrödinger là gì? Các công bố khoa học về schrödinger",{"id":120,"title":121,"term":120,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"ligand","Ligand là gì? Các nghiên cứu khoa học về Ligand",{"id":123,"title":124,"term":123,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"alcalase","Alcalase là gì? Các công bố khoa học về Alcalase",{"id":126,"title":127,"term":126,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"phương trình chuyển động","Phương trình chuyển động là gì? Các bài nghiên cứu khoa học",{"id":129,"title":130,"term":129,"englishTitle":18,"definition":18,"discipline":18,"disciplineCode":18,"disciplineLabel":18,"disciplineColor":18,"disciplineIcon":18},"hydrogen","Hydrogen là gì? Các công bố khoa học về Hydrogen"]