[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"_public_topic_publications_%C3%B4xy%20h%C3%B3a%20nhi%E1%BB%87t{\"limit\":5}":3,"_public_topic_byId_ôxy hóa nhiệt":11},{"code":4,"data":5,"meta":10},"SUCCESS",{"latest":6,"mostCited":7,"vietnamFeatured":8,"vietnamLatest":9},[],[],[],[],null,{"code":4,"data":12,"meta":10},{"id":13,"title":14,"description":15,"content":16,"term":17,"englishTitle":18,"synonyms":19,"definition":24,"discipline":25,"references":26,"faqs":47,"createUser":57,"publishUser":61,"keywords":65,"keywordCount":76,"enrichTopicLink":77,"status":78,"createTime":79,"updateTime":80,"publishTime":81,"linkEnrichedTime":82,"publicationScanTime":10,"contentErrorMessage":10,"viewCount":83,"relateTopics":84},"ôxy hóa nhiệt","Ôxy hóa nhiệt là gì? Mô hình Deal-Grove trong vi điện tử","Tìm hiểu Ôxy hóa nhiệt (thermal oxidation): định nghĩa khoa học chuẩn mực, cơ chế vận hành, các thông số thực nghiệm và ứng dụng chuyên sâu.","\u003Cp>\u003Cstrong>Ôxy hóa nhiệt\u003C\u002Fstrong> (\u003Cem>thermal oxidation\u003C\u002Fem>) là quá trình xử lý nhiệt độ cao trong môi trường chất oxy hóa để nuôi cấy một lớp màng oxit mỏng, đồng nhất và cách điện trên bề mặt vật liệu, đặc biệt là tạo màng silic dioxit (SiO2) trên tấm bán dẫn silic trong công nghệ vi điện tử.\u003C\u002Fp>\n\u003Ch2>Giới thiệu về ôxy hóa nhiệt\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Ôxy hóa nhiệt (thermal oxidation) là quá trình hóa học trong đó {{topic|%7B%22topic%22%3A%22oxy%20ph%E1%BA%A3n%20%E1%BB%A9ng%22%7D}} với bề mặt kim loại hoặc bán dẫn dưới tác động của nhiệt độ cao, tạo thành một lớp oxit mỏng bảo vệ hoặc cải thiện {{topic|%7B%22topic%22%3A%22t%C3%ADnh%20ch%E1%BA%A5t%20b%E1%BB%81%20m%E1%BA%B7t%22%7D}}. Ở nhiệt độ từ 400 °C đến 1.200 °C, vận tốc phản ứng tăng mạnh nhờ {{topic|%7B%22topic%22%3A%22qu%C3%A1%20tr%C3%ACnh%20khu%E1%BA%BFch%20t%C3%A1n%22%7D}} ion qua lớp oxit hình thành, giúp lớp oxit phát triển đồng đều và bền vững.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Trong công nghiệp luyện kim, ôxy hóa nhiệt thường được sử dụng để tạo lớp oxit bảo vệ trên thép và hợp kim nhằm chống ăn mòn, mài mòn cơ học và cải thiện độ bám dính của sơn hoặc lớp phủ khác. Trên {{topic|%7B%22topic%22%3A%22ch%E1%BA%A5t%20b%C3%A1n%20d%E1%BA%ABn%22%7D}}, quá trình này dùng để tạo {{topic|%7B%22topic%22%3A%22l%E1%BB%9Bp%20c%C3%A1ch%20%C4%91i%E1%BB%87n%22%7D}} tinh khiết SiO₂ trên bề mặt silicon, nền tảng cho công nghệ chế tạo vi mạch CMOS (Britannica – Oxidation).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Giá trị thực tiễn của ôxy hóa nhiệt nằm ở khả năng kiểm soát chính xác độ dày và {{topic|%7B%22topic%22%3A%22c%E1%BA%A5u%20tr%C3%BAc%20tinh%20th%E1%BB%83%22%7D}} của lớp oxit, từ vài nanômét đến vài micrômét, đáp ứng yêu cầu chống ăn mòn, cách điện hoặc tăng độ cứng bề mặt. Các tham số quy trình bao gồm nhiệt độ, thời gian xử lý và thành phần khí quyển, cho phép tối ưu hóa tính chất cơ–hóa theo từng ứng dụng.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Nguyên lý nhiệt động học\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Phản ứng ôxy hóa nhiệt tuân theo điều kiện tự phát ΔG < 0 theo phương trình Gibbs–Helmholtz, trong đó ΔG phụ thuộc vào nhiệt độ T và áp suất hoạt độ oxy aO₂. Sơ đồ Ellingham cung cấp đồ thị ΔG của các phản ứng {{topic|%7B%22topic%22%3A%22oxi%20h%C3%B3a%22%7D}} khác nhau theo T, cho phép lựa chọn nhiệt độ và khí quyển phù hợp để tạo lớp oxit mong muốn (ASM International).\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Cân bằng phản ứng điển hình cho ôxy hóa kim loại M:  \n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">2M + O_2 \\rightleftharpoons 2M O\u003C\u002Fscript>  \nPhản ứng sẽ chuyển dịch theo nguyên lý Le Chatelier khi tăng nhiệt độ hoặc thay đổi áp suất O₂. Ở nhiệt độ cao, ΔG có thể trở nên dương với một số oxit, khiến lớp oxit không ổn định và dễ bị phân hủy.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hoạt độ oxy aO₂ trong buồng sản xuất thường được điều khiển bằng khí trơ (N₂, Ar) hoặc hơi nước (H₂O) để giới hạn tốc độ ôxy hóa. Áp suất O₂ càng cao thì lớp oxit phát triển nhanh nhưng dễ nứt và kém bền cơ học; ngược lại, áp suất thấp dẫn đến lớp oxit mỏng, đồng nhất và ít ứng suất nội.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Động học phát triển lớp oxit\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Quá trình tăng trưởng lớp oxit thường tuân theo luật parabol:  \n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">x^2 = k_p \\, t\u003C\u002Fscript>  \nvới x là độ dày lớp oxit (m), t là thời gian (s) và kₚ là hệ số động học phụ thuộc vào nhiệt độ qua phương trình Arrhenius:  \n\u003Cscript type=\"math\u002Ftex\">k_p = k_0 \\exp\\left(-\\dfrac{E_a}{R T}\\right)\u003C\u002Fscript>\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Giai đoạn đầu diễn ra nhanh khi bề mặt kim loại mới phản ứng trực tiếp với O₂, hình thành hạt nhân oxit. Khi lớp oxit đạt độ dày nhất định, quá trình khuếch tán ion kim loại M²⁺ hoặc O²⁻ qua lớp oxit chiếm ưu thế, làm tốc độ tăng trưởng giảm dần và tuân theo luật parabol.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Ở giai đoạn bão hòa, lớp oxit dày vượt quá một giá trị giới hạn, áp suất nội và ứng suất do chênh lệch nhiệt độ gây nứt hoặc bong tróc. Hiểu rõ động học này giúp tối ưu nhiệt độ và thời gian để tạo lớp oxit có độ dày và cấu trúc tinh thể phù hợp.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Yếu tố ảnh hưởng đến quá trình\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Nhiệt độ là yếu tố quyết định tốc độ khuếch tán và năng lượng phản ứng. Thông thường, khi tăng nhiệt độ 100 °C, hệ số động học kₚ tăng gấp 2–3 lần, dẫn đến lớp oxit dày hơn trong cùng thời gian xử lý.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Áp suất và thành phần khí quyển ảnh hưởng lên hoạt độ O₂ và cơ chế hình thành oxit. Khí quyển gồm O₂ tinh khiết, O₂ pha trộn N₂ hoặc H₂O cho phép điều chỉnh tốc độ oxi hóa và giảm ứng suất nội trong lớp oxit.\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\u003Cth>Yếu tố\u003C\u002Fth>\u003Cth>Ảnh hưởng chính\u003C\u002Fth>\u003Cth>Kết quả\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Nhiệt độ (T)\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Khuếch tán ion\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Oxid nhanh, dễ nứt\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Áp suất O₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Hoạt độ oxy\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Độ đồng nhất lớp oxit\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Thời gian (t)\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Độ dày x\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Kiểm soát từ nm đến μm\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Thành phần khí\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Tạp chất, hơi nước\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Thay đổi cấu trúc oxit\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Độ tinh khiết kim loại nền, độ nhám bề mặt ban đầu và cấu trúc hạt cũng ảnh hưởng đến khả năng tạo hạt nhân oxit, phân bố ứng suất và độ bám dính của lớp oxit với nền kim loại.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Độ tinh khiết ≥ 99,9% giảm tạp chất gây phát triển không đều.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Độ nhám Ra ≤ 0,8 μm cho lớp oxit mịn, đồng nhất.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Hợp kim đa thành phần có thể khuyếch tán thêm các nguyên tố vi lượng cải thiện tính ổn định oxit.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Ch2>Vật liệu và tính chất lớp oxit\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Các lớp oxit hình thành qua ôxy hóa nhiệt có tính chất cơ–hóa và vật lý phụ thuộc vào thành phần kim loại nền và điều kiện xử lý. Với thép cacbon, Fe₂O₃ và Fe₃O₄ thường xuất hiện, có độ cứng 600–1.000 HV và khả năng chống mài mòn cao nhưng dễ nứt ở lớp dày. Trên hợp kim nhôm, Al₂O₃ tạo lớp mỏng (<5 μm) rất bền cơ học, chống ăn mòn tuyệt hảo.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Vật liệu bán dẫn silicon hình thành SiO₂ tinh khiết cho độ cách điện ≥10⁹ Ω·cm, độ bền điện môi >10 MV\u002Fcm. Trên superalloy như Inconel 718, lớp oxit NiO–Cr₂O₃ dày 1–3 μm chịu được 950 °C trong môi trường O₂\u002FCO₂ mà không phân hủy (NIST).\u003C\u002Fp>\n\u003Ctable>\n  \u003Ctbody>\u003Ctr>\u003Cth>Kim loại nền\u003C\u002Fth>\u003Cth>Oxid chính\u003C\u002Fth>\u003Cth>Độ dày điển hình\u003C\u002Fth>\u003Cth>Tính chất nổi bật\u003C\u002Fth>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Fe\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Fe₂O₃\u002FFe₃O₄\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1–10 μm\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Chống mài mòn, dễ nứt\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Al\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Al₂O₃\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>0.1–5 μm\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Cách điện, chống ăn mòn\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Si\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>SiO₂\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>10–100 nm\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Cách điện, ổn định điện môi\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n  \u003Ctr>\u003Ctd>Ni-based\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>NiO–Cr₂O₃\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>1–3 μm\u003C\u002Ftd>\u003Ctd>Chịu nhiệt cao, bền cơ học\u003C\u002Ftd>\u003C\u002Ftr>\n\u003C\u002Ftbody>\u003C\u002Ftable>\n\u003Cp>Cấu trúc tinh thể lớp oxit (đơn tinh\u002Fđa tinh) ảnh hưởng đến độ bám dính và cơ tính. Thêm nguyên tố hợp kim (Cr, Ti) hoặc phủ ceramic bằng PVD\u002FCVD có thể cải thiện tính ổn định và giảm ứng suất nội.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Thiết bị và điều kiện quy trình\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Lò ống (tube furnace) là thiết bị phổ biến cho ôxy hóa nhiệt trong khí quyển kiểm soát, vận hành ở 200–1.200 °C. Lò quay (rotary kiln) phục vụ vật liệu dạng hạt, đảm bảo đồng nhất nhiệt độ và khí quyển quanh hạt oxid.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Hệ thống điều khiển lưu lượng khối (mass flow controller) cho phép pha trộn O₂ và khí trơ (N₂, Ar) với độ chính xác ±1 % để duy trì hoạt độ oxy mong muốn. Bộ đo nhiệt độ (thermocouple loại K\u002FS) và điều khiển PID giữ nhiệt độ ổn định ±2 °C.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Buồng plasma (plasma oxidation): tăng tốc độ {{topic|%7B%22topic%22%3A%22oxy%20h%C3%B3a%22%7D}} bằng các ion O* năng lượng cao.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Lò CVD (Chemical Vapor Deposition): kết hợp ôxy hóa và lắng đọng oxit dạng pyrolytic.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Smart furnace: tích hợp cảm biến IoT giám sát nhiệt độ, áp suất và thành phần khí theo thời gian thực.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Thiết lập quy trình bao gồm bước tiền xử lý (phay, mài, tẩy dầu), oxy hóa chính với chu trình tăng nhiệt, giữ nhiệt và làm nguội, cuối cùng kiểm tra sơ bộ độ dày và hình thái lớp oxit.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Ứng dụng công nghiệp\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Trong công nghiệp ô tô, ôxy hóa nhiệt tạo lớp oxit trên chi tiết phanh đĩa, trục truyền động và pít-tông để nâng cao độ bền mỏi và chống ăn mòn. Các bộ phận này vận hành trong môi trường nhiệt độ 200–400 °C.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Đối với điện tử, ôxy hóa silicon (thermal oxidation) là bước cơ bản trong sản xuất vi mạch CMOS, tạo lớp gate oxide SiO₂ độ dày 5–20 nm, cung cấp độ cách điện và kiểm soát điện tích trong transistor (IUPAC).\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Tuabin khí công nghiệp: lớp oxit Ni–Cr bảo vệ buồng đốt và cánh tuabin ở 800–1.000 °C.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Chế tạo composite: ôxy hóa bề mặt sợi carbon để tăng kết dính nhựa polyme.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Catalyst support: tạo lớp oxit trên nền Al₂O₃\u002FSiO₂ cho xúc tác hydrocracking trong lọc dầu.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Trong năng lượng tái tạo, ôxy hóa nhiệt dùng để {{topic|%7B%22topic%22%3A%22x%E1%BB%AD%20l%C3%BD%20b%E1%BB%81%20m%E1%BA%B7t%22%7D}} tấm pin năng lượng mặt trời (silicon wafers) và lớp phủ ceramic chịu nhiệt cho lớp bảo vệ ống thu nhiệt (solar thermal collectors).\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>Phương pháp phân tích và đánh giá\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Ellipsometry quang học đo độ dày và chiết suất lớp oxit với độ chính xác ±0.1 nm, phương pháp không phá hủy phù hợp với oxit mỏng. Quang phổ phản xạ UV-Vis cũng cho phép xác định biến thiên quang phổ theo độ dày lớp.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Kỹ thuật X-ray Diffraction (XRD) phân tích pha tinh thể và kích thước hạt, xác định cấu trúc đơn tinh hoặc đa tinh. Scanning Electron Microscopy (SEM) kết hợp EDX cho hình ảnh bề mặt và phân tích thành phần nguyên tố theo vùng.\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Transmission Electron Microscopy (TEM): quan sát giao diện kim loại–oxit với độ phân giải nguyên tử.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Nanoindentation: đo độ cứng và module đàn hồi của lớp oxit trên nền kim loại.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS): đánh giá khả năng cách điện và tính đồng nhất của lớp oxit.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Kết hợp nhiều phương pháp giúp đánh giá toàn diện độ dày, cấu trúc và tính chất cơ–hóa, từ đó tối ưu quy trình ôxy hóa nhiệt cho từng ứng dụng cụ thể.\u003C\u002Fp>\n\n\u003Ch2>An toàn và tác động môi trường\u003C\u002Fh2>\n\u003Cp>Ôxy hóa nhiệt vận hành ở nhiệt độ cao và áp suất O₂ tăng, tiềm ẩn nguy cơ bỏng nhiệt và cháy nổ nếu khí oxy tinh khiết không được pha loãng đúng tỷ lệ. Phải có hệ thống thông gió, tường lò chịu nhiệt và van xả an toàn.\u003C\u002Fp>\n\u003Cp>Khí thải gồm CO₂, H₂O và đôi khi NOₓ sinh ra trong quá trình oxy hóa bề mặt kim loại. Hệ thống {{topic|%7B%22topic%22%3A%22x%E1%BB%AD%20l%C3%BD%20kh%C3%AD%20th%E1%BA%A3i%22%7D}} (scrubber, catalytic converter) cần được trang bị để giảm nồng độ NOₓ xuống dưới 100 ppm (U.S. DOE).\u003C\u002Fp>\n\u003Cul>\n  \u003Cli>Nguyên tắc 3E: Engineering controls, Emergency preparedness, Environmental monitoring.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Sử dụng khí trơ thay thế một phần O₂ để giảm rủi ro cháy nổ.\u003C\u002Fli>\n  \u003Cli>Phát triển công nghệ ôxy hóa nhiệt lạnh (low-temperature oxidation) và plasma để tiết kiệm năng lượng và giảm khí thải.\u003C\u002Fli>\n\u003C\u002Ful>\n\u003Cp>Đánh giá vòng đời (LCA) của sản phẩm cần xem xét năng lượng tiêu thụ, khí thải và khả năng tái tế lớp oxit sau khi tháo dỡ để hướng tới phát triển bền vững.\u003C\u002Fp>","Ôxy hóa nhiệt","thermal oxidation",[18,20,21,22,23],"nung oxy hóa","màng SiO2 nhiệt","oxy hóa khô","oxy hóa ướt","Ôxy hóa nhiệt là quá trình xử lý nhiệt độ cao trong môi trường chất oxy hóa để nuôi cấy một lớp màng oxit mỏng, đồng nhất và cách điện trên bề mặt vật liệu, đặc biệt là tạo màng silic dioxit (SiO2) trên tấm bán dẫn silic trong công nghệ vi điện tử.","ENGINEERING_TECHNOLOGY",[27,34,40],{"citationText":28,"title":29,"authors":30,"source":31,"year":32,"doi":33,"url":10},"Song (2004). Modified Deal Grove model for the thermal oxidation of silicon carbide. Journal of Applied Physics.","Modified Deal Grove model for the thermal oxidation of silicon carbide","Song, Dhar, Feldman et al.","Journal of Applied Physics",2004,"10.1063\u002F1.1690097",{"citationText":35,"title":36,"authors":37,"source":31,"year":38,"doi":39,"url":10},"Deal (1965). General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon. Journal of Applied Physics.","General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon","Deal, Grove",1965,"10.1063\u002F1.1713945",{"citationText":41,"title":42,"authors":43,"source":44,"year":45,"doi":46,"url":10},"Watanabe (2007). A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation. ECS Meeting Abstracts.","A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation","Watanabe","ECS Meeting Abstracts",2007,"10.1149\u002Fma2007-01\u002F14\u002F683",[48,51,54],{"question":49,"answer":50},"Mô hình Deal-Grove giải thích động học quá trình oxy hóa nhiệt của silic như thế nào?","Ở giai đoạn đầu khi màng oxit mỏng, tốc độ phản ứng bị khống chế bởi phản ứng hóa học tại mặt phân giới Si\u002FSiO2 (tuyến tính); khi màng oxit dày lên, tốc độ bị giới hạn bởi sự khuếch tán oxy qua lớp oxit (parabol).",{"question":52,"answer":53},"Sự khác biệt cốt lõi giữa phương pháp oxy hóa khô (Dry oxidation) và oxy hóa ướt (Wet oxidation) là gì?","Oxy hóa khô dùng khí O2 tinh khiết tạo màng SiO2 có mật độ khuyết tật thấp và độ bền điện cao dùng làm oxit cổng; oxy hóa ướt dùng hơi nước H2O có tốc độ phát triển màng nhanh hơn dùng làm oxit cách ly hoặc mặt nạ che chắn.",{"question":55,"answer":56},"Tại sao màng SiO2 phát triển bằng oxy hóa nhiệt lại có chất lượng cách điện vượt trội?","Quá trình oxy hóa tiêu thụ chính bề mặt đơn tinh thể Si nền giúp giao diện Si\u002FSiO2 có tính nguyên vẹn hoàn hảo, mật độ bẫy điện tích bề mặt cực kỳ thấp và độ đồng đều cấu trúc cao.",{"id":58,"researcherId":10,"name":59,"imageUrl":60},2633,"Hoài Đặng","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocLVXVafUxrnnC_H60UeQdpLE3UgeKGCSesypz_6Vi59B-n9C41A=s96-c",{"id":62,"researcherId":10,"name":63,"imageUrl":64},2681,"Cuong Ta","https:\u002F\u002Flh3.googleusercontent.com\u002Fa\u002FACg8ocKFuWh0ZD601Hp0_V_2xAK3kIOs20Kyv3V5ZLBo6fwfjyymJYzE=s96-c",[66,67,68,69,70,71,72,73,74,75],"oxy phản ứng","tính chất bề mặt","quá trình khuếch tán","chất bán dẫn","lớp cách điện","cấu trúc tinh thể","oxi hóa","oxy hóa","xử lý bề mặt","xử lý khí thải",10,true,"PUBLISHED","2025-08-05T09:17:12.571+00:00","2026-09-04T04:07:53.908+00:00","2025-08-07T04:20:53.408+00:00","2026-09-04T04:07:53.451+00:00",258,[85,88,91,94,97,100,103,106,109,112],{"id":86,"title":87,"term":86,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hệ số dẫn nhiệt","Hệ số dẫn nhiệt là gì? Các công bố khoa học về Hệ số dẫn nhiệt",{"id":89,"title":90,"term":89,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hình thái","Hình thái là gì? Các công bố khoa học về Hình thái",{"id":92,"title":93,"term":92,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"tán xạ","Tán xạ là gì? Các nghiên cứu khoa học về Tán xạ",{"id":95,"title":96,"term":95,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"hydroxy","Hydroxy là gì? Các công bố khoa học về Hydroxy",{"id":98,"title":99,"term":98,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"quercetin","Quercetin là gì? Các bài nghiên cứu khoa học về Quercetin",{"id":101,"title":102,"term":101,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"dẫn xuất","Dẫn xuất là gì? Các nghiên cứu khoa học về Dẫn xuất",{"id":104,"title":105,"term":104,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"phương pháp đồng kết tủa","Phương pháp đồng kết tủa là gì? Các nghiên cứu khoa học",{"id":107,"title":108,"term":107,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"quang xúc tác","Quang xúc tác là gì? Nghiên cứu khoa học về Quang xúc tác",{"id":110,"title":111,"term":110,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"phong hóa","Phong hóa là gì? Các nghiên cứu khoa học về Phong hóa",{"id":113,"title":114,"term":113,"englishTitle":10,"definition":10,"discipline":10,"disciplineCode":10,"disciplineLabel":10,"disciplineColor":10,"disciplineIcon":10},"áp suất thấp","Áp suất thấp là gì? Các nghiên cứu khoa học về Áp suất thấp"]