Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hành vi của phát xạ màu vàng trong GaN theo nhiệt độ
Tóm tắt
Ngay cả trong các mẫu GaN không pha tạp có chất lượng tốt, được đánh giá thông qua phát xạ excitonic mạnh, băng màu vàng vẫn xuất hiện. Băng này được quy cho sự tái hợp giữa cặp donor nông và donor sâu [1], giữa donor sâu và acceptor nông [2] hoặc giữa một donor nông và một trạng thái sâu [3]. Tuy nhiên, nguồn gốc của nó vẫn chưa được làm rõ. Chúng tôi trình bày dữ liệu về quang phổ phân giải thời gian so với kết quả trạng thái ổn định. Các kết quả này chỉ ra rằng không có sự khác biệt về hình dạng băng giữa quang phổ trạng thái ổn định và quang phổ phân giải thời gian ở tất cả các nhiệt độ. Tuy nhiên, trong một số mẫu, có sự gia tăng cường độ của băng màu vàng. Kết luận cho thấy rằng bên cạnh một phát xạ nhanh, do kích thích tức thì của trung tâm, một con đường gián tiếp từ một bẫy cách phía dưới donor nông 13.7 meV chịu trách nhiệm cho thành phần suy tán dài và sự gia tăng cường độ. Một phát xạ với thời gian sống khoảng 300 ms cũng được ghi nhận với cực đại tại 2.35 eV.
Từ khóa
#GaN #phát xạ màu vàng #quang phổ #nhiệt độ #donor nông #donor sâu.Tài liệu tham khảo
T. Ogino, M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Heitz, T. Detchprom, H. Amano, I. Akasaki, Phys. Rev. B 52, 16702–16706 (1995).
T. Monteiro, E. Pereira, M. R. Correia, C. Xavier, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, S. Fischer, A. Cremades, J. Piqueras, J. Lumin. 72, 696–700 (1997).
E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13326–13336 (1995).
E. Calleja, F. J. Sanchez, D. Basak, M. A. Sanchez-Garcia, E. Munoz, I. Izpura, F. Calle, J. M. G. Tijero, J. L. Sanchez- Rojas, B. Beaumont, P. Lorenzini, P. Gibart, Phys. Rev. B 55, 4689 (1997).
F. K. Koschnick, J. M. Spaeth, E. R. Glaser, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, D. K. Wickenden, Sci. Forum 196, 37–42 (1995).
J Piqueras, C Xavier, T Monteiro, E Pereira, S Fischer, DM Hofmann, BK Meyer, A Cremades, Mater. Sci. Eng. B 42, 230–234 (1996).
X Li, JJ Coleman, Appl. Phys. Lett. 70, 438–440 (1997).
T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, S. Porowski, T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 67, 2188–2190 (1995).
P. Boguslawski, E. L. Briggs, J. Bernholc, Phys. Rev. B 23, 17255 (1995).
David W. Jenkins, John D. Dow, Phys. Rev. B 39, 3317–3329 (1989).
J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945–1947 (1996).
J Neugebauer, CG Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503–505 (1996).
P. Gibart, presented at the European GaN Workshop 2, Valbonne, June 1997