Power scalable 2.5 μm (AlGaIn)(AsSb) semiconductor disk laser grown by molecular beam epitaxy

Journal of Crystal Growth - Tập 323 - Trang 454-456 - 2011
J. Paajaste1, R. Koskinen1, J. Nikkinen1, S. Suomalainen1, O.G Okhotnikov1
1Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, P.O. Box 692, FIN-33101 Tampere, Finland

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Crystal Growth

Tập 323

454-456

Thông tin tác giả